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FDD13AN06A0

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 115W(Tc) 20V 4V@ 250µA 29nC@ 10 V 1个N沟道 60V 13.5mΩ@ 50A,10V 9.9A,50A 1.35nF@25V TO-252AA 贴片安装
供应商型号: FDD13AN06A0
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDD13AN06A0

FDD13AN06A0概述

    MOSFET – N-Channel POWERTRENCH® FDD13AN06A0

    1. 产品简介


    产品类型:
    N-Channel MOSFET,是POWERTRENCH系列的一员。
    主要功能:
    FDD13AN06A0是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有低导通电阻(RDS(on))和较低的总栅极电荷(QG(TOT)),能够在高电流环境下稳定运行。
    应用领域:
    - 消费类电器
    - LED电视
    - 同步整流
    - 电池保护电路
    - 电机驱动和不间断电源

    2. 技术参数


    | 参数 | 数值 |

    | 集电极-源极电压 (VDS) | 60 V |
    | 栅极-源极电压 (VGS) | ±20 V |
    | 漏极连续电流 (ID) | 50 A (TC<80°C, VGS=10V) |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | 56 mJ |
    | 功率耗散 (PD) | 115 W |
    | 热阻(结到壳) (RJC) | 1.3 °C/W |
    | 热阻(结到环境) (RJA) | 52 °C/W |
    | 最大结温 (TJ, TSTG) | -55至175°C |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)): 11.5 mΩ(典型值)
    - 低栅极电荷 (QG(TOT)): 22 nC(典型值)
    - 低米勒电荷
    - 低反向恢复电荷 (Qrr)
    - 雪崩能力和重复脉冲能力
    这些特点使得该器件在高效率和高可靠性方面表现优异,特别适合于需要高功率和高电流的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    在电池保护电路中,FDD13AN06A0可以用于断路器或限流器,在过载时迅速切断电源,防止损坏。在同步整流中,该器件能显著减少开关损耗,提高效率。
    使用建议:
    - 为了确保良好的热管理,建议使用大散热片或外部散热器,以降低器件温度。
    - 为减少EMI干扰,可以通过优化PCB布局,合理放置去耦电容来降低噪声。
    - 在设计高功率电路时,要注意计算脉冲宽度和占空比,避免超过器件的额定峰值电流。

    5. 兼容性和支持


    FDD13AN06A0的设计使其易于与其他电子元件和设备兼容。制造商提供了详细的文档和支持,包括技术手册、应用笔记和仿真模型。这有助于工程师进行快速有效的设计验证和优化。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1: 高温下MOSFET性能下降
    解决方案: 使用外部散热器并确保良好的气流,保持MOSFET的工作温度在安全范围内。
    问题2: 电压尖峰损坏器件
    解决方案: 添加稳压二极管或TVS二极管来保护MOSFET免受过压冲击。
    问题3: 开关频率过高导致发热
    解决方案: 适当降低开关频率,并考虑使用更高规格的散热器。

    7. 总结和推荐


    总体来看,FDD13AN06A0 MOSFET凭借其低导通电阻、低栅极电荷、高雪崩能力和优秀的热性能,在多个应用领域展现出强大的竞争力。对于需要高效、可靠和高性能解决方案的设计者来说,FDD13AN06A0是一个值得推荐的选择。
    请注意,尽管该器件具有诸多优点,但在具体应用中仍需严格遵守器件的最大额定值,并遵循正确的热管理和电路布局原则。

FDD13AN06A0参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 13.5mΩ@ 50A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
通道数量 1
最大功率耗散 115W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.35nF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 29nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 9.9A,50A
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.52mm(Max)
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDD13AN06A0厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDD13AN06A0数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDD13AN06A0 FDD13AN06A0数据手册

FDD13AN06A0封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 6.72
5000+ ¥ 6.552
10000+ ¥ 6.44
20000+ ¥ 6.384
库存: 7500
起订量: 2500 增量: 2500
交货地:
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