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NVTFS6H880NWFTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.1W(Ta),31W(Tc) 20V 4V@ 20µA 6.9nC@ 10 V 1个N沟道 80V 32mΩ@ 5A,10V 22A 370pF@40V WDFN-8 贴片安装
供应商型号: 863-NVTFS6H880NWFTAG
供应商: Mouser
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFS6H880NWFTAG

NVTFS6H880NWFTAG概述

    NVTFS6H880N Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NVTFS6H880N 是一款由 ON Semiconductor 提供的高性能功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),采用 WDFN8 封装形式。它具备以下特点:
    - 产品类型:单个 N 沟道增强型 MOSFET
    - 主要功能:低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力,适用于电源管理及负载开关等应用
    - 应用领域:广泛用于直流-直流转换器、电池管理、负载开关以及各类功率电子系统

    2. 技术参数


    以下是 NVTFS6H880N 的核心技术规格和技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 (Min) | 典型值 (Typ) | 最大值 (Max) | 单位 |
    |
    | 额定电压 | VDSS | - | - | 80 | V |
    | 漏极-源极连续电流 | ID | - | 22 | 26 | A |
    | 最大功率耗散 | PD | - | 31 | 16 | W |
    | 关断栅极电压范围 | VGS | ±10 | ±20 | - | V |
    | 导通电阻 (典型) | RDS(on) | - | 32 mΩ | - | mΩ |
    | 结到环境热阻 | RJA | - | 49.1 | - | °C/W |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | 10 | - | 250 | μA |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | +175 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 紧凑封装:采用 3.3×3.3 mm 的小型封装,适合空间受限的设计
    - 低功耗特性:低 RDS(on) 和低栅极电荷(QG)有效降低传导损耗和驱动损耗
    - 高可靠性:通过 AEC-Q101 认证并支持 PPAP 生产,确保适用于汽车和其他工业级应用
    - 无铅和环保设计:符合 RoHS 标准,采用无铅工艺

    4. 应用案例和使用建议


    - 典型应用:电池管理模块、电机驱动器、DC-DC 转换器等
    - 使用建议:
    - 在高频率开关场景下,尽量选择更低的栅极电阻以减少开关损耗
    - 保证良好的 PCB 布局以减少寄生电感和杂散电容的影响
    - 对于高功率场景,应合理计算散热设计,避免因热失控导致损坏

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NVTFS6H880N 与大多数主流 PCB 设计兼容,支持标准焊接流程
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供详尽的开发文档、应用笔记和技术支持,可在线访问

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 导通电阻异常增大 | 检查栅极驱动电压是否达到要求(≥10V) |
    | 过温保护触发 | 确保良好散热设计,检查电路布局 |
    | 开关波形出现毛刺 | 优化栅极电阻和 PCB 布局 |

    7. 总结和推荐


    综合评价:NVTFS6H880N 是一款兼顾高性能和高可靠性的功率 MOSFET,尤其适用于对空间、功耗敏感的工业和汽车电子领域。其出色的低 RDS(on) 特性和紧凑封装使其在市场上具有较强的竞争优势。
    推荐使用场景:推荐用于需要高效率和紧凑设计的开关电源、电池管理系统及高频开关电路。
    如需进一步了解,请访问 [ON Semiconductor 官方网站](https://www.onsemi.com/) 或联系当地技术支持团队。

    最终结论:强烈推荐!

NVTFS6H880NWFTAG参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 370pF@40V
栅极电荷 6.9nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 80V
配置 独立式
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 20µA
Id-连续漏极电流 22A
最大功率耗散 3.1W(Ta),31W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 32mΩ@ 5A,10V
通用封装 WDFN-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVTFS6H880NWFTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFS6H880NWFTAG数据手册

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NVTFS6H880NWFTAG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.15 ¥ 9.7175
10+ $ 0.7464 ¥ 6.3067
100+ $ 0.4807 ¥ 4.0619
500+ $ 0.3726 ¥ 3.1485
1000+ $ 0.365 ¥ 3.0846
1500+ $ 0.2938 ¥ 2.4823
3000+ $ 0.2797 ¥ 2.3636
9000+ $ 0.2625 ¥ 2.2181
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