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NTMFSC1D6N06CL

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 235 A, DFN8 5 x 6封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: NTMFSC1D6N06CL
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFSC1D6N06CL

NTMFSC1D6N06CL概述

    MOSFET - Power, DUAL COOL N-Channel, DFN8 5x6

    产品简介


    本文档详细介绍了由ON Semiconductor公司生产的NTMFSC1D6N06CL型号的双面冷却N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该MOSFET采用DFN8 5x6封装,适用于高电流和高温环境下的电力转换和开关应用。它具有低导通电阻(RDS(on))和先进的双面冷却设计,特别适合于同步整流、负载开关和DC-DC转换器等应用。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压 (VDSS): 60 V
    - 门极-源极电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (ID): 235 A(@ TC=25°C)
    - 功率耗散 (PD): 166 W(@ TC=25°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 900 A(@ TA=25°C,tp=10 μs)
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 单脉冲漏源雪崩能量 (EAS): 451 mJ
    - 电气特性:
    - 导通电阻 (RDS(on)): 1.5 mΩ @ 10 V,2.3 mΩ @ 4.5 V
    - 门阈电压 (VGS(TH)): 1.2 V 至 2.0 V
    - 输入电容 (CISS): 6660 pF
    - 输出电容 (COSS): 3000 pF
    - 反向传输电容 (CRSS): 45 pF
    - 总门极电荷 (QG(TOT)): 41 nC (VGS=4.5 V),91 nC (VGS=10 V)

    - 开关特性:
    - 开启延时时间 (td(ON)): 14.5 ns
    - 上升时间 (tr): 55.6 ns
    - 关闭延时时间 (td(OFF)): 47.5 ns
    - 下降时间 (tf): 14.1 ns

    - 热阻抗:
    - 结-壳稳态热阻 (RJC): 0.9 °C/W
    - 结-顶部源稳态热阻 (RJC): 1.4 °C/W
    - 结-环境稳态热阻 (RJA): 39 °C/W

    产品特点和优势


    - 先进双面冷却包装:这种设计提高了散热性能,延长了使用寿命。
    - 超低RDS(on):低至1.5 mΩ的RDS(on)使得MOSFET在大电流应用中具备更高的效率。
    - 耐用的封装设计:达到MSL1等级,确保可靠性。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET广泛应用于电源转换和开关控制场合,如同步整流、负载开关和DC-DC转换器。为了最大化性能,建议遵循以下几点:
    - 在高功率应用中使用适当的散热措施。
    - 确保正确匹配电路中的其他元件以避免过压。
    - 在极端环境温度下操作时,需考虑散热设计以保持最佳性能。

    兼容性和支持


    该MOSFET采用DFN8 5x6封装,便于安装到标准FR4板上。ON Semiconductor提供了详尽的技术支持和维护服务,包括详实的数据手册、在线技术支持和本地销售代表的支持。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何确定MOSFET的额定电压?
    - A: 检查数据表中的VDS参数,确认最大漏源电压为60V。
    2. Q: MOSFET在高温环境下如何保证可靠运行?
    - A: 使用合适的散热设计,确保MOSFET在指定的工作温度范围内运行。
    3. Q: 什么是EAS(单脉冲雪崩能量)?
    - A: EAS表示在单个脉冲情况下允许的最大雪崩能量,值为451 mJ。

    总结和推荐


    NTMFSC1D6N06CL是一款出色的双面冷却N沟道功率MOSFET,具备低导通电阻和高电流处理能力,适合各种严苛的应用环境。它的先进冷却设计和耐用封装使其成为高性能应用的理想选择。强烈推荐给需要高效、可靠的电源转换解决方案的设计工程师们。

NTMFSC1D6N06CL参数

参数
最大功率耗散 3.8W(Ta),166W(Tc)
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 235A
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 91nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.66nF@25V
长*宽*高 6mm(长度)
通用封装 DFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFSC1D6N06CL厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFSC1D6N06CL数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFSC1D6N06CL NTMFSC1D6N06CL数据手册

NTMFSC1D6N06CL封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 11.8482
750+ ¥ 11.4935
1500+ ¥ 11.1478
3000+ ¥ 7.6642
6000+ ¥ 7.511
12000+ ¥ 7.3599
库存: 5990
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