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NSBA123EF3T5G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 5mA,10mA PNP - 预偏压 297W 500nA 50V 100mA SOT 贴片安装
供应商型号: CY-NSBA123EF3T5G
供应商:
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSBA123EF3T5G

NSBA123EF3T5G概述


    产品简介


    产品类型: 数字晶体管(Bias Resistor Transistor, BRT)
    主要功能:
    - 集成了单个晶体管及其外部电阻偏置网络。
    - 减少了电路设计的复杂性。
    - 适用于需要独特的站点和控制变更要求的应用场合。
    应用领域:
    - 汽车电子和其他需要AEC-Q101认证的应用。
    - 通用电子电路设计,尤其是在空间有限的环境中。

    技术参数


    - 最大额定值
    - Collector-Base Voltage (VCBO): 50 Vdc
    - Collector-Emitter Voltage (VCEO): 50 Vdc
    - Collector Current (IC): 100 mA
    - Input Forward Voltage (VIN(fwd)): 12 Vdc
    - Input Reverse Voltage (VIN(rev)): 10 Vdc
    - 热特性 (不同封装下)
    - SC-59 (MUN2131): PD = 230 mW, RθJA = 540°C/W
    - SOT-23 (MMUN2131L): PD = 246 mW, RθJA = 508°C/W
    - SC-70/SOT-323 (MUN5131): PD = 202 mW, RθJA = 618°C/W
    - SC-75 (DTA123EE): PD = 200 mW, RθJA = 600°C/W
    - SOT-723 (DTA123EM3): PD = 260 mW, RθJA = 480°C/W
    - SOT-1123 (NSBA123EF3): PD = 254 mW, RθJA = 493°C/W
    - 电气特性 (TA = 25°C)
    - Collector-Base Cutoff Current (ICBO): <100 nA
    - Collector-Emitter Cutoff Current (ICEO): <500 nA
    - Emitter-Base Cutoff Current (IEBO): <2.3 mAdc
    - Collector-Base Breakdown Voltage (V(BR)CBO): 50 Vdc
    - Collector-Emitter Breakdown Voltage (V(BR)CEO): 50 Vdc
    - DC Current Gain (hFE): 8.0 - 15
    - Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)): <0.25 Vdc
    - Input Voltage (off): <0.5 Vdc
    - Input Voltage (on): 1.7 - 2.0 Vdc
    - Output Voltage (on): <0.2 Vdc
    - Output Voltage (off): >4.9 Vdc

    产品特点和优势


    - 简化电路设计: 集成的单个器件替代了多个组件,减少了设计复杂性。
    - 减少占用空间: 由于集成度高,可以显著节省电路板空间。
    - 降低组件数量: 集成偏置电阻网络减少了外部元件的数量。
    - 汽车和其他特殊应用认证: S和NSV前缀的产品符合AEC-Q101标准,适合汽车和特定工业应用。
    - 环保特性: 铅自由、卤素自由/无溴化物阻燃剂,且RoHS合规。

    应用案例和使用建议


    应用案例: 在汽车电子控制系统中,数字晶体管用于传感器接口和信号调理,例如发动机管理系统中的传感器输入信号放大和处理。
    使用建议:
    - 确保安装过程中保持正确的引脚顺序,避免短路。
    - 注意环境温度对散热的影响,适当选择散热方式以保证性能稳定。
    - 遵循手册中的最大额定值,避免超过器件的耐压和电流极限。

    兼容性和支持


    兼容性: 该系列数字晶体管可与现有的汽车电子系统和通用电子电路设计兼容,适用于多种封装形式(SC-59、SOT-23、SC-70/SOT-323、SC-75、SOT-723、SOT-1123)。
    支持: 厂商提供详细的技术文档、应用笔记和支持服务,确保客户能够顺利地进行产品选型和应用开发。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 器件发热严重,影响使用寿命。
    - 解决办法: 检查散热设计,增加散热片或优化PCB布局,保证良好的热管理。
    - 问题: 输入电压不正确导致输出不稳定。
    - 解决办法: 确认输入电压范围,调整外部电路或电源设计,确保输入电压符合手册要求。
    - 问题: 设备在低温环境下性能下降。
    - 解决办法: 选用具有更好低温特性的器件或增加加热装置,以保持稳定的运行环境。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:
    - 简化设计流程,节省成本。
    - 高集成度,适合空间受限的应用。
    - 符合严格的汽车和工业标准。
    - 市场竞争力: 针对市场需求,集成了多种功能,适用于多种场景,特别是在空间紧凑和高性能要求的场合。
    推荐使用: 基于其优良的性能、集成性和广泛应用的兼容性,强烈推荐在汽车电子、通用电子电路设计中使用该系列数字晶体管。

NSBA123EF3T5G参数

参数
晶体管类型 PNP - 预偏压
集电极截止电流 500nA
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
VEBO-最大发射极基极电压 -
最大功率耗散 297W
VCBO-最大集电极基极电压 -
配置 -
集电极电流 100mA
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 5mA @ 10mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 5mA,10mA
650μm(Max)
850μm(Max)
400μm(Max)
通用封装 SOT
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSBA123EF3T5G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSBA123EF3T5G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSBA123EF3T5G NSBA123EF3T5G数据手册

NSBA123EF3T5G封装设计

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