处理中...

首页  >  产品百科  >  FDB7030L

FDB7030L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 68W(Tc) 20V 3V@ 250µA 33nC@ 5 V 1个N沟道 30V 7mΩ@ 40A,10V 80A 2.44nF@15V D2PAK,TO-263 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
供应商型号: CY-FDB7030L
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDB7030L

FDB7030L概述

    FDP7030L / FDB7030L N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    FDP7030L / FDB7030L 是由 Fairchild Semiconductor 设计的高性能 N-Channel Logic Level MOSFET,特别适用于提高采用同步或常规开关 PWM 控制器的直流/直流转换器的总体效率。这些 MOSFET 在切换速度和门极电荷方面表现出色,相比具有相似 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 有更好的表现。

    2. 技术参数


    - 电气参数:
    - 额定电压(VDSS):30 V
    - 持续漏极电流(ID):80 A
    - 脉冲漏极电流(ID):240 A
    - 最大结温(TJ):175°C
    - 热阻(RθJC):2.2°C/W
    - 热阻(RθJA):62.5°C/W
    - 门限电压(VGS(th)):1.0 - 3.0 V
    - 静态导通电阻(RDS(ON)):10 mΩ @ VGS = 4.5 V
    - 峰值功率耗散(PD):68 W @ TC = 25°C
    - 门极电荷(Qg):24 - 33 nC
    - 输入电容(Ciss):2440 pF
    - 输出电容(Coss):580 pF
    - 反向传输电容(Crss):250 pF

    3. 产品特点和优势


    - 低静态导通电阻(RDS(ON)):仅 7 mΩ @ VGS = 10 V,使器件在导通状态下的损耗更小,适合高电流应用。
    - 高速开关能力:由于门极电荷较低,使其适合高频应用,且在高频下驱动也更加容易。
    - 宽工作温度范围:-65°C 至 +175°C,适用于极端环境条件下的应用。
    - 高性能沟槽技术:确保了极低的 RDS(ON),提高整体系统效率。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:广泛应用于数据中心电源、工业自动化系统及通信设备中的直流/直流转换器。
    - 使用建议:为了获得最佳性能,建议选择合适的门极电阻(RG),以实现良好的开关时间和上升时间。同时,需要确保散热设计合理,避免因过热导致的性能下降。

    5. 兼容性和支持


    - 封装类型:FDP7030L 采用 TO-220 封装,FDB7030L 采用 TO-263AB 封装。
    - 订购信息:可以按单个管或卷带形式购买。例如,FDB7030L 的单个卷带包含 800 个单元,而 FDP7030L 则采用管装,每管 45 个单元。
    - 技术支持:Fairchild Semiconductor 提供详尽的技术支持和文档资料,帮助客户进行设计和集成。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:在高温环境下运行时,RDS(ON) 是否会增加?
    - 解决方案:是的,RDS(ON) 会随着温度升高而略微增加,但在正常工作范围内仍能保持良好的性能。可以通过合理的热管理设计来控制温度上升。

    - 问题二:如何确保快速开关性能?
    - 解决方案:选择适当的门极电阻(RG),并在 PCB 设计中减少门极线路寄生电感,有助于实现快速开关。

    7. 总结和推荐


    FDP7030L / FDB7030L 是一款高效且可靠的产品,特别适合于高频、高电流的应用场合。凭借其出色的电气特性和宽广的工作温度范围,这款 MOSFET 在市场上具备较强的竞争力。综上所述,我强烈推荐使用此产品,尤其在需要高效能、可靠性和广泛工作温度范围的应用中。

FDB7030L参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
栅极电荷 33nC@ 5 V
Id-连续漏极电流 80A
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.44nF@15V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@ 40A,10V
最大功率耗散 68W(Tc)
配置 独立式
长*宽*高 10.67mm*9.65mm*4.83mm
通用封装 D2PAK,TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FDB7030L厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDB7030L数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDB7030L FDB7030L数据手册

FDB7030L封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 5.1489 ¥ 41.7106
25+ $ 4.9362 ¥ 40.9914
50+ $ 4.7234 ¥ 40.2723
100+ $ 4.6383 ¥ 39.9127
300+ $ 4.5957 ¥ 39.5532
500+ $ 4.5532 ¥ 39.1936
1000+ $ 4.4255 ¥ 37.3957
5000+ $ 4.4255 ¥ 37.3957
库存: 61577
起订量: 24 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 41.71
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336