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NTTFS6H850NTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 68 A, WDFN封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: NTTFS6H850NTAG
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTTFS6H850NTAG

NTTFS6H850NTAG概述

    # NTTFS6H850N MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NTTFS6H850N是一款单个N沟道增强型MOSFET,主要应用于电源管理和电力控制领域。它的额定电压为80V,最大连续漏极电流为68A。该器件具有体积小、低导通电阻等特点,非常适合用于紧凑设计和需要高效率的应用场合。

    技术参数


    额定值
    - 漏源击穿电压 \( V{DSS} \): 80V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 最大连续漏极电流(\( TC = 25^\circ C \)):68A
    - 最大连续漏极电流(\( TC = 100^\circ C \)):48A
    - 最大功率耗散(\( TA = 25^\circ C \)):107W
    - 最大脉冲漏极电流(\( TA = 25^\circ C, tp = 10\mu s \)):300A
    - 工作结温和存储温度 \( T{J}, T{stg} \): -55°C 到 +175°C
    导电特性
    - 开启电压 \( V{GS(TH)} \): 2.0V ~ 4.0V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 10V, ID = 10A \): 9.5mΩ
    - \( V{GS} = 6V, ID = 10A \): 13mΩ ~ 17mΩ
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1140pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 175pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 10pF
    - 输出电荷 \( Q{oss} \): 25nC
    开关特性
    - 开启延时时间 \( td(on) \): 11ns
    - 上升时间 \( tr \): 32ns
    - 关闭延时时间 \( td(off) \): 34ns
    - 下降时间 \( tf \): 8.0ns

    产品特点和优势


    NTTFS6H850N的主要优势在于其小尺寸(3.3x3.3mm)和低导通电阻(最低可达9.5mΩ),这些特点使其成为高效能设计的理想选择。此外,该器件符合RoHS标准,采用无铅封装,更加环保。较低的栅极电容和输出电容也有助于降低驱动损耗,进一步提高系统的效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NTTFS6H850N广泛应用于电源管理、DC-DC转换器和电池管理系统等场景。由于其高电流承载能力和良好的热稳定性,它也非常适合用于高压驱动电路。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,应注意最大允许的工作电流和功率消耗,避免因过热导致的可靠性问题。
    - 为了减少开关损耗,建议在设计中优化PCB布局,减少寄生电感和电容。
    - 在系统集成过程中,应确保所有电气连接点的可靠性,特别是引脚间的连接,以防止接触不良。

    兼容性和支持


    NTTFS6H850N与大多数标准电源管理电路和控制系统兼容。对于技术问题和产品支持,用户可以通过电话或邮件联系ON Semiconductor的技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 在高温环境下器件温度过高。
    - 解决方案: 优化散热设计,增加散热片或使用水冷方式散热。
    2. 问题: 开关过程中出现振铃现象。
    - 解决方案: 使用适当的门极电阻,优化门极驱动电路。
    3. 问题: 漏电流过大。
    - 解决方案: 确保正确的门极驱动电压,以减小漏电流。

    总结和推荐


    总体而言,NTTFS6H850N是一款高性能、高可靠性的MOSFET器件,适用于各种电力电子应用。其小尺寸、低导通电阻和低栅极电容的特点,使其在多种应用场景中表现出色。强烈推荐此产品给对高效能和紧凑设计有需求的客户。

NTTFS6H850NTAG参数

参数
通道数量 1
栅极电荷 19nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 80V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 70µA
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 11A,68A
Rds(On)-漏源导通电阻 9.5mΩ@ 10A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.14nF@40V
最大功率耗散 3.2W(Ta),107W(Tc)
长*宽*高 3.15mm(长度)
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTTFS6H850NTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTTFS6H850NTAG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTTFS6H850NTAG NTTFS6H850NTAG数据手册

NTTFS6H850NTAG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 11.3403
380+ ¥ 11.0002
750+ ¥ 10.6702
1500+ ¥ 3.6302
7500+ ¥ 3.5575
库存: 1210
起订量: 50 增量: 0
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