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NTTFS4937NTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 860mW(Ta),43.1W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 35.5nC@ 10 V 1个N沟道 30V 4.5mΩ@ 20A,10V 11A,75A 2.54nF@15V DFN 贴片安装 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
供应商型号: CY-NTTFS4937NTAG
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTTFS4937NTAG

NTTFS4937NTAG概述

    NTTFS4937N MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTTFS4937N 是一款单片 N-通道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高功率密度的应用而设计。 该产品具有较低的导通电阻(RDS(on))以减少传导损耗,低电容以降低驱动损耗,并且具有优化的栅极电荷以减少开关损耗。此外,该产品不含铅(Pb-Free)、无卤素(Halogen Free/BFR Free)且符合 RoHS 规范。
    主要功能:
    - 低 RDS(on),减少传导损耗。
    - 低电容,降低驱动损耗。
    - 优化的栅极电荷,减少开关损耗。
    应用领域:
    - 低侧直流-直流转换器。
    - 功率负载开关。
    - 笔记本电池管理。
    - 电机控制。

    2. 技术参数


    - 额定电压: VDSS = 30 V
    - 栅极电压范围: VGS = ±20 V
    - 连续漏极电流: TA = 25°C 时为 17 A,TA = 85°C 时为 12 A
    - 最大功率耗散: TA = 25°C 时为 2.24 W
    - 单脉冲漏极-源极雪崩能量: TJ = 25°C 时为 68.5 mJ
    - 最大温度范围: TJ, Tstg = −55 至 +150 °C

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(on)): 这使得在大电流应用中能够显著减少功率损耗。
    - 低电容和优化的栅极电荷: 有助于减少驱动损耗和开关损耗,提高效率。
    - 符合环保要求: 该产品无铅、无卤素,且符合 RoHS 规范,适合绿色环保应用。
    - 高可靠性: 在广泛的工作温度范围内提供可靠性能。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 低侧直流-直流转换器: 在此类应用中,NTTFS4937N 的低 RDS(on) 和优化的栅极电荷可以显著提高转换效率。
    - 笔记本电池管理: 在笔记本电脑电源管理模块中,该 MOSFET 能够有效管理电池放电过程中的电流。
    使用建议:
    - 确保在电路设计中充分考虑散热措施,特别是在高电流应用中。
    - 为避免过高的温度,建议使用大面积铜箔散热片。
    - 使用适当的栅极驱动电路,以确保栅极电荷的合理配置,避免过高的栅极电压。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该 MOSFET 适用于多种常见的电源管理和驱动电路,可以直接与标准的栅极驱动芯片配合使用。
    - 支持和维护: 厂商提供详细的技术文档和在线支持服务,确保用户能够快速解决遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关频率过高导致器件过热。
    - 解决方案: 检查电路中的散热措施,增加散热片或改善通风条件。
    - 问题: MOSFET 工作不稳定,出现间歇性故障。
    - 解决方案: 检查电路设计是否合理,尤其是栅极驱动电路的设计,确保驱动电压和电流符合要求。
    - 问题: 高温环境下性能下降。
    - 解决方案: 选择适合高温工作的 MOSFET 型号,或者通过改进散热设计来降低工作温度。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NTTFS4937N MOSFET 在高功率应用中表现出色,特别是在低侧直流-直流转换器和笔记本电池管理系统中。其低导通电阻和优化的栅极电荷使其在提升系统效率方面具有明显优势。鉴于其出色的性能和广泛的适用性,强烈推荐在高效率电源管理系统中采用该产品。
    本文档摘录自 Semiconductor Components Industries, LLC, 2013 年发布的 NTTFS4937N MOSFET 技术手册,更多详细信息请参考官方网站和手册中的相关内容。

NTTFS4937NTAG参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.54nF@15V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
Id-连续漏极电流 11A,75A
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ@ 20A,10V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
最大功率耗散 860mW(Ta),43.1W(Tc)
栅极电荷 35.5nC@ 10 V
配置 独立式
长*宽*高 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

NTTFS4937NTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTTFS4937NTAG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTTFS4937NTAG NTTFS4937NTAG数据手册

NTTFS4937NTAG封装设计

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