处理中...

首页  >  产品百科  >  FDPF7N50U-G

FDPF7N50U-G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 31.3W(Tc) 30V 5V@ 250µA 16.6nC@ 10V 1个N沟道 500V 1.5Ω@ 2.5A,10V 5A 940pF@25V TO-220F 通孔安装 10.67mm*4.7mm*16.3mm
供应商型号: FL-FDPF7N50U-G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDPF7N50U-G

FDPF7N50U-G概述


    产品简介


    FDPF7N50U / FDPF7N50UG N-Channel UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET
    FDPF7N50U 和 FDPF7N50UG 是一款高性能的 N 沟道 UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET,主要用于需要高电压和低导通电阻的应用场合。这款 MOSFET 在降低导通电阻方面具有出色表现,同时提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。这些产品特别适用于电源转换器、LCD/LED 电视电源、不间断电源(UPS)和交流直流(AC-DC)电源供应等领域。

    技术参数


    - 最大电压 (VDSS):500 V
    - 连续漏极电流 (ID):5 A (TC = 25°C), 3 A (TC = 100°C)
    - 最大漏极电流 (IDM):20 A
    - 栅源电压 (VGSS):±30 V
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):125 mJ
    - 瞬态雪崩电流 (IAR):5 A
    - 重复雪崩能量 (EAR):8.9 mJ
    - 峰值二极管恢复 dV/dt:20 V/ns
    - 功率耗散 (PD):31.3 W (TC = 25°C),每上升1°C降额0.25 W
    - 结温范围 (TJ, TSTG):-55°C 到 +150°C
    - 最大引脚焊接温度 (TL):300°C(引脚距离壳体1/8英寸)

    产品特点和优势


    FDPF7N50U 和 FDPF7N50UG 的独特功能在于其出色的雪崩能量强度和快速的二极管恢复性能,使其在某些需要改进 MOSFET 本征二极管性能的应用中特别有效。相比常规平面 MOSFET,这款 MOSFET 的反向恢复时间(trr)小于50纳秒,而反向 dV/dt 免疫能力为20 V/ns,比传统产品提高了许多倍。因此,这些 MOSFET 可以去除额外的组件并提高系统的可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 液晶显示 (LCD) 和 LED 电视
    - 照明系统
    - 不间断电源 (UPS)
    - 交流直流 (AC-DC) 电源供应
    使用建议
    - 最佳使用温度范围:考虑到结温范围为-55°C 至 +150°C,确保在极端温度下操作时进行充分的热管理。
    - 保护措施:由于其高雪崩能量能力,可考虑添加过压保护电路,以防止过高电压对器件造成损坏。
    - 散热设计:使用散热器或强制冷却来管理高功耗,特别是在大电流和高环境温度下。

    兼容性和支持


    FDPF7N50U 和 FDPF7N50UG 具有标准化的封装(TO-220F),便于与其他标准组件配合使用。制造商 Fairchild Semiconductor 提供全面的技术支持和维护服务,包括产品文档、应用指南和技术支持热线。

    常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET 烧毁或过热。
    - 解决方案:检查电路中的最大电流限制,并确保良好的散热设计。
    - 问题:MOSFET 出现不稳定或不规则的操作。
    - 解决方案:检查是否存在电磁干扰,并确保所有连接点均牢固可靠。
    - 问题:MOSFET 的栅极充电不足。
    - 解决方案:调整栅极电阻值,确保总栅极电荷(Qg)在规定的范围内。

    总结和推荐


    综上所述,FDPF7N50U 和 FDPF7N50UG 是适用于各种高电压应用的理想选择。它们具备出色的性能和耐用性,在多个行业中具有广泛的适用性和竞争优势。尽管存在一定的学习曲线和复杂性,但其显著的优势使其成为高端应用的优选解决方案。强烈推荐给那些需要高性能、高可靠性 MOSFET 的工程师和技术人员。
    通过上述分析可以看出,FDPF7N50U 和 FDPF7N50UG 不仅技术先进且易于集成,是值得信赖的产品选择。

FDPF7N50U-G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 500V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 31.3W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 940pF@25V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω@ 2.5A,10V
栅极电荷 16.6nC@ 10V
Id-连续漏极电流 5A
长*宽*高 10.67mm*4.7mm*16.3mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FDPF7N50U-G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDPF7N50U-G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDPF7N50U-G FDPF7N50U-G数据手册

FDPF7N50U-G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.8446 ¥ 7.1534
库存: 2000
起订量: 706 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 7.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336