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NTDV3055L104T4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.5W(Ta) 15V 2V@ 250µA 20nC@ 5 V 1个N沟道 60V 104mΩ@ 6A,5V 12A 440pF@25V TO-252 贴片安装
供应商型号: 488-NTDV3055L104T4GTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTDV3055L104T4G

NTDV3055L104T4G概述


    产品简介


    NTD3055L104 和 NTDV3055L104 是由 Semiconductor Components Industries 设计的低电压、高开关速度的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些器件是 N 沟道逻辑电平器件,具有 DPAK/IPAK 封装形式。它们广泛应用于电源供应器、转换器、电机控制和桥式电路中,适用于低电压高速开关的应用场合。

    技术参数


    - 电压范围:
    - Drain-to-Source Voltage (VDSS): 60 Vdc
    - Gate-to-Source Voltage (VGS): ±15 Vdc(连续), ±20 Vdc(非重复性)

    - 电流参数:
    - Continuous Drain Current (ID): 12 A (TA=25°C), 10 A (TA=100°C)
    - Single Pulse Drain Current (IDM): 45 A

    - 功耗:
    - Total Power Dissipation: 48 W @ TA=25°C
    - Derate above 25°C: 0.32 W/°C
    - 温度范围:
    - Operating and Storage Temperature Range: -55°C to +175°C
    - 单脉冲雪崩能量:
    - Single Pulse Drain-to-Source Avalanche Energy (EAS): 61 mJ
    - 热阻:
    - Junction-to-Case Thermal Resistance (RJC): 3.13 °C/W
    - Junction-to-Ambient Thermal Resistance (RJA): 71.4 °C/W (Note 1), 100 °C/W (Note 2)
    - 最大焊接温度:
    - TL: 260°C

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:
    - 最小 RDS(on): 104 mΩ (TYP)
    - 具有更低的静态导通电阻,有助于提高能效。

    2. 更短的恢复时间:
    - 反向恢复时间 (trr): 35 ns
    - 降低反向恢复存储电荷,减少开关损耗。

    3. 紧凑规格:
    - 符合 AEC-Q101 标准,且具备 PPAP 能力,特别适合汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用。

    4. 无铅和 RoHS 合规:
    - 环保设计,适合现代电子产品的需求。

    应用案例和使用建议


    NTD3055L104 和 NTDV3055L104 广泛应用于多个领域,如:
    - 电源供应器:在电源转换过程中提供高效的开关操作。
    - 转换器:帮助优化电路的功率效率。
    - 电机控制:用于驱动电机并提高控制精度。
    - 桥式电路:作为桥式电路的一部分,用于逆变或整流操作。
    使用建议:
    - 在高频率应用中,建议使用合适的栅极电阻来优化开关速度和减少损耗。
    - 使用时注意散热管理,确保在高温环境下保持良好的性能。

    兼容性和支持


    - 这些器件采用 DPAK/IPAK 封装,易于与其他标准电子元件集成。
    - 厂商提供了详细的订购信息和封装尺寸,方便用户选择合适的产品型号。
    - 具备 AEC-Q101 认证,适合汽车行业应用。

    常见问题与解决方案


    - Q: 导通电阻过高?
    - A: 确认驱动电压是否正确,调整 VGS 以确保达到最佳 RDS(on)。

    - Q: 温度稳定性差?
    - A: 检查散热措施是否充分,确保工作温度不超出规定范围。

    - Q: 开关损耗大?
    - A: 检查驱动电路设计,优化栅极电阻值以减少开关损耗。

    总结和推荐


    NTD3055L104 和 NTDV3055L104 是高性能的 N 沟道 MOSFET,具备出色的电气特性和应用灵活性。它们适用于各种电源管理和电机控制系统,特别是在需要高开关频率和高效能的应用场景中。建议在相关应用中优先考虑使用此系列器件,特别是对于对导通电阻和开关性能有较高要求的设计项目。

NTDV3055L104T4G参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 440pF@25V
栅极电荷 20nC@ 5 V
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 104mΩ@ 6A,5V
最大功率耗散 1.5W(Ta)
Vgs-栅源极电压 15V
Id-连续漏极电流 12A
通道数量 1
配置 独立式
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.38mm(Max)
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

NTDV3055L104T4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTDV3055L104T4G数据手册

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NTDV3055L104T4G封装设计

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