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NDF06N60ZG-001

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 35W 30V 3V 47nC 1个N沟道 600V 980mΩ 4.5A 923pF@ 25V TO-220FP-3 通孔安装
供应商型号: Q-NDF06N60ZG-001
供应商: 期货订购
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NDF06N60ZG-001

NDF06N60ZG-001概述

    NDF06N60Z N-Channel Power MOSFET

    1. 产品简介


    NDF06N60Z 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款 MOSFET 具备低导通电阻(RDS(on))、低栅极电荷和受 ESD 二极管保护的栅极。其主要应用领域包括电源转换器、电机驱动器和其他需要高效电力传输的应用。

    2. 技术参数


    NDF06N60Z 的技术参数如下:
    - 最大漏源电压 (VDSS): 600V
    - 连续漏电流 (ID): 7.1A (Rjc)
    - 脉冲漏电流 (IDM): 28A
    - 最大功率耗散 (PD): 35W
    - 最高栅源电压 (VGS): ±30V
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 113mJ
    - ESD (人体模型): 3000V
    - 最大峰值二极管恢复 (dv/dt): 4.5V/ns
    - MOSFET dv/dt: 60V/ns
    - 持续源电流 (IS): 6.0A

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻: NDF06N60Z 在 VGS = 10V 时的导通电阻 (RDS(on)) 最大为 1.2Ω,这使得它在高效率应用中表现出色。
    - 低栅极电荷: 其总栅极电荷 (Qg) 最大为 47nC,在高频开关应用中能减少功耗。
    - ESD 二极管保护: 通过内置的 ESD 二极管,可以有效防止静电对器件的损坏。
    - 100% 雪崩测试: 确保器件在极端条件下的可靠性。
    - 环保特性: 无铅、无卤素/溴化阻燃剂(BFR Free)并且符合 RoHS 标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源转换器: 在高效率的开关模式电源转换器中,NDF06N60Z 可以实现低损耗和高效率。建议使用散热片来提高热稳定性。
    - 电机驱动器: 用于电机驱动时,应注意避免过高的瞬态电流冲击,建议并联使用多个 MOSFET 以分担电流。
    - 其他应用: 如 UPS、逆变器等需要高可靠性的场合。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: NDF06N60Z 与现有的标准接口兼容,可以方便地替换传统 MOSFET。
    - 支持: ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和应用指南,确保用户能够快速上手。此外,还提供在线技术支持和客户服务热线。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何处理 MOSFET 的栅极过电压?
    - A: 使用栅极电阻 (Rg) 来限制栅极电流,或者使用专用的栅极驱动 IC。
    - Q: 如何优化散热?
    - A: 添加散热片或使用散热膏来提高热传导效率,确保 MOSFET 不超过最大允许温度。
    - Q: 如何选择合适的栅极电阻 (Rg)?
    - A: 根据实际应用中的电流和频率选择适当的 Rg 值,可以通过试错法确定最佳值。

    7. 总结和推荐


    总体来说,NDF06N60Z 是一款性能优异的 N 沟道功率 MOSFET,具备出色的导通电阻、低栅极电荷和高可靠性。它适用于多种高要求的电力转换应用,尤其是那些需要低损耗和高效率的应用场合。对于追求高性能和稳定性的工程师来说,这款 MOSFET 是一个非常值得推荐的选择。

NDF06N60ZG-001参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 47nC
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 980mΩ
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Id-连续漏极电流 4.5A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 923pF@ 25V
通道数量 1
最大功率耗散 35W
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 600V
10.3mm(Max)
4.7mm(Max)
15.3mm(Max)
通用封装 TO-220FP-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

NDF06N60ZG-001厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NDF06N60ZG-001数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NDF06N60ZG-001 NDF06N60ZG-001数据手册

NDF06N60ZG-001封装设计

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