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NSVBC124XDXV6T1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 357mW 6V 500nA 50V 50V 100mA SOT-563 贴片安装
供应商型号: FL-NSVBC124XDXV6T1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVBC124XDXV6T1G

NSVBC124XDXV6T1G概述

    # Dual NPN Bias Resistor Transistors 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    Dual NPN Bias Resistor Transistors(双NPN偏置电阻晶体管)系列是由Semiconductor Components Industries, LLC设计的一种创新型电子元件。这些晶体管通过将单一晶体管与其外接电阻偏置网络集成到一个单一封装中,简化了电路设计,节省了空间,并减少了元件数量。具体来说,它们包含了一个单晶体管及由两个电阻组成的集成偏置网络:串联基极电阻和基极-发射极电阻。这种设计显著提升了系统的可靠性和经济性,适合广泛的应用领域。
    主要功能与应用领域
    - 主要功能:
    - 集成的偏置网络能够简化电路设计。
    - 减少了组件数量和电路板空间。
    - 提高了系统的可靠性和稳定性。
    - 应用领域:
    - 汽车电子(S和NSV前缀,符合AEC-Q101标准)。
    - 其他需要特殊规格和控制变更要求的电子系统。
    - 通用工业和消费类电子设备。

    技术参数


    以下为关键的技术规格和性能参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 集电极-基极电压 (VCBO) | - | - | 50 | Vdc |
    | 集电极-发射极电压 (VCEO) | - | - | 50 | Vdc |
    | 集电极电流 (IC) | - | 100 | - | mAdc |
    | 输入正向电压 (VIN(fwd)) | - | - | 40 | Vdc |
    | 输入反向电压 (VIN(rev)) | - | - | 7 | Vdc |
    其他特性:
    - 偏置电阻R1:15.4至28.6kΩ。
    - 电阻比R1/R2:0.38至0.56。
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C。

    产品特点和优势


    独特功能与优势
    1. 简化电路设计:集成了基极和发射极电阻,减少外部元件的需求。
    2. 降低成本与空间:通过减少元器件数量和缩小电路板面积降低整体成本。
    3. 高可靠性与稳定性:经过严格的测试认证,适用于汽车和其他严苛环境。
    4. 绿色环保:无铅、无卤素且符合RoHS规范,保证环保合规。
    市场竞争力
    相较于传统分立元件方案,该产品提供更高的性价比和更低的设计复杂度,非常适合追求效率和成本平衡的现代电子设计。
    应用案例与使用建议
    应用场景分析
    1. 车载电子:由于AEC-Q101认证支持,这类产品广泛用于汽车传感器、驱动器等关键部件中。
    2. 工业控制:如自动化生产线上的信号放大器和接口模块。
    3. 消费电子:家用电器中的低功耗控制单元。
    使用建议
    - 确保在规定的电气和环境条件下运行,避免超过最大额定值。
    - 适当选择封装形式以匹配应用需求,例如SOT-363适合紧凑设计,而SOT-563则提供更多功率容量。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 与大多数主流PCB制造工艺兼容。
    - 支持自动焊接流程。
    支持服务
    - 提供详尽的技术文档和技术支持服务。
    - 提供PPAP(生产件批准程序)能力,满足客户需求。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 热管理不佳 | 增加散热片或改善气流设计 |
    | 输入输出电压不一致 | 检查电源连接和负载配置 |
    | 过早失效 | 确认工作条件未超出额定范围 |

    总结和推荐


    综合评估
    该产品以其独特的集成设计、卓越的性能表现和广泛的适用性,在众多电子应用场景中展现出强大的竞争力。特别是对于需要高效电路设计和紧凑布局的项目而言,这款晶体管无疑是一个理想的选择。
    推荐使用结论
    强烈推荐该产品应用于需要高可靠性和高性能的电子系统中,特别是在车载、工业和消费类电子领域。对于追求性价比和系统稳定性的设计师来说,这款器件将是不可或缺的好帮手。

NSVBC124XDXV6T1G参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VCBO-最大集电极基极电压 50V
VEBO-最大发射极基极电压 6V
集电极电流 100mA
最大功率耗散 357mW
集电极截止电流 500nA
晶体管类型 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 1mA,10mA
配置
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
通用封装 SOT-563
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSVBC124XDXV6T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVBC124XDXV6T1G数据手册

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NSVBC124XDXV6T1G封装设计

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