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FCH125N60E

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 278W(Tc) 20V 3.5V@ 250µA 95nC@ 10 V 1个N沟道 600V 125mΩ@ 14.5A,10V 29A 2.99nF@380V TO-247-3 通孔安装 15.87mm*4.82mm*20.82mm
供应商型号: Q-FCH125N60E
供应商: 期货订购
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FCH125N60E

FCH125N60E概述

    # FCH125N60E N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    FCH125N60E 是 ON Semiconductor 公司推出的超级结(Super-Junction)MOSFET 系列产品之一,属于 SUPERFET II 家族。该系列采用了电荷平衡技术,旨在实现更低的导通电阻(RDS(on))和更优的开关性能,尤其适用于高效率和低损耗的电力转换应用。
    主要功能
    - 提供卓越的低导通电阻(RDS(on) = 102 mΩ 至 125 mΩ)
    - 支持快速开关应用
    - 降低电磁干扰(EMI),适合设计简化
    应用领域
    - 通信电源及服务器电源系统
    - 工业级电源供应
    - 各种高效率电力转换场景

    技术参数


    以下是 FCH125N60E 的关键技术规格:
    | 参数 | 规格范围 |

    | 最大漏源电压(VDSS) | 600 V |
    | 最大连续漏极电流(ID) | 29 A(TC=25°C),18 A(TC=100°C) |
    | 最大脉冲漏极电流(IDM) | 87 A |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 102 mΩ 至 125 mΩ(VGS=10 V) |
    | 门极电荷(Qg) | 75 nC 至 95 nC |
    | 输出电容(Coss) | 60 pF 至 80 pF |
    | 工作温度范围 | -55°C 至 +150°C |
    其他特性还包括高重复雪崩能量、快速关断能力、低体二极管恢复时间(trr = 376 ns),以及超低栅极泄漏电流(IGSS = ±100 nA)。

    产品特点和优势


    1. 高性能的电荷平衡技术:
    - 降低导通电阻和开关损耗,实现更高能效。

    2. 优越的抗雪崩性能:
    - 经过100%雪崩测试,提供更高的可靠性。
    3. 优化的EMI表现:
    - 带“E”后缀的产品通过降低dv/dt速率,有效减少电磁干扰。
    4. 兼容性强:
    - 满足RoHS标准,无铅化设计,适用于绿色环保需求。
    5. 广泛的适用性:
    - 能适应从工业到消费电子领域的多种应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电信和服务器电源:FCH125N60E 在高压直流电路中表现出色,显著降低功耗并提高效率。
    - 工业电机驱动:用于需要快速开关且耐高温的工作环境。
    - 太阳能逆变器:优化了功率转换效率,延长设备寿命。
    使用建议
    - 热管理:由于导通电阻较低,功耗较小,但需注意散热设计以避免过温问题。
    - 选型匹配:根据实际负载选择合适的工作点(如VGS电压),以确保最佳性能。
    - 布局优化:建议采用短路径设计,减少寄生效应,进一步提升整体效率。

    兼容性和支持


    兼容性
    FCH125N60E 具备良好的通用性,可直接替代市场上主流的 Super-Junction MOSFET 产品,适用于广泛的电路设计。
    厂商支持
    ON Semiconductor 提供全面的技术支持,包括详细的数据手册、应用指南及样品申请服务,用户可通过其官网获取相关资源。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 检查 VGS 电压设置是否正确,适当增大门极电荷。|
    | 热失控现象 | 检查散热措施是否充分,必要时增加外置风扇或热管。 |
    | 雪崩事件未能触发保护 | 确保电路中包含必要的保护器件(如TVS)。 |

    总结和推荐


    优点

    总结


    1. 低导通电阻和高效开关性能:FCH125N60E 提供优异的电气特性,特别适合高频高效率应用场景。
    2. 易于设计集成:独特的 EMI 管理功能降低了设计难度。
    3. 可靠性和耐用性:通过了严苛的雪崩测试和温度循环测试。
    推荐结论
    FCH125N60E 是一款极具竞争力的高性能 N-Channel MOSFET,适用于多种电力转换和控制场景。无论是通信设备、工业电源还是新能源领域,其优秀的性能和稳定性都能为系统设计带来显著的价值提升。强烈推荐在对效率要求较高的场景中优先选用。
    如需更多技术细节或定制化支持,请访问 [ON Semiconductor 官网](https://www.onsemi.com) 或联系其技术支持团队。

FCH125N60E参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 29A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.99nF@380V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 600V
最大功率耗散 278W(Tc)
栅极电荷 95nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 125mΩ@ 14.5A,10V
配置 独立式
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 250µA
长*宽*高 15.87mm*4.82mm*20.82mm
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

FCH125N60E厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FCH125N60E数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FCH125N60E FCH125N60E数据手册

FCH125N60E封装设计

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