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NTD24N06LT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 24 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: AV-S-ONSNTD24N06LT4G
供应商: Avnet
标准整包数: 2500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTD24N06LT4G

NTD24N06LT4G概述


    产品简介


    NTD24N06L 和 STD24N06L 是一款由 Semiconductor Components Industries, LLC 设计的高性能 N 沟道逻辑电平功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这类 MOSFET 专门设计用于低电压高频率开关应用,例如电源供应、转换器、电机控制以及桥式电路。这些 MOSFET 在电源管理和控制方面表现出色,广泛应用于工业自动化、通信设备、汽车电子等领域。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压(最大) | 60 | Vdc |
    | 漏极-栅极电压(最大) | 60 | Vdc |
    | 栅极-源极电压(连续) | -15 | Vdc |
    | 栅极-源极电压(非重复) | -20 | Vdc |
    | 连续漏极电流(TA=25°C) | 24 | Adc |
    | 连续漏极电流(TA=100°C) | 10 | Adc |
    | 单脉冲漏极电流(最大) | 72 | Adc |
    | 总耗散功率(TA=25°C) | 62.5 | W |
    | 最大结温 | 175 | °C |
    | 单脉冲雪崩能量(TJ=25°C) | 162 | mJ |

    产品特点和优势


    NTD24N06L 和 STD24N06L 的主要优势在于其优异的开关性能和可靠性。它们采用无铅技术和符合RoHS标准的封装材料,确保了产品的环保性和可靠性。此外,这些 MOSFET 符合AEC-Q101标准并具备PPAP能力,特别适用于汽车及其他需要特定场地和控制变更要求的应用。它们在高频率下的稳定性和低导通电阻(典型值为0.036 Ω),使其成为高效电源管理的理想选择。

    应用案例和使用建议


    NTD24N06L 和 STD24N06L 广泛应用于电源供应、转换器、电机控制以及桥式电路。在实际应用中,它们可以显著提高系统效率和可靠性。例如,在电源供应系统中,这些 MOSFET 可以实现高效的直流-直流转换,减少能耗。使用建议包括:
    - 确保电路中的栅极电阻适配,避免过高的开关损耗。
    - 在设计过程中,考虑外部散热措施,确保 MOSFET 在高温环境下也能保持良好的性能。

    兼容性和支持


    这些 MOSFET 采用 DPAK 表面贴装封装,可以与多种电路板材料和焊接工艺兼容。制造商提供详尽的技术支持,包括详细的订购信息和产品文档,确保用户能够轻松集成和使用这些组件。此外,制造商还提供了针对具体应用场景的支持服务,帮助用户优化设计和提升系统性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备无法正常启动
    - 解决方案: 检查栅极驱动电压是否正确设置,确保其在 5.0Vdc 左右。如果栅极驱动不足,可能需要增加栅极驱动电阻或提高驱动电压。
    2. 问题:设备温度过高
    - 解决方案: 检查电路板的散热设计,确保 MOSFET 能够得到充分冷却。可以通过增加散热片或改善空气流动来降低设备温度。
    3. 问题:设备在高电流下出现故障
    - 解决方案: 检查负载电流是否超过了 MOSFET 的额定值。如果超过额定值,可以考虑使用更高额定值的 MOSFET 或者增加限流保护电路。

    总结和推荐


    总体而言,NTD24N06L 和 STD24N06L 在性能和可靠性方面表现出色,特别适合于低电压高频率的应用场合。其卓越的开关性能和出色的温度稳定性使其成为电源管理系统的理想选择。对于需要高性能和可靠性的应用,强烈推荐使用这些 MOSFET。

NTD24N06LT4G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
最大功率耗散 1.36W(Ta),62.5W(Tj)
Id-连续漏极电流 24A
栅极电荷 32nC@ 5 V
配置 独立式
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.14nF@25V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 15V
Rds(On)-漏源导通电阻 45mΩ@ 10A,5V
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.51mm(Max)
通用封装 DPAK
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NTD24N06LT4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTD24N06LT4G数据手册

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NTD24N06LT4G封装设计

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7500+ $ 0.4077 ¥ 3.6084
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