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FDMC007N30D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.9W@ Q 1,2.5W@ Q 2 12V 3V@ 250µA 34nC@ 10V 2个N沟道 30V 11.6mΩ@ 10A,10V 46A 1.11nF@ 15V,2.36nF@ 15V MLP-8 贴片安装 3mm*3mm*800μm
供应商型号: FDMC007N30D
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMC007N30D

FDMC007N30D概述

    FDMC007N30D 双N沟道PowerTrench® MOSFET 产品技术手册

    产品简介


    FDMC007N30D 是一款由ON Semiconductor公司(前身为Fairchild Semiconductor)生产的双N沟道PowerTrench® MOSFET。这款MOSFET采用小型封装形式,内部集成两个专门设计的N沟道MOSFET,用于同步降压转换器中的开关节点连接,简化了设计布局。该产品适用于移动计算设备、移动互联网设备以及通用电源模块等领域。

    技术参数


    以下是FDMC007N30D的详细技术参数:
    | 参数 | Q1(控制MOSFET) | Q2(同步MOSFET) |
    | : | : | : |
    | 漏源电压 (VDS) | 30 V | 30 V |
    | 栅源电压 (VGS) | ±12 V | ±12 V |
    | 漏极连续电流 (ID) | 29 A (25°C) | 46 A (25°C) |
    | 最大导通电阻 (rDS(on)) | 11.6 mΩ @ 10 V, 10 A | 6.4 mΩ @ 10 V, 16 A |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | 24 mJ | 54 mJ |
    | 热阻 (RθJA) | 65 °C/W (单操作) | 50 °C/W (单操作) |

    产品特点和优势


    1. 高效能:Q1的最大rDS(on)为11.6 mΩ,Q2为6.4 mΩ,这使得该产品在同类产品中具有显著的低导通电阻,有助于提高电路的整体效率。
    2. 罗氏合规:符合RoHS标准,确保产品在环境友好方面的高要求。
    3. 小型封装:采用3mm x 3mm MLP封装,适合紧凑的设计需求。
    4. 内部连接:开关节点已内部连接,方便进行同步降压转换器的放置和布线。

    应用案例和使用建议


    FDMC007N30D MOSFET 主要应用于移动计算设备和移动互联网设备等需要高性能电源管理的场合。以下是一些使用建议:
    1. 在设计同步降压转换器时,利用其内部连接特性简化布线过程。
    2. 根据具体应用需求选择合适的栅源电压和漏极电流。
    3. 考虑到热管理,应合理分配散热路径以保证MOSFET的正常运行。

    兼容性和支持


    该产品与其他电子元器件的兼容性良好,且可广泛应用于多种电源管理场合。ON Semiconductor提供详细的文档和技术支持,用户可以访问其官方网站获取最新的产品信息和支持资料。

    常见问题与解决方案


    以下列举了一些用户可能遇到的问题及其解决方案:
    1. 温度过高导致故障:确保良好的散热设计,遵循推荐的RθJA值。
    2. 电流超出限制:避免长期工作在极限电流条件下,确保安全电流范围。
    3. 电压不稳:使用稳定的电源供应,避免输入电压波动过大。

    总结和推荐


    综上所述,FDMC007N30D是一款具有高效率和小体积优势的双N沟道PowerTrench® MOSFET。它适用于各种需要高效电源管理的应用场景。考虑到其出色的性能表现和ON Semiconductor的支持,我们强烈推荐该产品给需要高性能MOSFET的工程师和设计师们。

FDMC007N30D参数

参数
Vgs-栅源极电压 12V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.11nF@ 15V,2.36nF@ 15V
Rds(On)-漏源导通电阻 11.6mΩ@ 10A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 1.9W@ Q 1,2.5W@ Q 2
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 34nC@ 10V
Id-连续漏极电流 46A
长*宽*高 3mm*3mm*800μm
通用封装 MLP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDMC007N30D厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMC007N30D数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMC007N30D FDMC007N30D数据手册

FDMC007N30D封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 1.7663
6000+ ¥ 1.6673
12000+ ¥ 1.6391
24000+ ¥ 1.6108
库存: 4000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
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