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NSVDTC113EM3T5G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 5mA,10mA NPN - Pre-Biased 600W 500nA 50V 100mA SOT-723 贴片安装 1.2mm*800μm*500μm
供应商型号: FL-NSVDTC113EM3T5G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVDTC113EM3T5G

NSVDTC113EM3T5G概述


    产品简介


    本系列数字晶体管(Bias Resistor Transistor, BRT)是为替代单个器件及其外部电阻偏置网络而设计的。BRT 包含一个带有两个集成电阻(串联基极电阻和基极-发射极电阻)的单个晶体管。BRT 通过将这些独立组件集成到单个器件中,减少了系统成本和电路板空间。
    主要功能
    - 集成基极电阻和发射极-基极电阻
    - 简化电路设计
    - 减少组件数量
    - 支持汽车和特定应用需求(如 AEC-Q101 认证)
    应用领域
    - 汽车电子
    - 工业控制
    - 通信设备
    - 消费电子

    技术参数


    以下是从手册中提取的技术规格和性能参数:
    - 最大额定值
    - 集电极-基极电压:50 Vdc
    - 集电极-发射极电压:50 Vdc
    - 集电极电流:100 mA (连续)
    - 输入正向电压:10 Vdc
    - 输入反向电压:10 Vdc
    - 热特性
    - 在 TA=25°C 时的总器件耗散功率:根据不同封装范围在 200 mW 到 260 mW 之间
    - 结到环境的热阻:根据不同封装范围在 287 °C/W 到 618 °C/W 之间
    - 结温范围:-55°C 至 +150°C
    - 电气特性
    - 集电极-基极截止电流(VCB = 50 V,IE = 0):100 nAdc
    - 集电极-发射极截止电流(VCE = 50 V,IB = 0):500 nAdc
    - 基极-发射极截止电流(VEB = 6.0 V,IC = 0):4.3 mAdc
    - 直流电流增益(IC = 5.0 mA,VCE = 10 V):3.0 - 5.0
    - 输出电压(开启,VCC = 5.0 V,VB = 2.5 V,RL = 1.0 kΩ):0.2 Vdc

    产品特点和优势


    1. 简化电路设计:通过集成基极和发射极-基极电阻,减少外围元件。
    2. 减少板级空间:紧凑封装设计适合高密度布线。
    3. 降低成本:减少外部电阻,降低总体物料清单成本。
    4. 汽车和特殊应用支持:AEC-Q101 认证和 PPAP 能力。
    5. 环保材料:无铅、卤素/溴类阻燃剂自由及 RoHS 合规。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 汽车传感器:集成到车载传感器模块中,用于信号放大和处理。
    - 工业自动化:用于工厂自动化控制系统,提升系统的可靠性和响应速度。
    - 消费电子产品:适用于各种便携式电子设备,如手机充电器和智能家居设备。
    使用建议
    1. 温度管理:确保良好的散热,特别是在高电流和高温环境下。
    2. 信号完整性:在高频率应用中使用适当的滤波器以保持信号完整性。
    3. 连接设计:考虑基极、集电极和发射极的连接方式,确保稳定可靠的工作状态。

    兼容性和支持


    该产品与其他电子元器件具有良好的兼容性,尤其适合汽车和工业自动化领域的应用。厂商提供全面的技术支持,包括 PPAP 和 AEC-Q101 认证,以确保产品的质量和可靠性。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:高温下器件过热。
    - 解决方案:增加散热片或使用更大面积的铜散热片以提高热传导效率。
    2. 问题:噪声干扰。
    - 解决方案:使用滤波电容并确保接地良好。
    3. 问题:接插不稳定。
    - 解决方案:检查焊接质量,确保所有连接牢固。

    总结和推荐


    该产品是一款高度集成的数字晶体管,显著简化了电路设计,减少了板级空间和成本。特别适用于汽车和工业自动化应用,具备良好的性能和可靠性。因此,强烈推荐在上述应用场景中使用此产品。

NSVDTC113EM3T5G参数

参数
VCBO-最大集电极基极电压 -
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 5mA,10mA
集电极截止电流 500nA
集电极电流 100mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 5mA,10mA
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
配置 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
VEBO-最大发射极基极电压 -
最大功率耗散 600W
长*宽*高 1.2mm*800μm*500μm
通用封装 SOT-723
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSVDTC113EM3T5G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVDTC113EM3T5G数据手册

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NSVDTC113EM3T5G封装设计

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