处理中...

首页  >  产品百科  >  NTR3161NT1G

NTR3161NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 820mW(Ta) 8V 1V@ 250µA 7.3nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 50mΩ@ 3.3A,4.5V 3.3A 540pF@10V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 2.9mm*1.3mm*940μm
供应商型号: NTR3161NT1G-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTR3161NT1G

NTR3161NT1G概述

    NTR3161N Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTR3161N 是一款由Semiconductor Components Industries设计和生产的功率MOSFET,适用于多种电子设备和系统。它属于单通道N沟道型,采用SOT-23封装。这种MOSFET因其低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷而被广泛应用于直流-直流转换、电池管理和负载/功率开关等领域。

    2. 技术参数


    以下是NTR3161N的技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDSS | - | - | 20 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±8 | - | ±8 | V |
    | 持续漏电流 | ID | 3.3 | - | 4.0 | A |
    | 最大脉冲漏电流 | IDM | - | - | 6.4 | A |
    | 功耗 | PD | 0.82 | - | 1.25 | W |
    | 额定温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 38 | 50 | 87 | mΩ |
    | 前向二极管电压 | VSD | 0.65 | - | 1.0 | V |
    | 总门极电荷 | QG(TOT) | - | - | 7.3 | nC |

    3. 产品特点和优势


    NTR3161N 的独特功能包括:
    - 低导通电阻:使系统能够更高效地运行,减少能量损耗。
    - 低栅极电荷:降低了驱动所需的能量,简化了驱动电路的设计。
    - 低阈值电压:便于驱动,提高了系统的可靠性。
    - 无卤素材料:环保且符合RoHS标准。
    - 无铅封装:更加环保,且满足市场需求。

    4. 应用案例和使用建议


    NTR3161N 可以用于多种电子设备中,如直流-直流转换器、电池管理系统和负载/功率开关。为了确保最佳性能,在应用时应注意以下几点:
    - 确保漏源电压不超过20V。
    - 在高功率应用中,要注意散热问题,避免超过最大功耗。
    - 在电路设计时,应考虑总门极电荷的影响,确保有足够的驱动能力。

    5. 兼容性和支持


    NTR3161N 与其他常见的SOT-23封装的电子元器件兼容,可以在大多数标准电路板上轻松安装。Semiconductor Components Industries提供了详细的技术支持文档和在线资源,帮助客户解决问题并进行应用开发。

    6. 常见问题与解决方案


    在使用过程中,用户可能会遇到以下问题及解决方案:
    - 问题:发热严重
    - 解决方法:增加散热措施,如添加散热片或风扇。
    - 问题:开关速度慢
    - 解决方法:检查驱动电路,提高驱动电压,降低驱动电阻。
    - 问题:漏电流大
    - 解决方法:确认工作温度在正常范围内,检查电路设计是否存在缺陷。

    7. 总结和推荐


    NTR3161N 是一款高性能的功率MOSFET,以其低导通电阻、低栅极电荷和高可靠性在多个应用领域表现优异。其独特的设计和功能使其成为许多电源管理应用的理想选择。我们强烈推荐此产品给需要高效能MOSFET的工程师和设计师。

NTR3161NT1G参数

参数
Id-连续漏极电流 3.3A
通道数量 1
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@ 3.3A,4.5V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 540pF@10V
Vds-漏源极击穿电压 20V
栅极电荷 7.3nC@ 4.5 V
Vgs-栅源极电压 8V
最大功率耗散 820mW(Ta)
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*940μm
通用封装 SOT-23-3,TO-236
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

NTR3161NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTR3161NT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTR3161NT1G NTR3161NT1G数据手册

NTR3161NT1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0