处理中...

首页  >  产品百科  >  NSBA124XDXV6T1G

NSBA124XDXV6T1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 1mA,10mA 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 357mW 500nA 50V 100mA SOT-563 贴片安装 1.6mm*1.2mm*550μm
供应商型号: FL-NSBA124XDXV6T1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSBA124XDXV6T1G

NSBA124XDXV6T1G概述


    产品简介


    产品类型: Dual PNP Bias Resistor Transistors
    主要功能: 这种双PNP偏置电阻晶体管(Bias Resistor Transistor, BRT)集成了一个带有单个电阻网络的PNP晶体管,包含两个电阻——基极串联电阻和基极-发射极电阻。这种设计替代了传统的单个晶体管及其外部电阻偏置网络,从而减少了系统成本和电路板空间。
    应用领域: 汽车和其他需要特定位置和控制变更要求的应用场合。这些设备已通过AEC-Q101认证,适用于PPAP。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 集电极-基极电压:VCBO 50 Vdc
    - 集电极-发射极电压:VCEO 50 Vdc
    - 集电极电流:IC 100 mAdc
    - 输入正向电压:VIN(fwd) 40 Vdc
    - 输入反向电压:VIN(rev) 7 Vdc

    - 电气特性:
    - 基极电阻R1:22 kΩ
    - 发射极电阻R2:47 kΩ
    - 基极电阻比R1/R2:0.47
    - 开关电压:VCE(sat) 0.25 Vdc(IC = 10 mA, IB = 1.0 mA)
    - 输入电压(关断状态):Vi(off) 0.9 Vdc(VCE = 5.0 V, IC = 100 μA)
    - 输出电压(接通状态):VOL 0.2 Vdc(VCC = 5.0 V, VB = 2.5 V, RL = 1.0 kΩ)
    - 热特性:
    - 结到环境热阻(TA = 25°C):RθJA 670 °C/W(MUN5134DW1, SOT-363)
    - 总器件耗散功率(TA = 25°C):PD 187 mW(MUN5134DW1, SOT-363)

    产品特点和优势


    - 简化电路设计: 集成电阻网络减少了外部组件数量,简化了整体设计。
    - 减少成本: 减少了系统成本和电路板空间需求。
    - 无铅、无卤素和符合RoHS标准: 确保环保且兼容各类制造工艺。
    - 增强可靠性: 通过AEC-Q101认证和PPAP能力,确保了高度可靠性和质量控制。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 在汽车和其他需要严格控制的工业应用中作为偏置晶体管使用。
    - 典型的应用包括电源管理和驱动电路。
    使用建议:
    - 在使用过程中,应注意温度范围限制(TJ, Tstg -55°C to +150°C),避免超过最大额定值以保证长期可靠性。
    - 为获得最佳性能,应遵循推荐的焊接和组装技术。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 这些设备兼容SOT-363和SOT-563封装。
    - 适合用于各种类型的电路板。
    支持:
    - 提供全面的技术支持,包括在线资源和技术文档。
    - 可通过邮件请求获取更多详细信息,例如焊料指南和支持资料。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 长期使用时发现温度过高。
    解决方案: 确认使用环境温度不超过推荐的最高温度(150°C),并检查是否有散热措施。

    - 问题: 输出电压不稳定。
    解决方案: 检查输入电压和负载电阻是否满足技术手册中的要求,并确认焊接和连接是否正确。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 该产品具有简化设计、减少成本和提高可靠性的显著优势。
    - 具备良好的热稳定性和广泛的温度范围,使其在多种工业和汽车应用中表现出色。
    推荐使用:
    - 强烈推荐用于需要紧凑设计和高可靠性的场合,特别是在汽车和工业自动化领域。
    - 提供良好的技术支持和详细的资料文档,有助于快速部署和维护。

NSBA124XDXV6T1G参数

参数
最大功率耗散 357mW
配置
VCBO-最大集电极基极电压 -
集电极截止电流 500nA
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
VEBO-最大发射极基极电压 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 1mA,10mA
晶体管类型 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 1mA,10mA
集电极电流 100mA
长*宽*高 1.6mm*1.2mm*550μm
通用封装 SOT-563
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSBA124XDXV6T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSBA124XDXV6T1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSBA124XDXV6T1G NSBA124XDXV6T1G数据手册

NSBA124XDXV6T1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.0435 ¥ 0.3682
库存: 20000
起订量: 13705 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 0.36
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
1214-110V ¥ 2707.0919
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AUA ¥ 310.2704
2N2222AUA ¥ 200.5286
2N2222AUB ¥ 338.8957