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NTMTS1D6N10MCTXG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道MOS管 NTMC0系列, Vds=100 V, 273 A, DFNW8.封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: FL-NTMTS1D6N10MCTXG
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMTS1D6N10MCTXG

NTMTS1D6N10MCTXG概述

    电子元器件产品技术手册:NTMTS1D6N10MC MOSFET

    1. 产品简介


    NTMTS1D6N10MC 是一款高性能的单通道 N 沟道功率 MOSFET,主要用于电力转换和控制应用。这款器件具有小巧的封装(8x8 mm),低导通电阻(RDS(on))以减少传导损耗,并具备低栅极电荷(QG)和低栅极到源极电容(CGSS)以降低驱动损耗。它采用了全新的 Power 88 封装,无铅且符合 RoHS 标准,适用于需要高效率和高可靠性电子系统的应用场合。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压 (VDSS):100 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏电流 (ID):273 A(TC = 25°C),193 A(TC = 100°C)
    - 功率耗散 (PD):291 W(TC = 25°C),146 W(TC = 100°C)
    - 单脉冲漏源雪崩能量 (EAS):1301 mJ
    - 引线焊接温度 (TL):260 °C
    - 电气特性:
    - 导通电阻 (RDS(on)):1.7 mΩ(VGS = 10 V,ID = 90 A)
    - 零栅极电压漏电流 (IDSS):1.0 μA(TJ = 25°C),10 μA(TJ = 125°C)
    - 开启延迟时间 (td(ON)):34 ns(VGS = 10 V,VDS = 50 V,ID = 116 A,RG = 6 Ω)

    3. 产品特点和优势


    - 小型封装:8x8 mm 的紧凑设计使其适合空间受限的应用。
    - 低 RDS(on):低至 1.7 mΩ 的导通电阻有效减少了功率损耗。
    - 低栅极电荷:低栅极电荷(QG)和低栅极到源极电容(CGSS)提高了开关速度并减少了驱动损耗。
    - 新 Power 88 封装:采用新的封装技术,提升了整体性能和可靠性。
    - 无铅和 RoHS 合规:符合环保标准,适用于绿色电子系统。

    4. 应用案例和使用建议


    NTMTS1D6N10MC 主要应用于电源管理、电机驱动、太阳能逆变器等领域。在这些应用中,它能够有效提高系统的效率和可靠性。为了最大化其性能,建议在应用时保持良好的散热条件,并确保电路设计合理,避免过热。
    - 应用案例:
    - 用于服务器电源供应单元 (PSU) 中的功率转换。
    - 在电动车充电站中作为高效功率开关器件。
    - 使用建议:
    - 确保电路板有足够的散热措施,如使用散热片或热管。
    - 谨慎选择栅极电阻值,以达到最佳开关性能。


    5. 兼容性和支持


    NTMTS1D6N10MC 与同类的电子元器件和其他电源管理器件兼容。制造商提供全面的技术支持和售后服务,确保客户能够在使用过程中得到及时的帮助和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:电路在高负载下过热。
    - 解决方法:增加散热措施,如安装散热片或热管,并检查电路板的布局设计。

    - 问题 2:导通电阻过高。
    - 解决方法:检查栅极驱动电压是否足够高,并确认电路连接正确。

    - 问题 3:启动延迟时间长。
    - 解决方法:适当减小栅极电阻值,提高开关速度。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NTMTS1D6N10MC MOSFET 具有显著的优点,如小型封装、低导通电阻和低栅极电荷,使其在多种应用中表现出色。无论是电源管理和电机驱动还是其他高效率要求的应用场合,这款器件都是一款值得推荐的产品。其优秀的性能和广泛的应用范围使其成为市场上非常有竞争力的选择。

NTMTS1D6N10MCTXG参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.63nF@50V
栅极电荷 106nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 650µA
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7mΩ@ 90A,10V
通道数量 -
最大功率耗散 5W(Ta),291W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 273A
配置 -
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMTS1D6N10MCTXG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMTS1D6N10MCTXG数据手册

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NTMTS1D6N10MCTXG封装设计

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