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FDMD8580

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.3W 20V 4.5V@ 250µA 80nC@ 10V 2个N沟道 80V 4.6mΩ@ 16A,10V 16A,82A 5.875nF@40V QFN 贴片安装 3.3mm*3.3mm*800μm
供应商型号: UA-FDMD8580
供应商: 海外现货
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMD8580

FDMD8580概述

    # FDMD8580 双N沟道PowerTrench® MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDMD8580是一款由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor的一部分)生产的双N沟道PowerTrench® MOSFET,具有低导通电阻(rDS(on))和高电流处理能力,非常适合于各种电源管理和开关应用。该器件采用紧凑型5 mm × 6 mm封装,内部结构经过优化以减少寄生效应,从而提高效率和可靠性。
    主要功能:
    - 内置两个独立的N沟道MOSFET,提供灵活布局选项。
    - 最大导通电阻:4.6 mΩ(VGS=10 V, ID=16 A)。
    - 温度稳定性强,适合工业和消费类电子产品。
    应用领域:
    - 同步降压转换器中的初级开关。
    - BLDC电机驱动桥式电路。
    - 高效电源管理及工业自动化控制。

    技术参数


    以下是FDMD8580的技术规格摘要:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压(VDS) | 80 | V |
    | 栅极阈值电压(VGS(th)) | 2.0~4.5 | V |
    | 导通电阻(rDS(on)) | 4.6(典型值) | mΩ |
    | 集电极连续电流(ID) | 82 | A |
    | 功耗(PD) | 59 | W |
    | 工作温度范围(TJ, TSTG) | -55 ~ +150 | °C |
    其他关键参数如输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)和反向转移电容(Crss)也列于手册中,这些参数对于设计高速开关电路至关重要。

    产品特点和优势


    1. 高集成度:单一封装内包含两个独立MOSFET,简化了PCB设计并节省空间。
    2. 低导通电阻:典型值仅为4.6 mΩ,显著降低功率损耗。
    3. 优异的热性能:采用低热阻封装(RθJA = 55°C/W),确保在高温环境下仍能稳定运行。
    4. 动态性能佳:快速开关时间(td(on)、tr、tf均<50 ns),适用于高频应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在通信电源系统中作为同步降压转换器的主要开关元件。
    - 在电动汽车电机控制器中实现高效能量转换。
    使用建议:
    - 设计时需考虑热管理策略,例如增加散热片或采用更高导热率的基板材料。
    - 为避免误触发,应合理设置栅极驱动电阻(Rg)。

    兼容性和支持


    FDMD8580完全符合RoHS标准,并且可以无缝替代现有Fairchild Semiconductor器件。ON Semiconductor提供了详尽的应用指南和技术文档,同时可通过技术支持热线或在线资源获得进一步帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 减少负载或增强散热措施 |
    | 阈值电压偏移影响正常工作 | 检查焊接质量或重新校准VGS设定 |

    总结和推荐


    FDMD8580凭借其卓越的性能指标和广泛的应用范围,在众多领域展现出强大的竞争力。特别是对于需要高性能、紧凑设计以及良好热管理的应用场景,FDMD8580是一个理想选择。因此,强烈推荐此款MOSFET给需要高效率开关解决方案的设计工程师们。
    欲了解更多详细信息,请访问 [ON Semiconductor 官方网站](https://www.onsemi.com)。

FDMD8580参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 2.3W
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 4.6mΩ@ 16A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.875nF@40V
栅极电荷 80nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 80V
配置 seriesconnected,centertap,2elementswithbuilt-indiode
Id-连续漏极电流 16A,82A
长*宽*高 3.3mm*3.3mm*800μm
通用封装 QFN
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FDMD8580厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMD8580数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMD8580 FDMD8580数据手册

FDMD8580封装设计

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