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NSV40200LT1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi PNP晶体管, SOT-23封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流-2 A, 最大集电极-发射电压-40 V
供应商型号: 14M-NSV40200LT1G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSV40200LT1G

NSV40200LT1G概述

    # NSS40200L/NSV40200L PNP Transistor: A Comprehensive Overview

    产品简介


    产品类型与功能
    NSS40200L 和 NSV40200L 是由 ON Semiconductor 生产的低饱和电压(VCE(sat))PNP 晶体管。这些晶体管属于 e2PowerEdge 系列,专为低压、高速开关应用而设计。它们以超低饱和电压和高电流增益能力为特点,适用于需要高效能能量控制的应用场合。
    主要应用领域
    这类晶体管广泛应用于以下领域:
    - 直流-直流转换器
    - 便携式和电池供电产品(如手机、PDA、计算机、打印机、数码相机、MP3播放器)
    - 低电压电机控制(如硬盘驱动器、磁带驱动器)
    - 汽车行业(如安全气囊部署、仪表盘)

    技术参数


    极限参数
    - 集电极-发射极击穿电压(IC = -10 mA, IB = 0):V(BR)CEO ≥ -40 Vdc
    - 集电极-基极击穿电压(IC = -0.1 mA, IE = 0):V(BR)CBO ≥ -40 Vdc
    - 发射极-基极击穿电压(IE = -0.1 mA, IC = 0):V(BR)EBO ≥ -7.0 Vdc
    - 连续集电极电流:IC ≤ -2.0 A
    - 峰值集电极电流:ICM ≤ -4.0 A
    - 基极峰值电流:IBM ≤ -300 mA
    - 静电放电:HBM Class 3B, MM Class C
    热性能参数
    - 最大耗散功率(TA = 25°C):PD ≤ 460 mW
    - 最大耗散功率(TA = 25°C以上每度降额):PD ≤ 3.7 mW/°C
    - 热阻(结到环境):RJA ≤ 270 °C/W
    电气特性
    - 饱和电压(IC = -0.1 A, IB = -0.010 A):VCE(sat) ≤ -0.010 V
    - 开启电压(IC = -1.0 A, VCE = -2.0 V):VBE(on) ≤ -0.900 V
    - 电流增益(IC = -10 mA, VCE = -2.0 V):hFE ≥ 250
    - 输入电容(VEB = 0.5 V, f = 1.0 MHz):Cibo ≤ 325 pF
    - 输出电容(VCB = 3.0 V, f = 1.0 MHz):Cobo ≤ 62 pF

    产品特点和优势


    特点
    - 支持独特的现场和控制变更要求,符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力
    - 无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准
    - Pb-Free 封装,热稳定性好
    - 极低的饱和电压和高电流增益能力
    优势
    - 可直接从PMU的控制输出端驱动,简化电路设计
    - 理想的模拟放大器组件,适用于多种应用场景
    - 高电流增益允许通过控制输出直接驱动,降低系统复杂度

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NSS40200L 和 NSV40200L 在以下应用中表现出色:
    - DC-DC 转换器
    - 电池供电设备
    - 汽车应用
    使用建议
    - 在高压环境应用时注意散热,避免过温损坏
    - 针对不同应用场景,合理选择驱动方式,减少信号延迟
    - 结合外部电路设计,确保电容匹配,减小噪声干扰

    兼容性和支持


    兼容性
    - NSS40200L 和 NSV40200L 适合与同类低压供电的半导体器件配合使用
    - 它们具有广泛的接口兼容性,易于集成到现有的电子系统中
    支持
    - ON Semiconductor 提供技术支持和维护服务,详细资料参见官网
    - 若需进一步的技术文档和应用指导,可通过官方联系方式获取

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问:如何确保 NSS40200L 的可靠运行?
    - 答: 在高电流或高频应用时注意保持适当散热,避免温度超过最大限制。确保正确连接所有引脚,避免接线错误导致的损坏。
    2. 问:如何改善 NSS40200L 的电流增益?
    - 答: 优化电路设计,选择合适的基极电流和驱动电路。适当提高基极电流可以增加增益,但要注意避免过大的电流导致热失控。

    总结和推荐


    综合评估
    NSS40200L 和 NSV40200L 是 ON Semiconductor 推出的高性能 PNPN 晶体管,具备优秀的电气特性和热性能。在多种应用环境中都能展现出卓越的性能,尤其适合在需要高效能能量控制的低压、高速开关应用中。
    推荐
    强烈推荐 NSS40200L 和 NSV40200L 用于需要高可靠性、高性能和低能耗的低压应用场合。它们在设计灵活性、可靠性及成本效益方面表现出色,是市场上同类产品的有力竞争者。

NSV40200LT1G参数

参数
集电极电流 2A
VEBO-最大发射极基极电压 7V
VCEO-集电极-发射极最大电压 40V
最大集电极发射极饱和电压 170mV@ 200mA,2A
集电极截止电流 100nA
晶体管类型 PNP
VCBO-最大集电极基极电压 40V
最大功率耗散 540mW
配置 独立式
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 170mV@ 200mA,2A
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*1mm
通用封装 SOT-23-3,TO-236
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NSV40200LT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSV40200LT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSV40200LT1G NSV40200LT1G数据手册

NSV40200LT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 1.3263
10+ ¥ 1.3042
30+ ¥ 1.0316
100+ ¥ 0.8694
300+ ¥ 0.7958
2000+ ¥ 0.7369
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