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J112-D26Z

产品分类: 结型场效应管(JFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 625mW 625mW 35V 1V@ 1 µA 1个N沟道 35V 50Ω 5mA 5mA 独立式 35V TO-92-3 通孔安装
供应商型号: SCE-J112-D26Z
供应商: 海外现货
标准整包数: 100
ON SEMICONDUCTOR 结型场效应管(JFET) J112-D26Z

J112-D26Z概述

    N-Channel Switch MMBFJ111, MMBFJ112, MMBFJ113 技术手册

    产品简介


    N-Channel Switch(N沟道开关)系列产品包括J111、J112、J113、MMBFJ111、MMBFJ112、MMBFJ113。这些产品主要用于低电平模拟开关、采样保持电路和斩波稳定放大器。它们广泛应用于各种电子设备和系统中,例如通信设备、汽车电子、工业自动化控制系统等。

    技术参数


    以下是这些N-Channel Switch的主要技术规格和性能参数:
    - 绝对最大额定值:
    - 栅极-源极电压(VGS):±35 V
    - 漏极-栅极电压(VDG):35 V
    - 正向栅极电流(IGF):50 mA
    - 工作温度范围(TJ):-55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
    - 热特性:
    - 总耗散功率(PD):J111/J112/J113为625 mW;MMBFJ111/MMBFJ112/MMBFJ113为350 mW
    - 热阻(RJC):125 °C/W
    - 热阻(RJA):200 °C/W
    - 电气特性:
    - 开启特性:
    - 零栅极电压漏极电流(IDSS):VDS=15 V,VGS=0时,J111为20 mA,J112为5.0 mA,J113为2.0 mA
    - 漏极-源极导通电阻(rDS(on)):VDS≤0.1 V,VGS=0时,J111为30 Ω,J112为50 Ω,J113为100 Ω
    - 关断特性:
    - 栅极-源极截止电压(VGS(off)):VDS=5 V,ID=1.0 μA时,J111为-3.0 V至-10.0 V,J112为-1.0 V至-5.0 V,J113为-0.5 V至-3.0 V
    - 小信号特性:
    - 漏极-栅极开启电容(Cdg(on)):VDS=0 V,VGS=0 V,f=1.0 MHz时,范围为0至28 pF
    - 漏极-栅极关断电容(Cdg(off)):VDS=0 V,VGS=-10 V,f=1.0 MHz时,范围为0至5.0 pF

    产品特点和优势


    1. 低电平模拟开关:适用于低电平模拟信号的开关应用,具有高精度和稳定性。
    2. 互换性:源极和漏极可互换,增加了设计灵活性。
    3. 无铅设计:采用无铅工艺制造,符合环保标准。
    4. 宽工作温度范围:-55°C 至 +150°C 的宽工作温度范围,适应多种环境条件。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:这些N-Channel Switch广泛应用于通信设备、汽车电子、工业自动化控制系统等。例如,在汽车电子中用于电池管理系统,实现电池状态的监控和控制。
    - 使用建议:在设计中,应确保电源电压不超过最大额定值,并注意散热设计以避免过热。对于高频应用,需考虑寄生电容的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这些N-Channel Switch与常见的PCB设计兼容,易于集成到现有系统中。
    - 支持:ON Semiconductor提供全面的技术支持和售后服务,包括产品文档、应用指南和技术支持热线。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定正确的封装尺寸?
    - 解答:根据具体的应用需求选择合适的封装,如TO-92或SOT-23。

    - 问题2:如何避免过热?
    - 解答:确保散热设计合理,使用适当的散热片或风扇进行冷却。

    总结和推荐


    总体来说,N-Channel Switch MMBFJ111、MMBFJ112、MMBFJ113是一款高性能、多功能的电子元器件,适用于多种应用场景。其低电平模拟开关能力、互换性、无铅设计以及宽工作温度范围使其在市场上具备显著的竞争优势。因此,强烈推荐在需要高性能、可靠性的电子设备中使用这些产品。

J112-D26Z参数

参数
Idss-不同Vds(Vgs=0)时的漏极电流 5mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 35V
最大功率耗散 625mW
Id-连续漏极电流 5mA
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 1 µA
最大功率 625mW
击穿电压 35V
Vds-漏源极击穿电压 35V
Rds(On)-漏源导通电阻 50Ω
配置 独立式
5.2mm(Max)
4.19mm(Max)
5.33mm(Max)
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

J112-D26Z厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

J112-D26Z数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 结型场效应管(JFET) ON SEMICONDUCTOR J112-D26Z J112-D26Z数据手册

J112-D26Z封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 2.1278
500+ ¥ 1.593
2000+ ¥ 1.3853
8000+ ¥ 1.3215
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