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NTJS3157NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1W(Ta) 8V 1V@ 250µA 15nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 60mΩ@ 4A,4.5V 3.2A 500pF@10V SOT-363 贴片安装 2mm*1.25mm*900μm
供应商型号: UA-NTJS3157NT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTJS3157NT1G

NTJS3157NT1G概述


    产品简介


    产品类型: NTJS3157N 是一款单个N沟道增强型Trench MOSFET(MOS场效应晶体管)。
    主要功能:
    - 高效低阻抗(低RDS(ON))
    - 快速开关速度
    - 小巧的SC-88封装(2 x 2 mm),适用于高密度电路板设计
    应用领域:
    - DC-DC转换器
    - 低端负载开关
    - 手机、计算机、数码相机、MP3播放器和PDA等消费电子产品

    技术参数


    电气特性:
    - 漏源电压(VDSS):20 V
    - 栅源电压(VGS):±8.0 V
    - 连续漏极电流(TJ = 25 °C):3.2 A
    - 脉冲漏极电流(tp = 10 μs):10 A
    - 最大功率耗散(TJ = 25 °C):1.0 W
    工作环境:
    - 工作温度范围(TJ, TSTG):−55 to 150 °C
    - 引脚焊接温度(TL):260 °C
    热阻参数:
    - 结至环境热阻(稳态)(RJA):125 °C/W
    - 结至引脚热阻(稳态)(RJL):45 °C/W

    产品特点和优势


    独特功能和优势:
    - 低RDS(ON):采用先进的Trench技术,提供非常低的导通电阻,从而延长电池寿命。
    - 快速开关速度:减少开关损耗,提高电路效率。
    - 紧凑封装:SC-88封装只有2 x 2 mm大小,能够最大化电路板的利用率,非常适合空间受限的应用场景。
    - 无铅环保:该产品是无铅设计,符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - DC-DC转换器:在各种电源管理应用中,可以有效降低功耗并提高效率。
    - 低端负载开关:用于控制小型设备或模块中的电流,例如手机或数码相机中的充电电路。
    使用建议:
    - 确保在设计电路时考虑散热问题,特别是在高负载条件下,应使用足够的散热措施以避免过热。
    - 在高温环境下使用时,建议对电路进行额外的稳定性测试,确保长期可靠运行。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - NTJS3157N MOSFET与常见的SC-70-6封装具有相同的外形尺寸,易于更换现有电路中的器件。
    - 与多种微控制器和驱动电路兼容,适用于广泛的电子设备。
    厂商支持:
    - 供应商提供详细的文档和技术支持,包括产品规格书和应用指南。
    - 提供在线技术支持和全球销售网络,帮助用户解决问题和提供售后服务。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    1. 问题:无法达到预期的电流值
    - 解决方案: 检查电路连接是否正确,特别是栅极和源极的连接。如果一切正常,则可能需要重新校准电流检测电阻,或者考虑使用具有更高电流能力的MOSFET。
    2. 问题:电路过热
    - 解决方案: 检查散热措施是否到位,例如增加散热片或风扇。如果散热仍然不足,则可能需要优化电路布局或选择更高热阻特性的MOSFET。
    3. 问题:高频噪声
    - 解决方案: 确保良好的接地,并在栅极上添加适当的去耦电容。此外,尽量减少长走线带来的干扰,可使用更短的PCB走线。

    总结和推荐


    综合评估:
    NTJS3157N MOSFET凭借其高效的低RDS(ON)、快速开关速度和紧凑封装,在各种电子设备中表现出色。特别适合于便携式和紧凑型电子设备的应用。
    推荐:
    由于其优异的性能和广泛的适用性,强烈推荐此产品用于需要高效能和紧凑设计的场合。同时,供应商提供了丰富的文档和技术支持,使得开发过程更加顺畅。

NTJS3157NT1G参数

参数
栅极电荷 15nC@ 4.5 V
Id-连续漏极电流 3.2A
Vds-漏源极击穿电压 20V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
最大功率耗散 1W(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 500pF@10V
Rds(On)-漏源导通电阻 60mΩ@ 4A,4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 8V
长*宽*高 2mm*1.25mm*900μm
通用封装 SOT-363
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NTJS3157NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTJS3157NT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTJS3157NT1G NTJS3157NT1G数据手册

NTJS3157NT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 0.0795 ¥ 0.6662
9000+ $ 0.0773 ¥ 0.6474
18000+ $ 0.0736 ¥ 0.617
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起订量: 3000 增量: 3000
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