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NTD4302T4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.04W(Ta),75W(Tc) 20V 3V@ 250µA 80nC@ 10 V 1个N沟道 30V 10mΩ@ 20A,10V 8.4A,68A 2.4nF@24V TO-252 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.38mm
供应商型号: J-ONSM-0081770
供应商: Chip1stop
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTD4302T4G

NTD4302T4G概述

    NTD4302 MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:
    NTD4302 是一种 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 DPAK 和 IPAK 封装形式。
    主要功能:
    - 高效低阻抗开关
    - 支持逻辑电平门驱动
    - 具备高反向恢复速度的体二极管
    - 能够承受雪崩能量
    应用领域:
    - DC-DC 转换器
    - 低压电机控制
    - 便携式及电池供电产品中的电源管理,例如计算机、打印机、移动电话、以及 PCMCIA 卡

    2. 技术参数


    | 参数 | 型号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 \( V{DSS} \) | 30 | Vdc |
    | 栅源电压 \( V{GSS} \) ±20 Vdc |
    | 最大连续漏极电流 \( I{D} \) @ 25°C | 68 | A |
    | 最大连续漏极电流 \( I{D} \) @ 100°C | 43 | A |
    | 漏极-源极导通电阻 \( R{DS(on)} \) 0.0078 | 0.013 | Ω |
    | 热阻 \( R{JC} \) 1.65 °C/W |
    | 额定单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \) | 722 | mJ |

    3. 产品特点和优势


    - 超低 \( R{DS(on)} \): 在 10 V 的栅源电压下,\( R{DS(on)} \) 为 0.0078 Ω,保证了高效能。
    - 更高的效率: 由于较低的 \( R{DS(on)} \),能够延长电池寿命。
    - 逻辑电平门驱动: 使得 MOSFET 可以被逻辑电路直接驱动。
    - 高速体二极管: 集成的二极管具有软恢复特性,适用于高频开关应用。
    - 雪崩能量指定: 指定了雪崩模式下的能量承受能力,提高了应用可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - DC-DC 转换器: 利用低 \( R{DS(on)} \) 特性减少功耗,提高效率。
    - 电池供电设备: 通过逻辑电平门驱动简化设计,适合轻薄设备。
    - 低压电机控制: 高速体二极管确保电机平稳运行。
    使用建议:
    - 选择合适的栅极电阻: 可通过调整栅极电阻来优化开关时间和降低功耗。
    - 散热管理: 确保良好的热设计,尤其是在高电流工作条件下。
    - 温度范围考虑: 特别是高温度环境下,监测 \( R{DS(on)} \) 的变化以维持稳定性能。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 与多种 PCB 尺寸兼容,适合不同应用场景。
    支持:
    - 提供详细的产品标记图及引脚分配信息。
    - 免费技术支持热线及官方网站,方便用户获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1: 设备启动时出现不稳定。
    - 解决方案: 检查栅极电阻是否合适,调整至最佳值。
    问题2: 高温下性能下降。
    - 解决方案: 确保有效的散热措施,避免温度过高影响性能。
    问题3: 使用过程中出现过热现象。
    - 解决方案: 根据热阻参数重新评估系统设计,确保足够的冷却空间。

    7. 总结和推荐



    总结

    :
    NTD4302 MOSFET 在诸多领域展示了卓越的性能,尤其在低阻抗和高效能方面表现突出。该器件非常适合用于电池供电的设备及需要高效率开关的应用场景。
    推荐:
    强烈推荐使用 NTD4302 MOSFET,特别是对于需要高效能、低功耗且具有良好温度适应性的应用场合。

NTD4302T4G参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Id-连续漏极电流 8.4A,68A
栅极电荷 80nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@ 20A,10V
最大功率耗散 1.04W(Ta),75W(Tc)
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.4nF@24V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.38mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

NTD4302T4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTD4302T4G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTD4302T4G NTD4302T4G数据手册

NTD4302T4G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.8211 ¥ 6.9383
10+ $ 0.7025 ¥ 5.9357
50+ $ 0.6794 ¥ 5.7405
100+ $ 0.596 ¥ 5.288
200+ $ 0.58 ¥ 5.1461
1000+ $ 0.549 ¥ 4.871
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