处理中...

首页  >  产品百科  >  FGH30N60LSDTU

FGH30N60LSDTU

产品分类: IGBT单管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 480W 1.3V 独立式 600V 60A TO-247-3 通孔安装 15.87mm*4.82mm*20.82mm
供应商型号: FL-FGH30N60LSDTU
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 FGH30N60LSDTU

FGH30N60LSDTU概述

    FGH30N60LSD IGBT 技术手册概述

    1. 产品简介


    产品类型:功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)
    主要功能:低饱和电压、高输入阻抗和低导通损耗,适用于太阳能逆变器和不间断电源(UPS)应用。
    应用领域:太阳能逆变器、不间断电源(UPS)。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 集电极-发射极电压(VCES):600V
    - 栅极-发射极电压(VGES):±20V
    - 连续集电极电流(IC):25°C时为60A,100°C时为30A
    - 单脉冲峰值集电极电流(ICM):90A
    - 非重复性峰值浪涌电流(IFSMM):150A
    - 最大功率耗散(PD):25°C时为480W,100°C时为192W
    - 工作结温范围(TJ):-55°C至+150°C
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C至+150°C
    - 最大焊接引线温度(TL):焊点距离外壳1/8英寸,持续5秒内为300°C
    - 热特性:
    - 热阻,结到外壳(RJC(IGBT)):最大值为0.26°C/W
    - 热阻,结到外壳(RJC(Diode)):最大值为0.92°C/W
    - 热阻,结到环境(RJA):最大值为40°C/W
    - 电气特性(25°C时,除非另有说明):
    - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):30A时,栅极-发射极电压(VGE)为15V时,最小值为1.0V,典型值为1.1V,最大值为1.4V
    - 输入电容(Cies):3550pF(典型值)
    - 输出电容(Coes):245pF(典型值)
    - 反向传输电容(Cres):90pF(典型值)
    - 开关时间(td(on)):400V时,30A时,典型值为18ns
    - 关断延迟时间(td(off)):400V时,30A时,典型值为250ns
    - 关断损失(Eoff):400V时,30A时,典型值为21mJ

    3. 产品特点和优势


    - 低饱和电压:集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))为1.1V,确保低功耗。
    - 高输入阻抗:减少栅极驱动电路的负载。
    - 低导通损耗:适用于中等开关频率的应用。
    - 无铅且符合RoHS标准:满足环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 太阳能逆变器:在高功率密度应用中提供高效能。
    - 不间断电源(UPS):在电源中断时提供稳定的电力供应。
    使用建议:
    - 热管理:为了确保长期可靠性,应适当进行散热设计,如使用散热器和热管。
    - 栅极驱动:使用适当的栅极电阻(RG),以减少开关损耗和防止振铃现象。
    - 并联使用:在高电流应用中,可考虑多个器件并联使用,以分摊热应力。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适合于大多数光伏逆变器和UPS系统,与市场上主流的IGBT驱动电路兼容。
    - 支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和专业的技术支持,可通过电子邮件或电话联系。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何选择合适的栅极电阻?
    - 解决方案:根据具体应用的开关速度和效率需求选择合适的栅极电阻,通常在5Ω至10Ω之间选择。
    - 问题:如何处理过高的温度?
    - 解决方案:使用适当的散热措施,如安装散热器和风扇,或者选择具有更好热特性的封装形式。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:低饱和电压和低导通损耗使其非常适合于中等开关频率的应用,特别是太阳能逆变器和UPS系统。
    - 缺点:高工作温度下的饱和电压较高,可能需要更复杂的散热设计。
    推荐:强烈推荐用于太阳能逆变器和UPS系统的应用,尤其是在需要高效能和低损耗的情况下。由于其出色的性能和广泛的应用范围,该产品在市场上具备很强的竞争优势。
    通过上述详细技术参数和应用案例分析,可以看出 FGH30N60LSD 是一款高度可靠的IGBT,特别适合于中等功率密度和高效能的应用。

FGH30N60LSDTU参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 1.3V
配置 独立式
集电极电流 60A
最大功率耗散 480W
VCEO-集电极-发射极最大电压 600V
长*宽*高 15.87mm*4.82mm*20.82mm
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 最后售卖
包装方式 管装

FGH30N60LSDTU厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FGH30N60LSDTU数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 ON SEMICONDUCTOR FGH30N60LSDTU FGH30N60LSDTU数据手册

FGH30N60LSDTU封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 10.098 ¥ 84.9242
库存: 268
起订量: 60 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 84.92
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
2MBI100VA-060-50 ¥ 0
2MBI150VA-060-50 ¥ 211.875
2MBI200VA-060-50 ¥ 240.125
5302DG-AA3-R ¥ 0.2782
AOK20B135E1 ¥ 0
AOK30B120D2 ¥ 25.4542
AOK30B60D1 ¥ 18.252
AOK40B120H1 ¥ 20.7581
AOK60B60D1 ¥ 30.2728
AOT10B60D ¥ 9.5665