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NVTFS002N04CLTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.2W(Ta),85W(Tc) 20V 2V@ 90µA 49nC@ 10 V 1个N沟道 40V 2.2mΩ@ 50A,10V 28A,142A 2.94nF@25V DFN-8 贴片安装
供应商型号: 3616762
供应商: 海外现货
标准整包数: 1500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFS002N04CLTAG

NVTFS002N04CLTAG概述

    MOSFET – Power, Single N-Channel (NVTFS002N04CL)

    1. 产品简介


    NVTFS002N04CL是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它主要适用于各种电源管理和控制应用,如开关电源、电机驱动和电池管理系统。这种MOSFET具有紧凑的设计,小封装尺寸和高可靠性,使其成为多种现代电子设备的理想选择。

    2. 技术参数


    - 电压参数:
    - Drain-to-Source Voltage (VDSS): 40 V
    - Zero Gate Voltage Drain Current (IDSS): ±10 μA @ VGS=0 V, VDS=40 V
    - 电流参数:
    - Continuous Drain Current (ID): 142 A @ TC=25°C, 80 A @ TC=100°C
    - Single Pulse Drain-to-Source Avalanche Energy (EAS): 268 mJ
    - Source Current (IS): 70.4 A
    - 电阻参数:
    - Drain-to-Source On Resistance (RDS(on)): 2.2 mΩ @ VGS=10 V, ID=50 A; 3.5 mΩ @ VGS=4.5 V, ID=50 A
    - 热阻参数:
    - Junction-to-Case Thermal Resistance (RJC): 1.8 °C/W
    - Junction-to-Ambient Thermal Resistance (RJA): 46.5 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 紧凑设计:3.3 x 3.3 mm的小尺寸封装,适合空间受限的应用。
    - 低导通电阻:RDS(on)仅2.2 mΩ @ VGS=10 V, ID=50 A,有助于降低功耗和提高效率。
    - 低电容:输入电容(Ciss)为2940 pF,输出电容(Coss)为1260 pF,有助于减小驱动损耗。
    - 认证:符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力。
    - 环保材料:无铅、符合RoHS标准。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源
    - 电机驱动
    - 电池管理系统
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,建议将MOSFET安装在具有良好散热条件的环境中。
    - 避免长时间大电流脉冲操作,以免损坏MOSFET。
    - 使用前请仔细阅读数据手册中的热管理和电气特性部分,确保正确的连接和使用方法。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:此MOSFET支持标准的WDFN8 (3.3 x 3.3 mm) 封装,可与其他同类产品轻松替换。
    - 支持:厂商提供详尽的技术文档和在线支持,确保客户在使用过程中能够获得充分的帮助和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何避免MOSFET过热?
    - 解决办法:使用适当的散热措施,例如添加散热片或风扇,并确保良好的气流。

    - 问题2:MOSFET工作不稳定,原因是什么?
    - 解决办法:检查电路连接是否正确,确保所有电气参数在规定的范围内,如有必要,请参考数据手册重新调整参数。

    7. 总结和推荐


    NVTFS002N04CL MOSFET凭借其紧凑的设计、低导通电阻和高可靠性,在多种电力管理和控制应用中表现出色。其独特的特性使其在市场竞争中占据优势。总的来说,这是一款值得推荐的产品,适合需要高效能、可靠性的应用场合。

NVTFS002N04CLTAG参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
最大功率耗散 3.2W(Ta),85W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.94nF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 49nC@ 10 V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.2mΩ@ 50A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 90µA
Id-连续漏极电流 28A,142A
通用封装 DFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVTFS002N04CLTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFS002N04CLTAG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVTFS002N04CLTAG NVTFS002N04CLTAG数据手册

NVTFS002N04CLTAG封装设计

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