处理中...

首页  >  产品百科  >  NVMFS6H800NLT1G

NVMFS6H800NLT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.9W(Ta),214W(Tc) 20V 2V@ 330µA 112nC@ 10 V 1个N沟道 80V 1.9mΩ@ 50A,10V 30A,224A 6.9nF@40V SO 贴片安装
供应商型号: NVMFS6H800NLT1G
供应商: 国内现货
标准整包数: 1500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS6H800NLT1G

NVMFS6H800NLT1G概述

    NVMFS6H800NL Power MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    NVMFS6H800NL是一款单通道N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效能设计而优化。它的主要功能是作为开关器件,广泛应用于电源管理、电机驱动、汽车电子等领域。
    - 产品类型: 单通道N沟道功率MOSFET
    - 主要功能: 作为高效开关器件用于电源管理和控制电路
    - 应用领域: 电源管理、电机驱动、汽车电子、消费电子产品

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极至源极电压 | VDSS 80 | V |
    | 门极至源极电压 | VGS | ±20 V |
    | 持续漏极电流 | ID | 224 158 | A |
    | 功率耗散 | PD | 214 107 | W |
    | 脉冲漏极电流 | IDM 900 | A |
    | 零门极电压漏极电流 | IDSS | 10 250 | µA |
    | 门极至源极漏电流 | IGSS 100 | nA |
    | 开启电阻 | RDS(on) | 1.5 | 1.9 | 2.4 | mΩ |
    | 输入电容 | CISS | 6900 pF |
    | 输出电容 | COSS | 800 pF |
    | 逆向转移电容 | CRSS | 22 pF |
    | 总栅极电荷 | QG(TOT) | 112 nC |
    | 开关延迟时间 | td(ON) | 20 ns |
    | 上升时间 | tr | 153 ns |
    | 关断延迟时间 | td(OFF) | 118 ns |
    | 下降时间 | tf | 163 ns |

    3. 产品特点和优势


    - 小体积: 采用5x6mm封装,适合紧凑设计。
    - 低导通电阻: 降低导通损耗。
    - 低栅极电荷: 减少驱动损耗。
    - 湿包覆翼选项: 增强光学检测。
    - AEC-Q101认证: 符合汽车电子标准。
    - 无铅、符合RoHS: 环保设计。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源管理: 适用于高频转换器、DC-DC变换器,由于其低RDS(on),可以显著减少热损失。
    - 电机驱动: 可以在电机控制应用中实现更高效的电流切换。
    - 汽车电子: 适用于车身控制模块、车载充电器等,AEC-Q101认证确保其可靠性。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需要特别注意散热,避免超过最大允许温度。
    - 在进行PWM调制时,应注意栅极驱动波形的质量,以减少开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与其他符合SO-8FL标准的封装兼容。
    - 支持: 提供详尽的技术文档、样品及技术支持,涵盖全球范围内的客户服务。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 检查栅极驱动电路,确保信号质量。 |
    | 导通电阻异常 | 检查焊接质量和散热条件。 |
    | 门极泄露电流高 | 更换器件或检查电路板上的静电防护措施。 |

    7. 总结和推荐


    NVMFS6H800NL凭借其小巧的设计、低损耗、高可靠性等特点,在多种应用场合中表现出色。对于要求高性能和高可靠性的应用场景,推荐使用此产品。同时,其AEC-Q101认证使其成为汽车电子领域的理想选择。建议在具体项目中仔细验证产品的性能参数,并根据应用需求选择合适的操作条件。

NVMFS6H800NLT1G参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 330µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.9nF@40V
配置 独立式
栅极电荷 112nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 3.9W(Ta),214W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 1.9mΩ@ 50A,10V
Vds-漏源极击穿电压 80V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 30A,224A
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS6H800NLT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS6H800NLT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS6H800NLT1G NVMFS6H800NLT1G数据手册

NVMFS6H800NLT1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1500+ ¥ 26.916
4500+ ¥ 23.1634
库存: 16991
起订量: 1500 增量: 0
交货地:
最小起订量为:1500
合计: ¥ 40374
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336