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NSS12200WT1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 290mV@ 20mA,1A PNP 450mW -5V 100nA -12V 12V 2A SOT-363-6 贴片安装 2mm*1.25mm*900μm
供应商型号: FL-NSS12200WT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSS12200WT1G

NSS12200WT1G概述


    产品简介


    ON Semiconductor的e2PowerEdge家族中包含了一种低饱和电压(VCE(sat))PNP晶体管——NSS12200W/D。该产品是一款表面贴装的三极管,采用SOT-363封装形式。这种晶体管专门设计用于低压、高速开关应用,特别是在便携式和电池供电产品中实现高效的能量控制。典型的应用场景包括DC-DC转换器、电源管理和便携式电子设备(如手机、掌上电脑、计算机、打印机、数码相机和MP3播放器)。此外,它还适用于存储设备中的低电压电机控制(例如硬盘驱动器和磁带驱动器),并在汽车行业中用于安全气囊部署和仪表盘系统。

    技术参数


    以下是NSS12200W/D的关键技术规格和性能参数:
    - 饱和电压 (VCE(sat)):170 mV(典型值,当IC为1 A时)
    - 最大集电极电流 (IC):2.0 A(连续)
    - 集电极-发射极间击穿电压 (V(BR)CEO):-12 V
    - 集电极-基极间击穿电压 (V(BR)CBO):-12 V
    - 发射极-基极间击穿电压 (V(BR)EBO):-5.0 V
    - 直流电流增益 (hFE):100(最小值)
    - 最大总耗散功率 (PD):450 mW(TA = 25°C)
    - 热阻 (RJA):275 °C/W(从结到环境)

    产品特点和优势


    NSS12200W/D具有以下显著特点和优势:
    - 高电流能力:可承受高达3 A的集电极电流。
    - 高功率处理能力:可达650 mW的最大耗散功率。
    - 低饱和电压:仅为170 mV(典型值),使得其在开关应用中具有出色的效率。
    - 小尺寸:采用SOT-363封装,占用空间极小。
    - 无铅、无卤素材料:符合RoHS标准,环保且健康。
    这些特性使其成为便携式和电池供电设备的理想选择,能够在确保高效能量控制的同时减少电池损耗,延长电池寿命。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - DC-DC转换器:利用其低饱和电压的特点,可以提高转换效率。
    - 电池管理系统:通过优化电路设计,降低系统功耗。
    - 便携式设备:适用于移动电源、数码相机、智能手机等设备的电源管理。
    使用建议:
    - 散热管理:由于较高的总耗散功率,应注意合理设计散热方案,以避免因过热导致的损坏。
    - 布局优化:在PCB布局时,考虑将NSS12200W/D置于靠近电源输入端的位置,以减少寄生电阻和电感的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NSS12200W/D能够与大多数标准逻辑电平输出接口良好兼容,适用于各种常见的微控制器和PMU(电源管理单元)。
    - 支持和服务:ON Semiconductor提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线支持、技术文档和应用指南,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    问题1:产品过热怎么办?
    解决方案:检查散热设计,增加散热片或改善空气流通。如果仍然无法解决,建议联系技术支持团队。
    问题2:饱和电压异常高怎么办?
    解决方案:确保正确的电流输入,并检查是否存在外部干扰。必要时更换新的产品。

    总结和推荐


    NSS12200W/D以其低饱和电压、高电流能力和小尺寸等特性,成为便携式设备和电池供电系统的理想选择。它在低压、高速开关应用中表现出色,同时符合环保标准,是市场上同类产品的佼佼者。如果您需要在便携式设备中实现高效的能量控制,NSS12200W/D无疑是一个值得考虑的选择。强烈推荐此产品给需要此类电子元器件的设计工程师和制造商。

NSS12200WT1G参数

参数
最大功率耗散 450mW
集电极电流 2A
晶体管类型 PNP
VCBO-最大集电极基极电压 -12V
集电极截止电流 100nA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 290mV@ 20mA,1A
VCEO-集电极-发射极最大电压 12V
VEBO-最大发射极基极电压 -5V
最大集电极发射极饱和电压 -0.17V
配置 独立式
长*宽*高 2mm*1.25mm*900μm
通用封装 SOT-363-6
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSS12200WT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSS12200WT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSS12200WT1G NSS12200WT1G数据手册

NSS12200WT1G封装设计

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