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NVMFS5C410NLAFT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.8W(Ta),167W(Tc) 20V 2V@ 250µA 143nC@ 10 V 1个N沟道 40V 820μΩ@ 50A,10V 50A,330A 8.862nF@25V SO 贴片安装
供应商型号: 14M-NVMFS5C410NLAFT1G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5C410NLAFT1G

NVMFS5C410NLAFT1G概述

    # 电子元器件技术手册:NVMFS5C410NL MOSFET

    产品简介


    基本信息
    NVMFS5C410NL 是一种单片 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于需要高效能转换和低损耗的应用场合。其关键特性包括紧凑的设计、低导通电阻(RDS(on))、低栅极电荷(QG)和电容,以及增强型的光学检测湿边选项。
    主要功能
    - 适用于直流电源转换
    - 用于电机控制和驱动系统
    - 适用于 LED 照明和电池管理
    应用领域
    - 电动汽车及充电基础设施
    - 工业自动化设备
    - 消费电子产品

    技术参数


    最大额定值
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 连续漏电流 | ID | 330(TC=25°C), 230(TC=100°C)| A |
    | 功率耗散 | PD | 167(TC=25°C), 83(TC=100°C)| W |
    | 脉冲漏电流 | IDM | 900 | A |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 到 +175 | °C |
    电气特性
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | VGS=0 V, ID=250 µA | 40 V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | VGS=10 V, ID=50 A 0.82 mΩ |
    | 前向二极管电压 | VSD | VGS=0 V, IS=50 A | 0.73 1.2 | V |

    产品特点和优势


    - 紧凑设计:尺寸为 5x6 mm,适合于空间受限的应用场合。
    - 低导通电阻:最小 RDS(on) 仅为 0.82 mΩ,有助于减少导通损耗。
    - 低栅极电荷和电容:低 QG 和电容值有助于降低驱动损耗。
    - AEC-Q101 认证:适用于汽车应用。
    - 无铅、无卤素:符合 RoHS 标准,环保友好。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NVMFS5C410NL MOSFET 在电动汽车的充电站和工业自动化设备中有着广泛应用。例如,在电动汽车充电站中,它被用来高效地管理和转换直流电源。
    使用建议
    - 在高频率应用中,需注意其寄生电容的影响,尽量选择适当的栅极电阻以减小开关损耗。
    - 在高温环境下使用时,建议进行散热设计以确保可靠运行。

    兼容性和支持


    NVMFS5C410NL MOSFET 具有良好的兼容性,可以轻松集成到现有的电路设计中。ON Semiconductor 提供详尽的技术支持,包括应用指南、数据手册和在线资源,以帮助用户最大限度地利用这一产品。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 产品在高温下是否能正常工作?
    - A: 是的,其最大工作温度可达 +175°C,但建议在实际应用中进行有效的热管理。
    2. Q: 是否可以进行短脉冲操作?
    - A: 可以,但需注意脉冲持续时间和占空比的影响,具体参见数据手册。

    总结和推荐


    NVMFS5C410NL MOSFET 集成了多种先进特性,非常适合在需要高效能转换和低损耗的应用场合。其独特的设计使其成为工业自动化、电动汽车和消费电子领域的理想选择。我们强烈推荐此产品给寻求高性能 MOSFET 的工程师和技术采购人员。
    版权所有 © Semiconductor Components Industries, LLC, 2016. 所有权利保留。

NVMFS5C410NLAFT1G参数

参数
最大功率耗散 3.8W(Ta),167W(Tc)
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Id-连续漏极电流 50A,330A
Rds(On)-漏源导通电阻 820μΩ@ 50A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.862nF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 143nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 40V
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS5C410NLAFT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5C410NLAFT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS5C410NLAFT1G NVMFS5C410NLAFT1G数据手册

NVMFS5C410NLAFT1G封装设计

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Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 7.3684
10+ ¥ 6.6031
30+ ¥ 5.7979
100+ ¥ 5.6369
300+ ¥ 5.421
1000+ ¥ 5.2631
库存: 171
起订量: 1 增量: 2000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 7.36
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