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NSVIMD10AMT1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 300mV@ 1mA,10mA 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual) 285mW 5V 500nA 50V 500mA SC-74R 贴片安装 3mm*1.5mm*940μm
供应商型号: AV-S-NSVIMD10AMT1G
供应商: Avnet
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVIMD10AMT1G

NSVIMD10AMT1G概述

    IMD10AMT1G Dual Bias Resistor Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    IMD10AMT1G 是一款双偏置电阻晶体管,包含NPN和PNP硅表面贴装晶体管及单片偏置电阻网络。这种多用途器件适用于汽车及其他要求特定位置和控制变更的应用,通过AEC-Q101认证且支持PPAP(生产件批准程序)。该产品采用无铅、卤素自由/BFR自由材料并符合RoHS标准。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 集电极-基极击穿电压 \( V{(BR)CBO} \):50 Vdc
    - 集电极-发射极击穿电压 \( V{(BR)CEO} \):50 Vdc
    - 发射极-基极击穿电压 \( V{(BR)EBO} \):5.0 Vdc
    - 最大集电极电流 \( IC \):500 mA
    - 功耗 \( PD \):285 mW
    - 结温 \( TJ \):150°C
    - 存储温度范围 \( T{stg} \):-55°C 至 +150°C
    - 电气特性:
    - NPN:直流电流增益 \( h{FE} \) 为 68 到 600
    - PNP:直流电流增益 \( h{FE} \) 为 68 到 600
    - 饱和电压 \( V{CE(sat)} \):\(-\) 0.3 Vdc
    - 输出低电压 \( V{OL} \):\(-\) 0.2 Vdc
    - 输入电阻 \( R1 \):70 kΩ (PNP), 13 kΩ (NPN)
    - 偏置电阻比例 \( R1/R2 \):0.008 到 0.012

    3. 产品特点和优势


    - 高电流能力:IMD10AMT1G 可以承受高达500 mA的最大集电极电流,使得它非常适合需要高电流处理的应用。
    - 可靠性高:产品通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力,确保在严苛环境下的可靠性。
    - 环保材料:无铅、卤素自由和RoHS合规,有助于减少对环境的影响。
    - 多应用场景:适用于各种工业和汽车领域,具有良好的通用性和稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:
    - 车载控制系统:可用于车辆的传感器信号放大和电路保护。
    - 工业自动化:用于PLC系统的输入输出接口,提供可靠的电流驱动能力。

    - 使用建议:
    - 在选择外部电阻时,确保阻值满足最小和最大范围要求,以避免不必要的电流损耗或电压不稳定。
    - 确保散热设计合理,避免长时间高电流工作导致过热损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IMD10AMT1G 与标准的SC-74封装兼容,易于与其他常用元器件集成。
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供详细的用户指南和技术支持,可以通过其官网或联系当地销售代表获取进一步帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何验证产品的性能?
    - 解答:参考手册中的电气特性参数,进行相关测试以验证其性能是否符合要求。
    - 问题2:如何正确焊接该产品?
    - 解答:查阅ON Semiconductor的焊接和安装技术参考手册,确保焊接过程符合标准工艺要求。
    - 问题3:产品的工作温度范围是多少?
    - 解答:存储温度范围为-55°C至+150°C,确保在该范围内使用以保证最佳性能。

    7. 总结和推荐


    IMD10AMT1G 双偏置电阻晶体管是一款高性能、多功能的半导体器件,适用于多种工业和汽车应用。其高电流能力和优异的可靠性使其成为市场上极具竞争力的产品。我们强烈推荐在需要高可靠性和稳定性的应用中使用此产品。
    希望本文能够帮助您全面了解 IMD10AMT1G 的特性和应用场景。如果您有任何疑问或需要更多帮助,请随时联系 ON Semiconductor 客户支持团队。

NSVIMD10AMT1G参数

参数
最大功率耗散 285mW
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
配置
集电极电流 500mA
VCBO-最大集电极基极电压 -
晶体管类型 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual)
VEBO-最大发射极基极电压 5V
集电极截止电流 500nA
最大集电极发射极饱和电压 300mV@ 1mA,10mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 300mV@ 1mA,10mA
长*宽*高 3mm*1.5mm*940μm
通用封装 SC-74R
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSVIMD10AMT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVIMD10AMT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSVIMD10AMT1G NSVIMD10AMT1G数据手册

NSVIMD10AMT1G封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 0.1147 ¥ 1.0147
9000+ $ 0.0842 ¥ 0.7456
12000+ $ 0.0816 ¥ 0.722
24000+ $ 0.078 ¥ 0.6906
42000+ $ 0.0749 ¥ 0.6631
78000+ $ 0.0697 ¥ 0.6169
库存: 3000
起订量: 3000 增量: 3000
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