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BFR30LT1

产品分类: 结型场效应管(JFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 225mW 5V@ 0.5 nA 1个N沟道 25V 10mA 4mA 独立式 5pF@10V SOT-23-3,TO-236 贴片安装
供应商型号: LDL-BFR30LT1
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 结型场效应管(JFET) BFR30LT1

BFR30LT1概述

    # BFR30LT1/BFR31LT1 N-Channel JFET Amplifiers 技术手册解析

    产品简介


    BFR30LT1 和 BFR31LT1 是来自 Semiconductors Components Industries 的 N-通道 JFET(结型场效应晶体管)放大器。这类电子元器件广泛应用于射频电路、信号调理、噪声过滤及通信系统等领域。它们具有低噪声系数和高增益的特点,是构建精密模拟电路的理想选择。此外,此产品提供无铅封装选项,符合环保要求。

    技术参数


    以下是这些产品的关键技术参数:
    | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏极-源极电压 25 | Vdc |
    | 栅极-源极电压 25 | Vdc |
    | 关断栅极电流 0.2 | nA |
    | 关断电压 | 无 | -5.0 | Vdc |
    | 零门极电压漏极电流 | 1.0 | 10.0 | mA |
    | 噪声系数 1.5 | dB |
    | 输出导纳 | 15 | 40 | µS |
    | 输入电容 5.0 | pF |
    | 反向传输电容 1.5 | pF |
    此外,它们的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,并且在 TA = 25°C 时的热阻 RθJA = 556°C/W(FR4 基板)。

    产品特点和优势


    独特功能:
    1. 低噪声设计:极低的噪声系数使其适用于高灵敏度信号处理。
    2. 高可靠性:无铅封装设计,满足环保标准,同时保证长期稳定运行。
    3. 多功能应用:适合用于多种射频电路和通信系统的设计。
    4. 宽工作温度范围:适应严苛环境条件下的应用需求。
    市场竞争力:
    - 在同类 JFET 放大器中,BFR30LT1/BFR31LT1 提供更高的性能性价比。
    - 其无铅封装选项增强了环保性能,同时提升了用户友好度。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 射频信号接收与放大
    - 高精度测量仪器
    - 无线通信模块
    - 医疗电子设备的前置放大器
    使用建议:
    1. 散热管理:由于其高功耗密度(RθJA = 556°C/W),建议在高功率应用中增加散热片或采用更大的 PCB 板。
    2. 电路设计优化:通过使用阻抗匹配网络,最大化放大器的效率和信号传输性能。
    3. 静电防护:操作过程中需注意防止静电放电对设备造成的损害。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - BFR30LT1/BFR31LT1 可直接替换市场上其他常见的 N-通道 JFET 放大器。
    - 支持主流印刷电路板设计工具和自动化贴装设备。
    厂商支持:
    - 提供全面的技术文档和技术支持。
    - 可通过官方网站(www.onsemi.com)获取详尽的产品资料和更新信息。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 放大器输出噪声过大 | 检查电路接地是否良好,尝试调整阻抗匹配。 |
    | 温度过高导致性能下降 | 改善散热措施,如加装散热片或优化 PCB 设计。 |
    | 无法正常工作 | 确认供电电压是否符合要求,并检查接线是否正确。 |

    总结和推荐


    综合评估:
    BFR30LT1/BFR31LT1 是一款高性能、高可靠性的 N-通道 JFET 放大器,非常适合用于对噪声敏感的射频和模拟电路设计。其无铅封装选项、宽工作温度范围和高增益特性使其在市场上具备较强的竞争力。
    推荐结论:
    对于需要低噪声放大和高可靠性应用的用户,强烈推荐选用 BFR30LT1/BFR31LT1。此外,结合良好的散热设计和阻抗匹配策略,可进一步提升其性能表现。

BFR30LT1参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 0.5 nA
Vds-漏源极击穿电压 25V
Idss-不同Vds(Vgs=0)时的漏极电流 4mA
通道数量 -
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率 225mW
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5pF@10V
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 10mA
通用封装 SOT-23-3,TO-236
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

BFR30LT1厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

BFR30LT1数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 结型场效应管(JFET) ON SEMICONDUCTOR BFR30LT1 BFR30LT1数据手册

BFR30LT1封装设计

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