处理中...

首页  >  产品百科  >  NSV40200UW6T1G

NSV40200UW6T1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 300mV@ 20mA,2A PNP 3KW 7V 100nA 40V 40V 2A DFN 贴片安装 2mm(长度)*2mm(宽度)
供应商型号: CY-NSV40200UW6T1G
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSV40200UW6T1G

NSV40200UW6T1G概述


    产品简介


    NSS40200UW6T1G 和 NSV40200UW6T1G 是由 ON Semiconductor 生产的低饱和电压(Low VCE(sat))PNP晶体管。它们属于e2PowerEdge家族的一部分,专为低压、高速开关应用而设计,尤其适用于需要高效能和低成本能量控制的场合。这些晶体管被广泛应用于便携式及电池供电的产品中,例如手机、平板电脑、计算机、打印机、数码相机和MP3播放器等。此外,在汽车工业中,这些晶体管也被用于气囊部署和仪表盘控制。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 集电极-发射极电压(VCEO):-40 Vdc
    - 集电极-基极电压(VCBO):-40 Vdc
    - 发射极-基极电压(VEBO):-7.0 Vdc
    - 持续集电极电流(IC):-2.0 A
    - 峰值集电极电流(ICM):-4.0 A
    - 热阻(Junction-to-Ambient, RJA):143°C/W(在25°C下)
    - 最大耗散功率(PD):875 mW(在25°C下)
    - 电气特性:
    - 关断特性
    - 集电极-发射极击穿电压(IC = -10 mA,IB = 0):V(BR)CEO ≥ -40 Vdc
    - 集电极-基极击穿电压(IC = -0.1 mA,IE = 0):V(BR)CBO ≥ -40 Vdc
    - 发射极-基极击穿电压(IE = -0.1 mA,IC = 0):V(BR)EBO ≥ -7.0 Vdc
    - 通态特性
    - 直流电流增益(IC = -10 mA,VCE = -2.0 V):hFE ≥ 150
    - 集电极-发射极饱和电压(IC = -0.1 A,IB = -0.010 A):VCE(sat) ≤ -0.200 V
    - 开关特性
    - 延迟时间(VCC = 30 V,IC = 750 mA,IB1 = 15 mA):td ≤ 70 ns
    - 上升时间(VCC = 30 V,IC = 750 mA,IB1 = 15 mA):tr ≤ 150 ns
    - 存储时间(VCC = 30 V,IC = 750 mA,IB1 = 15 mA):ts ≤ 525 ns
    - 下降时间(VCC = 30 V,IC = 750 mA,IB1 = 15 mA):tf ≤ 155 ns

    产品特点和优势


    - NSV前缀: 适合汽车和其他需要特殊站点和控制变更要求的应用,已通过AEC-Q101认证并可提供PPAP能力。
    - 无铅无卤素: 这些设备不含铅,无卤素/溴化阻燃剂,符合RoHS标准。
    - 高电流增益: 允许直接驱动PMU控制输出,适用于模拟放大器。
    - 超低饱和电压: VCE(sat) 可低至-0.200 V,提高效率。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: 本晶体管广泛应用于便携式设备和电池供电产品中,如手机、计算机、打印机、数码相机等。在汽车领域,它们可以用于气囊系统和仪表盘控制。
    - 使用建议:
    - 在高压应用中,应确保不超过最大额定值以避免损坏。
    - 使用过程中,需考虑散热问题,尤其是在高温环境下。
    - 对于长期连续运行,建议使用适当的散热措施,如安装散热片。

    兼容性和支持


    - 兼容性: NSS40200UW6T1G 和 NSV40200UW6T1G 可与其他标准的PNP晶体管接口兼容,便于替换或集成到现有电路中。
    - 技术支持: ON Semiconductor 提供全面的技术支持和文档,包括详细的电气特性和机械参数,以便用户更好地理解和应用这些产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 如何选择正确的额定电流?
    - 解决方案: 根据应用的实际需求选择合适的额定电流。对于高电流需求的应用,应选择具有较高电流额定值的型号。

    - 问题2: 如何进行有效的散热管理?
    - 解决方案: 使用散热片或其他散热方法,确保工作温度不超过最大额定值。定期检查散热装置以确保其有效性。

    总结和推荐


    NSS40200UW6T1G 和 NSV40200UW6T1G 是市场上出色的低饱和电压PNP晶体管。其卓越的电气性能、高电流增益能力和紧凑的封装使其成为多种应用的理想选择。特别是在便携式设备和电池供电产品中,这些晶体管的超低饱和电压特性有助于提升系统的整体能效。因此,我们强烈推荐这些晶体管给寻求高效且可靠能量控制的工程师和设计师。

NSV40200UW6T1G参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 300mV@ 20mA,2A
配置 -
VCBO-最大集电极基极电压 40V
VEBO-最大发射极基极电压 7V
集电极截止电流 100nA
VCEO-集电极-发射极最大电压 40V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 300mV@ 20mA,2A
最大功率耗散 3KW
晶体管类型 PNP
集电极电流 2A
长*宽*高 2mm(长度)*2mm(宽度)
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NSV40200UW6T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSV40200UW6T1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSV40200UW6T1G NSV40200UW6T1G数据手册

NSV40200UW6T1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ $ 0.2593 ¥ 2.2318
500+ $ 0.2569 ¥ 2.2115
1000+ $ 0.2497 ¥ 2.1101
5000+ $ 0.2497 ¥ 2.1101
库存: 5744
起订量: 449 增量: 1
交货地:
最小起订量为:300
合计: ¥ 669.54
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N1613 ¥ 186.2455
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AE3 ¥ 39.2528
2N2222AUA ¥ 275.2402
2N2222AUB ¥ 338.8957
2N2222AUB ¥ 290.8886