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ISL9N312AD3ST

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 75W 20V 25nC@ 10V 1个N沟道 30V 12mΩ@ 10V 50A 1.45nF@ 15V TO-252 贴片安装,黏合安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: CY-ISL9N312AD3ST
供应商:
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ISL9N312AD3ST

ISL9N312AD3ST概述


    产品简介


    产品类型
    ISL9N312AD3 / ISL9N312AD3ST 是一款N沟道逻辑电平PWM优化的超级沟槽功率MOSFET,适用于高效率的开关应用。
    主要功能
    该产品采用了先进的沟槽MOSFET技术,具备低门极电荷和低导通电阻(\(r{DS(ON)}\)),能够在高频率下高效运作。
    应用领域
    - 直流/直流转换器(DC/DC转换器)
    - 开关电源
    - 高效能量转换系统

    技术参数


    - 额定电压:漏源击穿电压 \(BVDSS\) 为 30V
    - 连续电流:连续漏电流(\(ID\))在 25°C 环境温度下为 32A(VGS = 4.5V),100°C 环境温度下为 32A(VGS = 4.5V)
    - 最大峰值电流:峰值漏极电流 \(IDM\) 可达 32A
    - 典型导通电阻:\(r{DS(ON)}\) 在 10V 门极电压下为 0.010Ω,在 4.5V 门极电压下为 0.017Ω
    - 总栅极电荷:在 10V 电压下为 25nC 至 38nC,5V 电压下为 13nC 至 20nC
    - 阈值栅极电荷:\(Qg(TH)\) 为 1.5nC 至 2.3nC
    - 热阻抗:结到壳体的热阻 \(R{\theta JC}\) 为 2℃/W,结到环境的热阻 \(R{\theta JA}\) 在 TO-252 封装下为 100℃/W

    产品特点和优势


    - 快速开关:适用于需要高速切换的应用场景。
    - 低导通电阻:典型 \(r{DS(ON)}\) 仅为 0.010Ω (10V),保证了在不同电压下的高效能表现。
    - 低门极电荷:最小化功耗,适合高频率应用。
    - 优良的温度特性:在广泛的工作温度范围内(-55°C 到 175°C)保持稳定性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    在DC/DC转换器中使用该MOSFET可以显著提高系统的效率和可靠性。例如,将ISL9N312AD3应用于电源管理系统,能够确保高效率和稳定的输出。
    使用建议
    - 散热设计:确保电路板设计有良好的散热措施,如增加铜面积以减少热阻。
    - 门极驱动:使用适当的门极驱动电路,避免过高的门极电压导致器件损坏。
    - 工作温度监控:在高温环境下使用时,确保器件不超过最大额定温度,以延长使用寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:ISL9N312AD3和ISL9N312AD3ST均支持常见的焊接和安装工艺,可直接替换现有的MOSFET器件。
    - 技术支持:Fairchild Semiconductor提供了详尽的技术文档和支持,包括PSPICE和SABER模型,方便进行电路设计和仿真。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:温度过高导致性能下降。
    - 解决方法:通过增加散热片或提高电路板的铜面积来降低热阻,确保散热效果。
    2. 问题:开关频率不稳定。
    - 解决方法:检查门极驱动电路,确保门极电压稳定且足够。
    3. 问题:器件无法正常工作。
    - 解决方法:检查电路连接,确保正确的电压和电流参数。

    总结和推荐


    综合评估
    ISL9N312AD3和ISL9N312AD3ST以其出色的性能、高效的开关能力和优良的温度稳定性,在众多应用中表现出色。它们适用于高效率的DC/DC转换器和开关电源,是电子设计工程师的理想选择。
    推荐
    鉴于其卓越的性能和广泛的适用范围,强烈推荐在需要高效率和稳定性的电子项目中使用ISL9N312AD3和ISL9N312AD3ST。同时,注意合理的散热设计和正确的电路配置,以充分发挥其潜力。

ISL9N312AD3ST参数

参数
Id-连续漏极电流 50A
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 25nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.45nF@ 15V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 10V
配置 独立式
最大功率耗散 75W
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

ISL9N312AD3ST厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

ISL9N312AD3ST数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR ISL9N312AD3ST ISL9N312AD3ST数据手册

ISL9N312AD3ST封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ $ 0.2308 ¥ 1.9871
1000+ $ 0.2244 ¥ 1.896
5000+ $ 0.2244 ¥ 1.896
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