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FQD18N20V2TM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi 数字晶体管, DPAK封装, 贴片安装
供应商型号: FQD18N20V2TM
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQD18N20V2TM

FQD18N20V2TM概述

    FQD18N20V2 N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FQD18N20V2 是一种由安森美半导体(onsemi)生产的 N-Channel 增强模式功率 MOSFET,采用专有的平面条纹和 DMOS 技术制造。这种先进的 MOSFET 技术特别设计用于降低导通电阻(RDS(on)),并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。它适用于开关模式电源供应、主动式功率因数校正(PFC)和电子灯管镇流器等领域。

    2. 技术参数


    以下是 FQD18N20V2 的关键技术规格:
    - 基本参数
    - 最大漏源电压(VDS): 200 V
    - 最大连续漏电流(ID): 15 A
    - 最大导通电阻(RDS(on)): 140 mΩ (典型值)
    - 最大栅极充电量(Qg): 26 nC
    - 最大反向恢复电荷(Qrr): 1.0 μC
    - 最大栅极-源极电荷(Qgs): 5.6 nC
    - 最大栅极-漏极电荷(Qgd): 10 nC
    - 最大连续雪崩能量(EAS): 340 mJ
    - 最大重复雪崩能量(EAR): 8.3 mJ
    - 电气特性
    - 门阈电压(VGS(th)): 3.0 V 至 5.0 V
    - 输入电容(Ciss): 830 pF 至 1080 pF
    - 输出电容(Coss): 200 pF 至 260 pF
    - 反向转移电容(Crss): 25 pF 至 33 pF
    - 热特性
    - 结到外壳的热阻(RθJC): 1.5 °C/W
    - 结到环境的热阻(RθJA): 110 °C/W
    - 存储温度范围
    - 存储温度(TSTG): -55°C 至 +150°C
    - 工作温度范围
    - 最高结温(TJ): -55°C 至 +150°C
    - 最大焊料温度(TL): 300°C (距引脚 1/8 英寸处)

    3. 产品特点和优势


    FQD18N20V2 具备以下独特功能和优势:
    - 低导通电阻:导通电阻仅为 140 mΩ,有助于减少功耗,提高效率。
    - 低栅极充电量:典型值为 20 nC,降低开关损耗。
    - 低反向恢复电荷:典型值为 1.0 μC,减小开关过程中电压尖峰的影响。
    - 优越的开关性能:适用于高频开关应用。
    - 高可靠性:所有器件均经过 100% 雪崩测试,确保稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    FQD18N20V2 主要应用于以下几个领域:
    - 开关电源:在需要高效能和低损耗的应用中,如笔记本电脑充电器和服务器电源。
    - 主动式功率因数校正(PFC):用于提高电路的功率因数,减少谐波干扰。
    - 电子灯管镇流器:用于调节电子灯管的驱动电流,延长灯具寿命。
    使用建议:
    - 在高频率开关应用中,需注意散热管理,避免过热。
    - 使用大面积铜散热板可有效降低热阻,提高可靠性和性能。
    - 确保适当的栅极电阻,以防止振荡和误导通现象。

    5. 兼容性和支持


    FQD18N20V2 可与其他标准电源管理器件轻松集成。安森美半导体提供了详细的技术文档和支持服务,确保用户能够顺利集成并充分利用其功能。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:如何优化开关过程中的损耗?
    - 解决方案:使用大容量铜散热板和适当的栅极电阻,降低热阻和振荡风险。
    问题2:如何避免栅极-漏极间的高压尖峰?
    - 解决方案:使用钳位二极管来限制电压尖峰,保护器件不受损坏。
    问题3:如何确保器件在极端温度下的稳定性?
    - 解决方案:选择合适的热管理方案,如增加散热片面积或使用液冷系统。

    7. 总结和推荐


    综上所述,FQD18N20V2 是一款性能优异的 N-Channel MOSFET,具备低导通电阻、低栅极充电量和高可靠性等优势。它适用于多种高频开关应用,尤其在电源管理和照明控制领域表现出色。推荐在追求高效能和低损耗的应用中使用此器件。对于有严苛环境要求的应用,安森美半导体提供的技术支持将帮助您充分发挥其潜力。

FQD18N20V2TM参数

参数
最大功率耗散 2.5W(Ta),83W(Tc)
栅极电荷 26nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 200V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.08nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Id-连续漏极电流 15A
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 140mΩ@ 7.5A,10V
配置 独立式
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.52mm(Max)
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FQD18N20V2TM厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQD18N20V2TM数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM数据手册

FQD18N20V2TM封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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630+ ¥ 8.2392
1250+ ¥ 7.9909
2500+ ¥ 4.7399
12500+ ¥ 4.6448
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