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NTMFD5C650NLT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.5W 20V 2.2V@ 98µA 37nC@ 10V 2个N沟道 60V 4.2mΩ@ 20A,10V 21A,111A 2.546nF@25V DFN-8 贴片安装
供应商型号: 863-NTMFD5C650NLT1G
供应商: Mouser
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFD5C650NLT1G

NTMFD5C650NLT1G概述

    电子元器件产品技术手册:NTMFD5C650NL MOSFET

    1. 产品简介


    NTMFD5C650NL 是一款由 ON Semiconductor 公司设计生产的双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET,额定电压为 60V,最大连续电流为 111A(在 TC=25°C 下),并具备出色的低导通电阻(RDS(on))。该产品以其紧凑的设计和卓越的性能,广泛应用于开关电源(SMPS)、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。
    主要功能包括高效率的电流控制能力及快速开关速度,支持多种高频和大电流应用需求。同时,其无铅、无卤素及符合 RoHS 标准的特点使其成为环保型电子设备的理想选择。

    2. 技术参数


    以下是 NTMFD5C650NL 的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源击穿电压 | V(BR)DSS | - | 60 | - | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 3.5 | 4.2 | 5.8 | mΩ |
    | 持续漏极电流 | ID | 111 | - | - | A |
    | 热阻 | RJA/RJC | 46.9 | - | - | °C/W |
    | 驱动电荷 | QG(TOT) | 16 | - | 37 | nC |
    | 门限电压 | VGS(TH) | 1.2 | - | 2.2 | V |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 175 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 小尺寸封装:采用 5x6 mm 的紧凑封装设计,适合小型化电路板设计。
    - 低导通电阻:RDS(on) 仅为 4.2 mΩ,显著降低导通损耗,提高能效。
    - 低驱动损耗:总驱动电荷 QG(TOT) 仅为 16 nC(VGS=4.5V),适合高频应用。
    - 绿色环保:无铅、无卤素设计,且符合 RoHS 规范。
    - 卓越的可靠性:具有抗脉冲能力强的雪崩耐受特性。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用:
    - 开关电源(SMPS):作为主开关管使用,能够处理大电流负载。
    - DC-DC 转换器:适合作为同步整流器,显著减少能量损耗。
    - 驱动电机:用于高效控制电动机的正反转及调速。
    使用建议:
    1. 在高频率切换应用中,可考虑添加适当的栅极电阻以减少瞬态干扰。
    2. 设计时注意散热问题,确保有效导热路径,避免因过热导致性能下降。
    3. 使用时建议保持 VGS 电压在 4.5V 至 10V 之间,以实现最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    NTMFD5C650NL 可与其他主流 MOSFET 或相关控制器无缝配合,适用于标准焊接工艺。ON Semiconductor 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的产品文档、测试报告及在线技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中产生异常噪声 | 检查 PCB 布局,增加旁路电容和去耦电容。 |
    | 导通电阻偏高 | 确保 VGS 大于阈值电压,调整驱动电路。 |
    | 设备过热 | 改善散热设计,增加散热片或风扇辅助降温。 |

    7. 总结和推荐


    NTMFD5C650NL 是一款高性能、低功耗的 N 沟道 MOSFET,凭借其优异的电气特性和紧凑的设计,在电源管理及电机控制领域表现出色。建议优先选用此产品用于需要高效率和可靠性的应用场景。总体而言,这款 MOSFET 完全满足当前市场需求,并具有极高的推荐价值。

NTMFD5C650NLT1G参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 98µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.546nF@25V
通道数量 2
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 37nC@ 10V
Id-连续漏极电流 21A,111A
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
配置
最大功率耗散 3.5W
Rds(On)-漏源导通电阻 4.2mΩ@ 20A,10V
通用封装 DFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFD5C650NLT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFD5C650NLT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFD5C650NLT1G NTMFD5C650NLT1G数据手册

NTMFD5C650NLT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 2.714 ¥ 22.9333
10+ $ 1.955 ¥ 16.5197
100+ $ 1.458 ¥ 12.3201
500+ $ 1.2204 ¥ 10.3124
1000+ $ 1.0541 ¥ 8.907
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