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FQPF19N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 38W(Tc) 25V 4V@ 250µA 25nC@ 10V 1个N沟道 100V 100mΩ@ 6.8A,10V 13.6A 780pF@25V TO-220F 通孔安装 10.36mm*4.9mm*16.07mm
供应商型号: CY-FQPF19N10
供应商:
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQPF19N10

FQPF19N10概述


    产品简介


    FQPF19N10 — N-Channel QFET® MOSFET
    FQPF19N10 是一款由 Fairchild Semiconductor 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。它采用了 Fairchild 的平面条纹和 DMOS 技术,特别设计用于降低导通电阻(RDS(on)),并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这款 MOSFET 主要适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和变频器等领域。

    技术参数


    - 电压参数:
    - VDSS(漏源击穿电压):100 V
    - VGSS(栅源电压):± 25 V
    - BVDSS(漏源击穿电压):≥ 100 V
    - 电流参数:
    - ID(连续漏极电流,TC = 25°C):13.6 A
    - IDM(脉冲漏极电流):54.4 A
    - IS(最大连续二极管正向电流):13.6 A
    - ISM(最大脉冲二极管正向电流):54.4 A
    - 电阻参数:
    - RDS(on)(导通电阻,VGS=10 V,ID=6.8 A):≤ 100 mΩ
    - RDS(on)(VGS=10 V,ID=6.8 A):0.078 ~ 0.1 Ω
    - 其他电气特性:
    - Qg(总栅电荷):19 ~ 25 nC
    - Ciss(输入电容):600 ~ 780 pF
    - Coss(输出电容):165 ~ 215 pF
    - Crss(反向转移电容):32 ~ 40 pF
    - 热参数:
    - RθJC(热阻,结至外壳):≤ 3.95 °C/W
    - RθJA(热阻,结至环境):≤ 62.5 °C/W
    - 工作环境:
    - TJ, TSTG(操作和存储温度范围):-55°C ~ +175°C
    - TL(最大引脚焊接温度):300°C

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on) ≤ 100 mΩ,确保高效能和低功耗。
    2. 高雪崩耐受能力:EAS(单脉冲雪崩能量)为 220 mJ,适用于严苛的工作环境。
    3. 快速开关性能:低门极电荷和电容,使开关速度更快。
    4. 高可靠性:100% 雪崩测试,保证长期稳定运行。
    5. 广泛的应用范围:适合多种工业和消费电子领域。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:在电源转换器中用作开关器件,减少损耗。
    - 音频放大器:提高音频放大器的效率和保真度。
    - 直流电机控制:提高电机控制系统的响应速度和稳定性。
    - 变频器:适用于各类变频器,提高转换效率。
    使用建议:
    - 确保散热良好,特别是在高负载情况下。
    - 注意门极驱动信号的质量,避免误触发。
    - 在设计电路时,考虑二极管恢复特性,选择合适的驱动电阻以控制 dv/dt。

    兼容性和支持


    FQPF19N10 采用标准 TO-220F 封装,可与其他同类封装的器件互换使用。Fairchild Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够顺利使用该产品。同时,用户可以通过官网获取最新信息和技术支持。

    常见问题与解决方案


    - Q: 为什么出现过热?
    - A: 确保良好的散热,避免工作在高温环境下,必要时增加散热片。

    - Q: 开关速度慢怎么办?
    - A: 减少门极电容,优化门极驱动信号质量,使用更小的栅极电阻。

    - Q: 如何减少 RDS(on) 电压降?
    - A: 降低驱动电压,尽量保持 VGS 在 10 V 左右;优化电路布局,减少杂散电感。

    总结和推荐


    FQPF19N10 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,具有低导通电阻、快速开关性能和高可靠性等特点,适用于多种工业和消费电子应用。综合来看,这款 MOSFET 在性能和适用性方面表现出色,强烈推荐给需要高效能和高可靠性的应用场合。

FQPF19N10参数

参数
最大功率耗散 38W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@ 6.8A,10V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 25nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
通道数量 1
Id-连续漏极电流 13.6A
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 780pF@25V
Vgs-栅源极电压 25V
长*宽*高 10.36mm*4.9mm*16.07mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

FQPF19N10厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQPF19N10数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQPF19N10 FQPF19N10数据手册

FQPF19N10封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.4927 ¥ 4.2397
300+ $ 0.4882 ¥ 4.2015
500+ $ 0.4837 ¥ 4.1633
1000+ $ 0.4701 ¥ 3.9724
5000+ $ 0.4701 ¥ 3.9724
库存: 2722
起订量: 236 增量: 1
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