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NGTB15N60S1EG

产品分类: IGBT单管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 117W 1.5V 独立式 600V 30A TO-220AB 通孔安装
供应商型号: NGTB15N60S1EG
供应商: 国内现货
标准整包数: 100
ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 NGTB15N60S1EG

NGTB15N60S1EG概述

    NGTB15N60S1E/D 技术手册解析

    1. 产品简介


    NGTB15N60S1E/D 是一款短路耐受型绝缘栅双极晶体管(IGBT),采用非穿通(Non-Punch Through, NPT)沟槽结构。这种IGBT因其坚固耐用和成本效益高而著称,适用于苛刻的开关应用。其独特的设计使其能够提供低导通电压和最小化的开关损耗,在电机驱动控制和其他硬开关应用中表现出色。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 集电极-发射极电压:VCES = 650 V
    - 集电极电流:@TC=25°C 时 IC = 30 A,@TC=100°C 时 IC = 15 A
    - 脉冲集电极电流:ICM = 120 A
    - 二极管正向电流:@TC=25°C 时 IF = 30 A,@TC=100°C 时 IF = 15 A
    - 二极管脉冲电流:IFM = 120 A
    - 栅极-发射极电压:VGE = ±20 V
    - 功率耗散:@TC=25°C 时 PD = 117 W,@TC=100°C 时 PD = 47 W
    - 短路耐受时间:tSC = 5 µs
    - 操作结温范围:TJ = -55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围:TSTG = -55°C 至 +150°C
    - 引线焊接温度:TSLD = 260°C
    - 热特性:
    - 结至外壳的热阻:RJC(IGBT) = 0.5 °C/W,RJC(Diode) = 2.3 °C/W
    - 结至环境的热阻:RJA = 60 °C/W
    - 电气特性:
    - 导通压降:VCEsat = 1.5 V(典型)
    - 开关损耗:Eon = 0.550 mJ,Eoff = 0.350 mJ(典型)
    - 开启延迟时间:td(on) = 65 ns(典型)

    3. 产品特点和优势


    - 低饱和电压:导致低传导损耗。
    - 低开关损耗:特别适用于高频应用。
    - 软快反向恢复二极管:减小了开关过程中的瞬态损耗。
    - 5 µs 短路耐受能力:保证在硬开关条件下的可靠性。
    - 优良的电流密度:相较于传统封装,提供更高的电流密度。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 家用电器电机控制
    - 通用逆变器
    - 交流和直流电机控制
    使用建议:
    - 在家用电器电机控制应用中,确保IGBT的使用不会超过其额定功率,避免因过载导致的损坏。
    - 在通用逆变器应用中,需要考虑到IGBT的热管理问题,建议使用散热器以提高系统的稳定性。
    - 为了进一步提高效率,可以考虑在电路设计中增加滤波电容来降低电压尖峰。

    5. 兼容性和支持


    该IGBT属于无铅封装,具有良好的兼容性,可直接替换市场上常见的同类产品。ON Semiconductor 提供详尽的技术支持文档和在线技术支持,帮助客户快速解决问题并提升系统性能。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: IGBT 过热怎么办?
    - A: 首先检查冷却系统是否正常工作。如果散热不良,考虑更换更大尺寸的散热片或增加风扇。
    - Q: 如何判断 IGBT 是否损坏?
    - A: 可以使用万用表测量其集电极和发射极之间的电阻值。正常情况下,其阻值应为几欧姆左右。若阻值异常,可能是IGBT已损坏。
    - Q: 开关损耗过高怎么办?
    - A: 尝试减少外部电阻Rg或选择更低阻值的Rg以减小开关损耗。同时,考虑优化PCB布局以减少寄生电感和电容的影响。

    7. 总结和推荐


    NGTB15N60S1E/D 作为一款高性能、短路耐受型的IGBT,非常适合在严苛条件下工作的电机控制和其他电力转换应用。其出色的性能、可靠的热管理和广泛的应用范围使其在市场上具有强大的竞争力。综合以上各方面,强烈推荐在需要高性能IGBT的应用中选用此款产品。

NGTB15N60S1EG参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 1.5V
配置 独立式
集电极电流 30A
最大功率耗散 117W
VCEO-集电极-发射极最大电压 600V
10.53mm(Max)
4.83mm(Max)
9.28mm(Max)
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

NGTB15N60S1EG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NGTB15N60S1EG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 ON SEMICONDUCTOR NGTB15N60S1EG NGTB15N60S1EG数据手册

NGTB15N60S1EG封装设计

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