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NTMFD6H852NLT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.5V@ 250µA 5nC@ 4.5V 2个N沟道 80V 1.6Ω@ 500mA,10V 25A 26pF@20V DFN-8 贴片安装
供应商型号: FL-NTMFD6H852NLT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFD6H852NLT1G

NTMFD6H852NLT1G概述

    NTMFD6H852NL Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NTMFD6H852NL 是一种高性能的双N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品专为需要高可靠性和紧凑设计的应用而设计,适用于电源转换、电池管理和电动机控制等领域。NTMFD6H852NL 的额定电压为80V,最大连续漏极电流可达25A,适用于多种高压环境下的电力转换和控制系统。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDSS):80V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 最大连续漏极电流 (ID):
    - 在 TC = 25°C 下:25A
    - 在 TC = 100°C 下:18A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):在 TA = 25°C, tp = 10µs 下为 98A
    - 热阻 (RJC, RJA):
    - 静态情况下,Junction-to-Case 热阻为 3.95°C/W
    - 静态情况下,Junction-to-Ambient 热阻为 47.3°C/W
    - 最大存储和工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +175°C

    3. 产品特点和优势


    - 小封装 (5x6mm):提供紧凑的设计空间,有助于减少电路板尺寸。
    - 低 RDS(on):仅为 25.5mΩ (在 VGS = 10V 下),可以有效降低传导损耗。
    - 低 QG 和电容:这些特性有助于最小化驱动损耗。
    - 无铅且符合RoHS标准:确保环境友好且适合各种应用需求。

    4. 应用案例和使用建议


    NTMFD6H852NL 广泛应用于开关电源、逆变器和电机驱动等场合。以下是一些典型应用场景:
    - 开关电源:在高频率开关电源中,其低 RDS(on) 特性可显著降低功率损耗。
    - 电池管理系统:其高耐压能力和大电流能力使其非常适合电池充放电管理。
    - 电动机控制:通过其高可靠性及紧凑设计,可以用于小型电动机的控制。
    使用建议:
    - 在设计电路时应注意散热措施,以充分利用其热阻特性。
    - 选择合适的栅极电阻以优化开关时间。
    - 考虑到其小封装,安装时要确保足够的电气隔离。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NTMFD6H852NL 采用 DFN8 封装,与市场上大多数标准 PCB 设计兼容。其引脚布局标准,方便焊接和安装。
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供全面的技术支持,包括详细的安装指南、应用文档和技术咨询热线。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何正确测量漏极电流 (ID)?
    - 解决方法:确保使用正确校准的测试仪器,并遵循数据手册中提供的测试条件。

    - 问题2:热阻特性如何影响散热设计?
    - 解决方法:通过增加散热片或者选用具有更低热阻的封装方式来改善散热效果。

    7. 总结和推荐


    总体而言,NTMFD6H852NL 是一款性能优异、用途广泛的功率 MOSFET。其独特的低 RDS(on) 和低 QG 特性,使得它在高压应用中表现出色,适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。结合其紧凑的封装设计,使得 NTMFD6H852NL 成为了当前市场上的一个理想选择。
    我们强烈推荐将此产品用于那些对功耗和空间有严格要求的应用场合。其出色的性能和高可靠性,使得其在市场上具有强大的竞争力。

NTMFD6H852NLT1G参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 26pF@20V
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 25A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 80V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.6Ω@ 500mA,10V
栅极电荷 5nC@ 4.5V
配置 -
通用封装 DFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFD6H852NLT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFD6H852NLT1G数据手册

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NTMFD6H852NLT1G封装设计

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