处理中...

首页  >  产品百科  >  NSBC123JPDXV6T5G

NSBC123JPDXV6T5G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 300µA,10mA 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 357mW 500nA 50V 100mA SOT-563-6 贴片安装 1.6mm*1.2mm*550μm
供应商型号: CY-NSBC123JPDXV6T5G
供应商:
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSBC123JPDXV6T5G

NSBC123JPDXV6T5G概述

    # Complementary Bias Resistor Transistors: Technical Overview

    产品简介


    Complementary Bias Resistor Transistors (BRTs) 包括MUN5335DW1、NSBC123JPDXV6 和 NSBC123JPDP6 系列,是集成了单个晶体管及其外部偏置电阻网络的半导体组件。它们设计用于替代传统电路中的分立器件和外部偏置电阻网络,从而简化电路设计,减少印刷电路板面积,并降低整体成本。

    技术参数


    以下是这些器件的关键技术规格:
    - 最大额定值:
    - 集电极-基极电压(VCBO):50 Vdc
    - 集电极-发射极电压(VCEO):50 Vdc
    - 集电极电流(连续):100 mA
    - 输入正向电压(VIN(fwd)):12 Vdc
    - 输入反向电压(VIN(rev)):5 Vdc
    - 典型电气特性(TA = 25°C):
    - 截止时的集电极-基极泄漏电流(VCB = 50 V, IE = 0):100 nA
    - 截止时的集电极-发射极泄漏电流(VCE = 50 V, IB = 0):500 nA
    - 截止时的发射极-基极泄漏电流(VEB = 6.0 V, IC = 0):0.2 mA
    - 基极-发射极击穿电压(IC = 10 μA, IE = 0):50 Vdc
    - 饱和时的集电极-发射极电压(IC = 5.0 mA, VCE = 10 V):80 至 140
    - 饱和时的输出电压(VCC = 5.0 V, VB = 2.5 V, RL = 1.0 kΩ):0.2 Vdc
    - 输入电阻 R1:2.2 kΩ
    - 电阻比 R1/R2:0.047

    产品特点和优势


    这些互补偏置电阻晶体管具备以下特点和优势:
    - 简化电路设计:集成偏置电阻网络减少了外部分立元件的数量,简化了设计过程。
    - 减少板面积:紧凑的封装设计显著降低了PCB的占用空间。
    - 降低成本:通过减少元件数量和简化设计,有效地降低了总体系统成本。
    - 汽车和其他特殊应用认证:S和NSV前缀型号符合AEC-Q101标准,并且是PPAP合格的。
    - 环保特性:无铅、无卤化物/无BFR,符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    这些BRT器件广泛应用于消费电子、工业控制等领域,具体应用场景如下:
    - 消费电子:作为电源管理模块的一部分,用于控制各种负载的开关状态。
    - 工业控制:作为继电器驱动器,用于驱动高功率负载。
    使用建议
    - 在高频应用中,应注意选择适当的输入电阻以避免不必要的功耗。
    - 设计时需考虑热管理,确保在极端温度条件下正常工作。

    兼容性和支持


    - 这些器件支持SOT-363、SOT-563和SOT-963封装,便于集成到现有设计中。
    - 制造商提供全面的技术支持和售后服务,包括详尽的文档和专业的技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定正确的输入电阻?
    - 解决方案:参考技术手册中的输入电阻推荐值,并结合具体应用需求进行选择。

    - 问题:如何进行热管理?
    - 解决方案:根据热阻参数计算最大功耗,并采取适当的散热措施如添加散热片或风扇。

    总结和推荐


    综上所述,Complementary Bias Resistor Transistors凭借其简化电路设计、节省空间和成本的优势,在众多应用场景中展现出卓越的表现。无论是对于消费电子还是工业控制领域的应用,它们都是理想的选择。强烈推荐在相关项目中采用这些高效的晶体管器件。

NSBC123JPDXV6T5G参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
配置
集电极电流 100mA
VCBO-最大集电极基极电压 -
晶体管类型 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
最大功率耗散 357mW
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 300µA,10mA
VEBO-最大发射极基极电压 -
集电极截止电流 500nA
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 0.3mA @ 10mA
长*宽*高 1.6mm*1.2mm*550μm
通用封装 SOT-563-6
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSBC123JPDXV6T5G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSBC123JPDXV6T5G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSBC123JPDXV6T5G NSBC123JPDXV6T5G数据手册

NSBC123JPDXV6T5G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ $ 0.0425 ¥ 0.359
5000+ $ 0.0425 ¥ 0.359
库存: 83781
起订量: 2786 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1000
合计: ¥ 359
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
12A01C-TB-E ¥ 0.4112
13001 T ¥ 0.0748
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AUA ¥ 310.2704
2N2222AUA ¥ 202.4755
2N2222AUB ¥ 299.5964
2N2222AUB ¥ 54.6442
2N2222AUB ¥ 0