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NTTFS8D1N08HTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.2W(Ta),63W(Tc) 4V@ 80µA 23nC@ 10 V 1个N沟道 80V 8.3mΩ@ 16A,10V 1.45nF@20V 8WDFN 贴片安装
供应商型号: FL-NTTFS8D1N08HTAG
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTTFS8D1N08HTAG

NTTFS8D1N08HTAG概述

    高质量文章:NTTFS8D1N08H MOSFET 技术手册解析

    一、产品简介


    NTTFS8D1N08H 是一款由 onsemi(安森美半导体)生产的高性能 N 沟道屏蔽栅 MOSFET,采用先进的制造工艺技术。这款 MOSFET 具有高效率、低导通电阻(RDS(on))和出色的开关性能,是众多电源管理和电机驱动应用的理想选择。其主要功能包括高效电能转换、降低电磁干扰(EMI)、优化散热性能等。
    产品类型:
    - 类型:N 沟道屏蔽栅 MOSFET
    - 应用领域:
    - 初级 DC-DC 转换器
    - 同步整流(用于 DC-DC 和 AC-DC 转换器)
    - 电机驱动系统

    二、技术参数


    以下为该产品的关键技术参数摘要:
    | 参数名称 | 参数范围 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 (VGS) | ±20 | V |
    | 漏源电压 (VDS) | 80 | V |
    | 连续漏极电流 (ID) | 61 (TC=25°C),39 (TC=100°C) | A |
    | 最大导通电阻 (RDS(on)) | 8.3 mΩ @ VGS=10V, ID=16A | mΩ |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | 113 | mJ |
    | 工作温度范围 (TJ, TSTG) | -55 至 +150 | °C |
    其他特性:
    - 热阻(RJA):39°C/W
    - 封装形式:WDFN8(3.3x3.3 mm²,0.65 mm 引脚间距)
    - 遵循 RoHS 标准
    - 全部经过 100% 冲击耐受测试(UIL 测试)

    三、产品特点和优势


    1. 屏蔽栅技术:
    NTTFS8D1N08H 使用 onsemi 的屏蔽栅技术,可以有效降低开关损耗和噪声水平,同时保持优异的体二极管软度性能。这种设计显著提升了效率并降低了电磁干扰(EMI),使其成为高性能开关电源的理想选择。
    2. 低导通电阻 (RDS(on)):
    在 VGS=10V 下,RDS(on) 最低可达 6.4 mΩ;即使在 VGS=6V 下,RDS(on) 也仅为 9 mΩ,这使得其非常适合需要高效能源转换的应用场合。
    3. 高可靠性:
    该器件采用了稳健的封装设计(MSL1),能够适应广泛的工业和汽车环境条件。
    4. 优越的动态性能:
    其输入电容 (CISS)、输出电容 (COSS) 和反向转移电容 (CRSS) 均表现优秀,特别是在高频应用中具有显著优势。

    四、应用案例和使用建议


    NTTFS8D1N08H 的典型应用包括以下领域:
    1. DC-DC 转换器:作为初级 MOSFET 或同步整流元件使用,可显著提高整体系统的能效。
    2. 电机驱动:适用于驱动小型至中型电机,提供高电流密度与快速响应能力。
    3. 便携式电子设备:因其紧凑的封装和卓越的热管理能力,非常适合作为电池管理系统的核心组件。
    使用建议:
    - 在高功率密度设计中,合理规划 PCB 布局以避免寄生效应,如确保良好的接地连接和避免过长的走线。
    - 使用合适的栅极驱动电阻(如推荐值 2.5 Ω),以平衡开关速度和功耗。

    五、兼容性和支持


    该产品与多种电路拓扑结构兼容,支持直接替换传统器件,如硅基 MOSFET 或 IGBT。onsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线技术资源库、电话咨询和本地销售代表网络。此外,公司还提供全面的质量保证体系,确保长期稳定供应。

    六、常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些问题及解决方法:
    1. 问题:导通电阻异常增加
    原因:可能是焊接不良或长时间高温运行导致内部结构老化。
    解决方案:检查焊接质量并更换受损器件;注意运行温度限制。
    2. 问题:开关噪声过大
    原因:电路布局不合理或外接滤波不足。
    解决方案:优化 PCB 设计,加入滤波电容,减少回路面积。

    七、总结和推荐


    总体来看,NTTFS8D1N08H 是一款极具竞争力的 N 沟道屏蔽栅 MOSFET,凭借其低导通电阻、高效率、低噪声和高可靠性,在诸多领域展现出强大的优势。尤其是对于注重能效和电磁兼容性的现代电力电子应用而言,它是一个不可多得的选择。
    推荐指数:⭐⭐⭐⭐⭐
    强烈推荐用于要求高性能、高可靠性的工业和消费电子产品中。

NTTFS8D1N08HTAG参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.45nF@20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 80µA
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 3.2W(Ta),63W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 8.3mΩ@ 16A,10V
栅极电荷 23nC@ 10 V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 80V
通用封装 8WDFN
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTTFS8D1N08HTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTTFS8D1N08HTAG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTTFS8D1N08HTAG NTTFS8D1N08HTAG数据手册

NTTFS8D1N08HTAG封装设计

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