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NSVMMUN2137LT1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 300µA,10mA PNP - Pre-Biased 500nA 50V 100mA SOT-23-3,TO-236 贴片安装
供应商型号: FL-NSVMMUN2137LT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVMMUN2137LT1G

NSVMMUN2137LT1G概述


    产品简介


    该系列产品是由Semiconductor Components Industries, LLC生产的数字晶体管(Bias Resistor Transistor, BRT),包括MUN2137, MMUN2137L, MUN5137, DTA144WE, DTA144WM3和NSBA144WF3。这些器件通过集成单个晶体管及其外部偏置电阻网络,简化了电路设计,广泛应用于需要独特站点和控制变化要求的汽车及其他应用场合。这些设备已经通过AEC-Q101认证,并且具备PPAP能力,表明它们在可靠性方面的出色表现。此外,这些设备是无铅的,无卤素/无BFR,并符合RoHS标准。

    技术参数


    这些数字晶体管具有以下技术规格和性能参数:
    - 最大额定值
    - 集电极-基极电压:VCBO = 50 Vdc
    - 集电极-发射极电压:VCEO = 50 Vdc
    - 连续集电极电流:IC = 100 mAdc
    - 输入正向电压:VIN(fwd) = 40 Vdc
    - 输入反向电压:VIN(rev) = 10 Vdc
    - 热特性
    - 热阻,结到环境:RJA (典型) = 508-618 °C/W
    - 最大功耗:PD (TA = 25°C) = 246-310 mW
    - 电气特性
    - OFF特性
    - 集电极-基极截止电流:ICBO ≤ 100 nA
    - 集电极-发射极截止电流:ICEO ≤ 500 nA
    - 发射极-基极截止电流:IEBO ≤ 0.13 mA
    - ON特性
    - 直流电流增益:hFE = 80-140
    - 集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) = 0.25 Vdc

    产品特点和优势


    这些数字晶体管的主要优势在于其能够简化电路设计、减少板级空间占用、降低组件数量。具体来说:
    - 简化电路设计:将单个晶体管及其外部电阻集成在一个设备中,大大减少了设计的复杂性。
    - 减少板级空间:占用更小的板级空间,适用于紧凑型设计。
    - 降低成本:通过减少外部组件的数量,降低了整体系统的成本。
    - 符合AEC-Q101标准:满足汽车和其他特殊应用的严格要求,确保可靠性和安全性。
    - 环保特性:无铅、无卤素、无BFR,符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    这些数字晶体管在多个领域都有广泛应用,如汽车电子系统、工业控制系统和消费电子设备。例如,在汽车仪表盘显示屏的背光驱动电路中,这些晶体管可以用来实现稳定的电流控制。
    使用建议
    - 电源稳定性:在使用时要确保电源稳定,避免电压波动导致晶体管损坏。
    - 散热管理:由于这些晶体管具有较高的热阻,应特别注意散热设计,以保证长期运行的可靠性。
    - 布局考虑:在PCB布局上,合理安排引脚位置,避免信号干扰。

    兼容性和支持


    这些数字晶体管在多种封装形式下提供,包括SC-59, SOT-23, SC-70/SOT-323, SC-75, SOT-723, 和SOT-1123。它们可以与同类封装的产品轻松互换,方便设计师进行不同平台的应用切换。
    厂商提供了详细的技术文档和支持服务,确保用户在使用过程中能够获得及时的帮助和技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:晶体管发热严重
    - 解决办法:检查散热设计,确保有足够的散热措施,如使用散热片或风扇。
    - 问题2:电流增益下降
    - 解决办法:重新校准电路参数,检查电源电压和负载情况,必要时更换晶体管。
    - 问题3:信号不稳定
    - 解决办法:优化布线,减小信号路径长度,提高信号完整性。

    总结和推荐


    总体而言,这些数字晶体管在设计、性能和可靠性方面表现出色,非常适合于各种紧凑型和高性能电子系统。它们独特的设计和多功能性使其在市场上具有较强的竞争力。因此,强烈推荐在适合的应用场合中使用这些产品。

NSVMMUN2137LT1G参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 300µA,10mA
VCBO-最大集电极基极电压 -
配置 -
集电极电流 100mA
最大功率耗散 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
集电极截止电流 500nA
VEBO-最大发射极基极电压 -
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 300µA,10mA
晶体管类型 PNP - Pre-Biased
通用封装 SOT-23-3,TO-236
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NSVMMUN2137LT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVMMUN2137LT1G数据手册

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