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NSVMUN5135DW1T1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 300µA,10mA 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 500nA 50V 100mA SOT 贴片安装 2mm*1.25mm*900μm
供应商型号: FL-NSVMUN5135DW1T1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVMUN5135DW1T1G

NSVMUN5135DW1T1G概述

    双极型偏置电阻晶体管产品技术手册

    产品简介


    本产品系列是数字晶体管,旨在替代单个设备及其外部电阻偏置网络。具体来说,Bias Resistor Transistor(BRT)包含一个带有单片偏置网络的单个晶体管,该偏置网络由两个电阻组成:串联基极电阻和基极-发射极电阻。BRT通过将这些独立组件集成到单一设备中,减少了系统成本和板空间。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-基极电压 \( V{CBO} \): 50 Vdc
    - 集电极-发射极电压 \( V{CEO} \): 50 Vdc
    - 集电极电流(连续) \( IC \): 100 mA
    - 输入正向电压 \( V{IN(fwd)} \): 12 Vdc
    - 输入反向电压 \( V{IN(rev)} \): 5 Vdc
    - 热特性
    - 单结加热时的总功率耗散(TA=25°C)
    - MUN5135DW1 (SOT-363): 187 mW
    - NSBA123JDXV6 (SOT-563): 357 mW
    - NSBA123JDP6 (SOT-963): 231 mW
    - 热阻
    - 器件结到环境(TA=25°C):
    - MUN5135DW1 (SOT-363): 670 °C/W
    - NSBA123JDXV6 (SOT-563): 350 °C/W
    - NSBA123JDP6 (SOT-963): 540 °C/W
    - 电气特性
    - 关断特性
    - 集电极-基极截止电流(\( V{CB} \)=50V, \( IE \)=0): \( I{CBO} \)≤100 nA
    - 集电极-发射极截止电流(\( V{CE} \)=50V, \( IB \)=0): \( I{CEO} \)≤500 nA
    - 发射极-基极截止电流(\( V{EB} \)=6.0V, \( IC \)=0): \( I{EBO} \)≤0.2 mA
    - 导通特性
    - 直流增益(\( IC \)=5.0mA, \( V{CE} \)=10V): 80 至 140
    - 集电极-发射极饱和电压(\( IC \)=10mA, \( IB \)=0.3mA): \( V{CE(sat)} \)≤0.25 Vdc

    产品特点和优势


    - 简化电路设计:集成了两个电阻网络,减少外部元件。
    - 减少占用空间:通过集成组件减少了PCB的空间需求。
    - 降低元件数量:单个设备取代了多个分立元件。
    - 环境友好:无铅、卤素/溴化阻燃剂及RoHS符合。

    应用案例和使用建议


    - 应用领域:适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用,如传感器接口、信号调理等。
    - 使用建议:选择合适的封装以适应不同的应用场景。对于高功耗场景,确保良好的散热管理。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这些设备与标准SOT封装兼容,适用于各种类型的PCB组装。
    - 技术支持:提供详尽的技术文档和在线支持服务。

    常见问题与解决方案


    - Q: 设备是否能在高温环境下稳定工作?
    - A: 是的,所有设备的工作温度范围为-55°C至+150°C,但需注意高功耗情况下需要额外散热措施。

    - Q: 是否有无铅版本可用?
    - A: 是的,所有型号均有无铅版本可选。

    总结和推荐


    该系列产品具有简化设计、降低成本和节省空间等显著优势,特别适合于需要高度集成和可靠性的应用场合。强烈推荐在汽车电子和工业控制系统中使用。同时,制造商提供的全面技术支持也为用户提供了极大的便利。

NSVMUN5135DW1T1G参数

参数
配置 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
晶体管类型 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 300µA,10mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 300µA,10mA
最大功率耗散 -
集电极电流 100mA
VCBO-最大集电极基极电压 -
集电极截止电流 500nA
长*宽*高 2mm*1.25mm*900μm
通用封装 SOT
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSVMUN5135DW1T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVMUN5135DW1T1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSVMUN5135DW1T1G NSVMUN5135DW1T1G数据手册

NSVMUN5135DW1T1G封装设计

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