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NTD3055L104G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.5W(Ta),48W(Tj) 15V 2V@ 250µA 20nC@ 5 V 1个N沟道 60V 104mΩ@ 6A,5V 12A 440pF@25V TO-252 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.38mm
供应商型号: LM-1611345
供应商: 海外现货
标准整包数: 0
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTD3055L104G

NTD3055L104G概述


    产品简介


    NTD3055L104 和 NTDV3055L104 MOSFET
    NTD3055L104 和 NTDV3055L104 是一款 N 沟道增强型逻辑电平功率 MOSFET,适用于低电压高频率开关应用。这些器件特别适合于电源供应器、转换器、电机控制和桥接电路中。其显著特点是具有较低的导通电阻(RDS(on)),更低的击穿电压(VDS(on))以及更少的反向恢复时间(Diode Reverse Recovery Time)。

    技术参数


    基本电气特性:
    - 驱动源极-漏极电压(VDSS):60 Vdc
    - 漏极-源极电流(ID):12 A
    - 最大持续漏极电流(TA = 25°C):12 A
    - 最大瞬态脉冲漏极电流(tp ≤ 10 μs):45 A
    - 门限电压(VGS(th)):1.0 ~ 1.6 Vdc
    - 门-体泄漏电流(IGSS):±100 nAdc
    - 输出电容(Coss):105 ~ 150 pF
    工作温度范围:
    - 存储温度范围:-55°C 到 +175°C
    - 结温范围:-55°C 到 +175°C
    热阻参数:
    - 结到外壳热阻(RθJC):3.13 °C/W
    - 结到环境热阻(RθJA):71.4 °C/W
    单脉冲雪崩能量:
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):61 mJ

    产品特点和优势


    - 低RDS(on):NTD3055L104 和 NTDV3055L104 的导通电阻非常低,这使得它们在各种电力应用中表现出更高的效率。
    - 反向恢复时间短:由于其快速的反向恢复时间,这些 MOSFET 可以减少切换损耗并提高系统整体效率。
    - 符合汽车应用标准:NTDV 和 STDV 前缀型号具有 AEC-Q101 认证,可以满足汽车和其他要求严格的控制变化标准的应用需求。

    应用案例和使用建议


    典型应用场景:
    - 电源供应器:用于各种 DC-DC 转换器和线性电源供应器。
    - 电机控制:适用于驱动电机的开关应用。
    - 桥接电路:如 H 桥逆变器。
    使用建议:
    - 确保合理的散热:由于功率 MOSFET 在开关过程中会产生热量,因此需要良好的散热设计以防止过热。
    - 适当选择外部元件:根据应用要求选择合适的栅极电阻(RG)以优化开关时间和电流特性。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 这些 MOSFET 可以与大多数电源管理系统集成,并且能够与其他通用驱动电路配合使用。
    - 支持标准封装形式,包括 DPAK 和 IPAK。
    厂商支持:
    - ON Semiconductor 提供详细的技术支持和售后服务,可以通过其官方网站和客服获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 过热导致性能下降。
    2. 驱动电流不足导致开关速度慢。
    3. 门极电压过高引起损坏。
    解决方案:
    1. 采用有效的散热措施,如增加散热片或使用散热膏。
    2. 选择适当的外部驱动电阻(RG),确保足够的驱动电流。
    3. 严格遵守最大门极电压限制,不要超过额定值。

    总结和推荐


    总体评价:
    NTD3055L104 和 NTDV3055L104 MOSFET 以其出色的电气特性和低功耗特性,在电源管理和电机控制领域具有明显的优势。其 AEC-Q101 认证使其成为汽车应用的理想选择。然而,用户需要注意其散热要求和适当的驱动条件,以保证最佳性能。
    推荐使用:
    鉴于其高效能、可靠性和广泛的适用性,我强烈推荐在电力供应和控制系统中使用这些 MOSFET。只需遵循制造商提供的指导方针,即可实现预期的高性能。

NTD3055L104G参数

参数
最大功率耗散 1.5W(Ta),48W(Tj)
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 440pF@25V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 15V
Id-连续漏极电流 12A
栅极电荷 20nC@ 5 V
Rds(On)-漏源导通电阻 104mΩ@ 6A,5V
通道数量 1
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.38mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 停产
包装方式 管装

NTD3055L104G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTD3055L104G数据手册

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NTD3055L104G封装设计

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