处理中...

首页  >  产品百科  >  NSV40302PDR2G

NSV40302PDR2G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 115mV@ 200mA,2A 1 NPN,1 PNP 783mW 6V@ NPN,7V@ PNP 100nA 40V 40V 3A SOIC-8 贴片安装
供应商型号: 863-NSV40302PDR2G
供应商: Mouser
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSV40302PDR2G

NSV40302PDR2G概述

    NSS40302PDR2G: Complementary 40 V, 6.0 A Low VCE(sat) Transistor

    产品简介


    NSS40302PDR2G是一款来自ON Semiconductor的互补型低饱和电压(VCE(sat))晶体管。该产品属于e2PowerEdge系列,设计用于低电压、高速开关应用,尤其是在需要高效节能控制的场合。其主要应用领域包括消费电子产品中的低电压电机控制,例如磁盘驱动器和磁带驱动器,以及汽车行业中的气囊部署系统和仪表盘。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-发射极电压(NPN/ PNP):40/-40 Vdc
    - 集电极-基极电压(NPN/ PNP):40/-40 Vdc
    - 发射极-基极电压(NPN/ PNP):6.0/-7.0 Vdc
    - 连续集电极电流(NPN/ PNP):3.0/-3.0 A
    - 峰值集电极电流(NPN/ PNP):6.0/-6.0 A
    - ESD(HBM/ MM):Class 3B/Class C
    - 热特性
    - 单个加热时的总功耗(TA=25°C):576 mW
    - 热阻(单个加热时):217°C/W
    - 电气特性(NPN)
    - 截止电流(VCB=40 Vdc, IE=0):0.1 μA
    - 通态电流增益(IC=10 mA, VCE=2.0 V):200
    - 饱和电压(IC=0.1 A, IB=0.010 A):0.008 V
    - 基极-发射极饱和电压(IC=1.0 A, IB=0.01 A):0.780-0.900 V
    - 转换电压(IC=0.1 A, VCE=2.0 V):0.650-0.750 V
    - 截止频率(IC=100 mA, VCE=5.0 V, f=100 MHz):100 MHz
    - 电气特性(PNP)
    - 截止电流(VCB=-40 Vdc, IE=0):-0.1 μA
    - 通态电流增益(IC=-10 mA, VCE=-2.0 V):250
    - 饱和电压(IC=-0.1 A, IB=-0.010 A):-0.013 V
    - 基极-发射极饱和电压(IC=-1.0 A, IB=-0.01 A):-0.780-0.900 V
    - 转换电压(IC=-0.1 A, VCE=-2.0 V):-0.660-0.750 V
    - 截止频率(IC=-100 mA, VCE=-5.0 V, f=100 MHz):100 MHz

    产品特点和优势


    - 高电流增益:使得这些设备可以直接由电源管理单元(PMU)控制输出驱动。
    - 超低饱和电压:VCE(sat)值较低,有助于提高能效。
    - 符合环保标准:无铅、卤素自由/溴化阻燃剂自由且符合RoHS标准。
    - 独特的前缀标识:NSV前缀用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用,且已通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力。

    应用案例和使用建议


    - 低电压电机控制:如在磁盘驱动器和磁带驱动器中。
    - 汽车行业:应用于气囊部署系统和仪表盘。
    - 模拟放大器:由于其较高的电流增益,适用于模拟放大器中作为理想组件。
    - 使用建议:确保在高温和高压环境下操作时不超过最大额定值,以防止损坏。适当散热措施是必要的。

    兼容性和支持


    - 封装形式:SOIC-8(无铅)
    - 包装规格:2500个/卷带
    - 支持:厂商提供全面的技术支持,包括详细的电气特性和热特性文档。

    常见问题与解决方案


    - 问:设备的最大额定电流是多少?
    - 答:连续额定电流为3.0 A,峰值电流为6.0 A。
    - 问:如何避免静电损坏?
    - 答:遵循制造商的ESD防护指南,使用防静电包装材料。

    总结和推荐


    NSS40302PDR2G是一种高性能的低饱和电压晶体管,具有优良的电流增益和环保特性。它非常适合于需要高效能控制的应用,例如低电压电机控制和模拟放大器。总体而言,推荐使用这款产品,特别是在那些需要高效率和严格可靠性要求的应用环境中。

NSV40302PDR2G参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 115mV@ 200mA,2A
晶体管类型 1 NPN,1 PNP
VCBO-最大集电极基极电压 40V
最大功率耗散 783mW
VEBO-最大发射极基极电压 6V@ NPN,7V@ PNP
最大集电极发射极饱和电压 115mV@ 200mA,2A
集电极电流 3A
配置 -
集电极截止电流 100nA
VCEO-集电极-发射极最大电压 40V
5mm(Max)
4mm(Max)
1.5mm(Max)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSV40302PDR2G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSV40302PDR2G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSV40302PDR2G NSV40302PDR2G数据手册

NSV40302PDR2G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.9545 ¥ 8.0655
10+ $ 0.7602 ¥ 6.4233
100+ $ 0.5027 ¥ 4.2478
500+ $ 0.3942 ¥ 3.331
1000+ $ 0.3618 ¥ 3.0572
2500+ $ 0.3089 ¥ 2.61
25000+ $ 0.2888 ¥ 2.4399
库存: 32089
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 8.06
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N1613 ¥ 186.2455
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AE3 ¥ 39.2528
2N2222AUA ¥ 275.2402
2N2222AUB ¥ 338.8957
2N2222AUB ¥ 290.8886