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NVGS5120PT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 600mW(Ta) 20V 3V@ 250µA 18.1nC@ 10 V 1个P沟道 60V 111mΩ@ 2.9A,10V 1.8A 942pF@30V TSOP-6 贴片安装 3mm*1.5mm*1mm
供应商型号: 30C-NVGS5120PT1G TSOP-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVGS5120PT1G

NVGS5120PT1G概述


    产品简介


    NTGS5120P/NVGS5120P 是一款高性能的P-沟道功率MOSFET,采用TSOP-6封装。这种电子元器件主要用于高侧负载开关和打印机、通信设备中的电源管理。其低导通电阻和高击穿电压使其成为在多种电源管理和保护应用中的理想选择。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DSS} \): -60 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 持续漏极电流(稳态):
    - \( TA = 25°C \): -2.5 A
    - \( TA = 85°C \): -2.0 A
    - 脉冲漏极电流 \( t \leq 5 \, \text{s} \):
    - \( TA = 25°C \): -2.9 A
    - \( TA = 85°C \): -1.3 A
    - 最大功耗(稳态):
    - \( TA = 25°C \): 1.1 W
    - \( TA = 85°C \): 0.6 W
    - 连续漏极电流(脉冲):
    - \( tp = 10 \, \mu\text{s} \): -20 A
    - 工作结温和存储温度 \( T{J}, T{STG} \): -55°C 到 +150°C
    - 引线焊接温度(焊接10秒后):
    - \( TL \): 260°C
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 \( V{(BR)DSS} \): -60 V
    - 栅漏漏电流 \( I{GSS} \): 100 nA @ VDS = 0 V, VGS = ±12 V
    - 开启栅阈值电压 \( V{GS(TH)} \): -1.0 V 到 -3.0 V
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 72 mΩ @ VGS = -10 V, ID = -2.9 A
    - 正向转移电导 \( g{FS} \): 10.1 S @ VDS = -5.0 V, ID = -6.0 A
    - 热阻抗:
    - 结到环境(稳态):
    - \( TA = 25°C \): 102 °C/W
    - \( TA = 25°C \): 77.6 °C/W @ t = 5 s
    - \( TA = 25°C \): 200 °C/W

    产品特点和优势


    - 高可靠性:拥有低导通电阻 \( R{DS(on)} \),在高电压下仍能保持低功耗。
    - 汽车级应用:NV前缀的产品具有独特的现场和控制变更要求,符合AEC-Q101标准。
    - 无铅封装:符合环保要求,适合多种电子产品制造工艺。
    - 广泛的电气特性:适合高电压和高电流的应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 高侧负载开关:由于其低导通电阻,适用于高侧负载开关应用,能够有效减少功率损耗。
    - 打印机和通信设备:可应用于这些设备的电源管理系统中,确保高效的能量转换。

    使用建议:
    - 在高电压环境下,建议使用较大面积的焊盘以提高散热效果,从而延长器件寿命。
    - 注意控制驱动电压在适当的范围内,避免过高的电压导致器件损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件适用于多种电源管理和保护电路设计,与标准电路板兼容。
    - 支持和维护:ON Semiconductor提供详细的文档和支持服务,确保客户能够快速有效地解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:导通电阻 \( R{DS(on)} \) 增大。
    - 解决方案:检查驱动电压是否在规定范围内。确保连接稳定,没有短路或接触不良的情况。
    - 问题2:高温环境下性能下降。
    - 解决方案:增加散热措施,如加大散热片或使用水冷散热系统。

    总结和推荐


    NTGS5120P/NVGS5120P 是一款高效可靠的P-沟道功率MOSFET,特别适合高电压和高电流的应用场合。其高可靠性、低导通电阻以及广泛的应用范围使其成为许多电子产品的理想选择。建议在需要高效电源管理和严格可靠性要求的场景中使用。
    如果您在使用过程中遇到任何问题,欢迎访问ON Semiconductor官方网站获取技术支持。

NVGS5120PT1G参数

参数
最大功率耗散 600mW(Ta)
栅极电荷 18.1nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 1.8A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 942pF@30V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 111mΩ@ 2.9A,10V
通道数量 1
长*宽*高 3mm*1.5mm*1mm
通用封装 TSOP-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVGS5120PT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVGS5120PT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVGS5120PT1G NVGS5120PT1G数据手册

NVGS5120PT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.112
100+ ¥ 1.694
750+ ¥ 1.507
1500+ ¥ 1.419
3000+ ¥ 1.353
库存: 1192
起订量: 1 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 2.11
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