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NVMFD5C478NLWFT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 23W 20V 2.2V@ 20µA 8.1nC@ 10V 2个N沟道 40V 14.5mΩ@ 7.5A,10V 10.5A,29A 420pF@25V DFN-8 贴片安装
供应商型号: 863-NVMFD5C478NLWFT1
供应商: Mouser
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFD5C478NLWFT1G

NVMFD5C478NLWFT1G概述

    高质量文章:NVMFD5C478NL Power MOSFET 技术概述

    产品简介


    NVMFD5C478NL 是一款由 ON Semiconductor 生产的高性能双通道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款器件采用了先进的制造工艺,专为高效能低功耗的设计而优化。主要功能包括极低的导通电阻(RDS(on))和较低的电容值,适用于需要高效率的紧凑型设计。产品广泛应用于汽车、工业控制、电源管理等领域。

    技术参数


    以下是 NVMFD5C478NL 的关键技术参数摘要:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | 40 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 持续漏极电流(稳态) | ID | 29 | - | 20.6 | A |
    | 热阻(结到壳) | RθJC | 6.4 | - | - | °C/W |
    | 最大结温 | TJ, Tstg | -55 | - | +175 | °C |
    | 导通电阻(典型值) | RDS(on) | 12.1 | 14.5 | 25 | mΩ |
    其他关键参数还包括输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)、栅极电荷(QG(TOT))以及开关速度等,均满足行业标准。

    产品特点和优势


    1. 小尺寸封装:采用 DFN8(5x6mm)封装,提供紧凑设计的可能性。
    2. 低导通电阻:RDS(on) 仅为 14.5mΩ,显著降低传导损耗。
    3. 低栅极电荷:QG(TOT) 为 8.1nC,可有效减少驱动损耗。
    4. AEC-Q101 认证:符合汽车级质量要求,适合严苛的应用环境。
    5. 环保设计:无铅且符合 RoHS 规范,确保绿色制造。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 汽车电子:如电池管理系统、电机控制等。
    - 工业设备:包括开关电源、逆变器和焊接设备。
    - 消费类电子产品:用于便携式充电器、适配器等。
    使用建议:
    - 在高频率开关电路中,确保栅极驱动电阻的选择合理以避免振荡。
    - 使用良好的散热设计,尤其是在高电流工作条件下。
    - 考虑 EMC(电磁兼容性),在布线时保持信号完整性。

    兼容性和支持


    NVMFD5C478NL 支持广泛的接口标准,可与多种控制器和驱动器芯片无缝协作。制造商提供全面的技术支持,包括详细的参考设计文档和在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致热失控 | 减少开关频率并改善散热设计 |
    | 导通电阻偏高 | 检查栅极驱动电压是否达到额定值 |
    | 驱动电路无法正常工作 | 确认栅极电阻值符合推荐范围 |

    总结和推荐


    NVMFD5C478NL 是一款兼具高效能和高可靠性的功率 MOSFET,尤其适合对空间和性能要求较高的应用场合。其出色的性能指标和广泛的应用兼容性使其成为市场的热门选择。我们强烈推荐在关键任务中使用此产品,尤其是在追求高能效和紧凑设计的项目中。
    推荐指数:★★★★★(满分五颗星)
    如需进一步了解或采购,请联系 ON Semiconductor 官方技术支持或访问官网获取更多资源。

    如需更多技术细节或定制化方案,请随时联系我们!

NVMFD5C478NLWFT1G参数

参数
Id-连续漏极电流 10.5A,29A
最大功率耗散 23W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 20µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 420pF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 14.5mΩ@ 7.5A,10V
栅极电荷 8.1nC@ 10V
配置
Vds-漏源极击穿电压 40V
通道数量 2
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 DFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NVMFD5C478NLWFT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFD5C478NLWFT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFD5C478NLWFT1G NVMFD5C478NLWFT1G数据手册

NVMFD5C478NLWFT1G封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 2.392 ¥ 20.2124
10+ $ 1.5985 ¥ 13.5073
100+ $ 1.0908 ¥ 9.2173
500+ $ 0.8694 ¥ 7.3464
1000+ $ 0.7301 ¥ 6.1692
1500+ $ 0.715 ¥ 6.0414
库存: 998
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