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NDF08N60ZH

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 36W(Tc) 30V 4.5V@ 100µA 58nC@ 10 V 1个N沟道 600V 950mΩ@ 3.5A,10V 8.4A 1.37nF@25V TO-220-2 通孔安装
供应商型号: CY-NDF08N60ZH
供应商:
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NDF08N60ZH

NDF08N60ZH概述

    NDF08N60Z N-Channel Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    NDF08N60Z 是一款高性能 N 沟道功率 MOSFET,专为各种电力转换应用设计。该器件具备低导通电阻(RDS(on))、低栅极电荷和高雪崩耐受能力,使其成为高效率开关电源、电机驱动和照明系统等应用的理想选择。

    技术参数


    以下是 NDF08N60Z 的主要技术规格:
    | 参数 | 型号 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDSS | 600 | V |
    | 持续漏极电流(RJC)| ID | 8.4 | A |
    | 持续漏极电流(TA = 100°C)| ID | 5.3 | A |
    | 脉冲漏极电流(VGS @ 10 V)| IDM | 30 | A |
    | 功耗 | PD | 36 | W |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±30 | V |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 235 | mJ |
    | ESD (HBM) | Vesd | 4000 | V |
    | 最大峰值二极管恢复率 | dv/dt | 4.5 | V/ns |
    | 源极持续电流(体二极管)| IS | 7.5 | A |
    | 最高焊接温度 | TL | 260 | °C |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 到 150 | °C |

    产品特点和优势


    NDF08N60Z 的主要特点和优势如下:
    - 低导通电阻:RDS(on) 最大值仅为 0.95Ω(典型值),使得功率损耗更低,效率更高。
    - 低栅极电荷:Qg 最大值仅为 58nC,有利于快速开关,减少功耗。
    - ESD 保护:内置 ESD 保护二极管,提高器件的可靠性和使用寿命。
    - 全雪崩测试:经过 100% 雪崩测试,确保在极端条件下的可靠性。
    - 环保材料:无铅、无卤素、符合 RoHS 标准,满足现代环保要求。

    应用案例和使用建议


    NDF08N60Z 广泛应用于开关电源、电机驱动、照明系统等领域。例如,在开关电源中,它能够有效降低开关损耗,提升整体效率。使用建议如下:
    - 在高频率应用中,选择合适的栅极电阻以优化开关速度。
    - 在高温环境中使用时,确保良好的散热措施,避免过热。
    - 使用低内阻的栅极驱动器以实现快速开关,降低功耗。

    兼容性和支持


    NDF08N60Z 采用 TO-220FP 封装,与多种 PCB 设计兼容。ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和客户支持服务,帮助客户在应用过程中获得最佳效果。此外,公司还提供定期的软件更新和技术支持,确保产品的长期可靠性。

    常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些常见问题及其解决方案:
    1. 问题:器件工作时发热严重。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,增加散热片或使用更高效的散热方式。

    2. 问题:栅极驱动不稳定。
    - 解决方案:选用合适且内阻较低的栅极驱动器,确保驱动信号的稳定性。
    3. 问题:出现漏电流异常。
    - 解决方案:检查 PCB 布局和器件连接是否正确,确保漏电流在正常范围内。

    总结和推荐


    NDF08N60Z N-Channel Power MOSFET 是一款性能优异的电力转换器件,适用于多种高效率电力应用。其独特的低导通电阻、低栅极电荷和高可靠性等特点,使其在市场上具有强大的竞争力。总体而言,我们强烈推荐 NDF08N60Z 在高要求的电力转换应用中使用,能够显著提升系统的整体效率和可靠性。

NDF08N60ZH参数

参数
最大功率耗散 36W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 600V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 8.4A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 3.5A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 100µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.37nF@25V
栅极电荷 58nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 30V
10.67mm(Max)
4.7mm(Max)
15.88mm(Max)
通用封装 TO-220-2
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

NDF08N60ZH厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NDF08N60ZH数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NDF08N60ZH NDF08N60ZH数据手册

NDF08N60ZH封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.4161 ¥ 3.5802
300+ $ 0.4122 ¥ 3.5479
500+ $ 0.4084 ¥ 3.5157
1000+ $ 0.397 ¥ 3.3544
5000+ $ 0.397 ¥ 3.3544
库存: 8444
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