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NTMFD5C446NLT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.5W 20V 2.2V@ 90µA 54nC@ 10V 2个N沟道 40V 2.65mΩ@ 20A,10V 25A,145A 3.17nF@25V DFN-8 贴片安装
供应商型号: NTMFD5C446NLT1GOSDKR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFD5C446NLT1G

NTMFD5C446NLT1G概述


    产品简介


    NTMFD5C446NL 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的双N沟道功率MOSFET器件。它具备极小的体积(5x6毫米),能够支持紧凑的设计。该器件主要用于高电流、低电阻的应用场合,如开关电源、电机驱动和其他功率转换应用。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压 \(V{DSS}\): 40V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±20V
    - 持续漏极电流(TJ=25°C):145A;(TJ=100°C):105A
    - 脉冲漏极电流(TJ=25°C,tp=10μs):644A
    - 最大耗散功率(TJ=25°C):125W;(TJ=100°C):62W
    - 工作温度范围:-55°C到+175°C
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 \(V(BR)DSS\): 40V
    - 漏源导通电阻 \(R{DS(on)}\)(VGS=10V, ID=20A):2.65mΩ
    - 前向二极管电压 \(V{SD}\)(TJ=25°C):0.8V;(TJ=125°C):0.7V
    - 输入电容 \(C{ISS}\)(VGS=0V, f=1MHz, VDS=25V):3170pF
    - 输出电容 \(C{OSS}\):1270pF
    - 反向转移电容 \(C{RSS}\):48pF
    - 总栅极电荷 \(Q{G(TOT)}\)(VGS=4.5V, VDS=32V, ID=50A):25nC

    产品特点和优势


    - 小型封装:5x6mm 的小尺寸设计,适用于紧凑型电路板布局。
    - 低 \(R{DS(on)}\):2.65mΩ,显著降低导通损耗。
    - 低 \(QG\) 和电容:减少驱动损耗。
    - 无铅、无卤素、BFR-free 且符合RoHS标准,适用于环保要求较高的应用场合。
    - 宽工作温度范围:-55°C至+175°C,适应各种恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:用于高压直流电源转换,提高效率和可靠性。
    - 电机驱动:适用于伺服系统和工业控制设备,确保精确控制和高效运行。
    - 电池充电器:提供高效的充电管理,延长电池寿命。
    使用建议:
    - 在选择外部驱动器时,需要确保其输出电平和电流能力与 \(QG\) 和 \(R{DS(on)}\) 匹配,以避免不必要的损耗。
    - 在高电流应用中,确保适当的散热措施,以避免过热现象。
    - 确保电路板设计考虑静电保护(ESD),并采用合适的PCB布局来减少寄生效应。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 该器件具有较小的引脚间距(1.27mm),适用于多种表面贴装技术(SMT)。
    - 与现有的直流电源转换器、电机控制器和电池充电器广泛兼容。
    支持:
    - 安森美半导体提供详尽的技术文档和支持,包括详细的电气特性和测试条件,确保用户可以正确使用该产品。
    - 公司网站上提供了丰富的技术支持资源,包括在线论坛、技术支持热线和技术白皮书。

    常见问题与解决方案


    问题1:温度对器件性能有何影响?
    解决方案:查看数据表中的温度相关特性,确保在工作温度范围内正确操作。
    问题2:如何确保正确的驱动信号?
    解决方案:参照数据表中的 \(QG\) 和 \(R{DS(on)}\) 参数选择合适的驱动器,保证信号强度足够。
    问题3:怎样进行有效的散热?
    解决方案:确保电路板上具有良好的散热设计,如添加散热片或使用带有良好热导率的PCB材料。

    总结和推荐


    NTMFD5C446NL MOSFET是一款性能优越的器件,适用于高电流应用场合。其优异的小型封装、低 \(R{DS(on)}\) 和广泛的温度范围使其成为现代电子设备的理想选择。通过合理的设计和使用建议,可以最大化其性能并确保长期可靠运行。总体而言,我们强烈推荐此产品给那些需要高性能、高可靠性的应用场合。

NTMFD5C446NLT1G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.17nF@25V
通道数量 2
Rds(On)-漏源导通电阻 2.65mΩ@ 20A,10V
栅极电荷 54nC@ 10V
配置
最大功率耗散 3.5W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 90µA
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 25A,145A
通用封装 DFN-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFD5C446NLT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFD5C446NLT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFD5C446NLT1G NTMFD5C446NLT1G数据手册

NTMFD5C446NLT1G封装设计

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