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NTBGS2D5N06C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 NTBGS2D系列, Vds=60 V, 169 A, TO-263-7封装, 表面贴装, 7引脚
供应商型号: NTBGS2D5N06C
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTBGS2D5N06C

NTBGS2D5N06C概述

    NTBGS2D5N06C MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NTBGS2D5N06C 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 D2PAK7 封装形式。这款 MOSFET 主要用于电源管理及开关电路中,具有低导通电阻、低驱动损耗和降低开关噪声/电磁干扰等特点。典型应用包括电池供电工具、家用真空吸尘器、无人机、材料搬运系统、电池管理系统(BMS)、存储系统及家庭自动化设备。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 漏源电压 (VDSS):60 V
    - 漏极连续电流 (ID):169 A(稳态条件)
    - 单脉冲漏极-源极雪崩能量 (EAS):266 mJ
    - 脉冲漏极电流 (IDM):680 A
    - 工作结温范围 (TJ, Tstg):−55°C 到 +175°C
    - 铅端温度 (TL):260°C
    - 无铅、卤素自由/溴化阻燃剂 (BFR) 自由,符合RoHS标准
    - 电气特性:
    - 导通电阻 (RDS(on)):2.5 mΩ @ 12 V
    - 输入电容 (CISS):3510 pF
    - 输出电容 (COSS):1950 pF
    - 门到源电荷 (QGS):14.7 nC
    - 开关时间特性:
    - 开启延迟时间 (td(ON)):17.9 ns
    - 上升时间 (tr):9.3 ns
    - 关闭延迟时间 (td(OFF)):26.9 ns
    - 下降时间 (tf):13.6 ns

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:2.5 mΩ @ 12 V,这有助于减少导通损耗,提高能效。
    - 低栅极电荷:45.4 nC 的总栅极电荷,有助于降低驱动损耗,使系统更加高效。
    - 低噪声和电磁干扰:特别适合于需要减少噪声和电磁干扰的应用场合。
    - 无铅、无卤素设计:符合环保要求,适用于绿色电子产品。


    4. 应用案例和使用建议


    - 电池供电工具:由于低导通电阻和高连续电流能力,适合用于电动工具的马达控制。
    - 无人机:在电池供电设备中,低噪声和低驱动损耗有助于提升飞行稳定性。
    - 家庭自动化设备:适用于需要高效能耗比的智能插座、照明控制系统等。
    使用建议:
    - 确保散热片或热界面材料良好接触,以保持器件温度低于阈值。
    - 在高电流和高频率操作下,建议使用较大的栅极电阻以防止寄生振荡。

    5. 兼容性和支持


    NTBGS2D5N06C 可以直接替换其他类似规格的 MOSFET。制造商 ON Semiconductor 提供全面的技术支持和客户服务中心,以帮助解决各种技术问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:设备过热
    - 解决方案:确保足够的散热措施,如使用散热器或散热片。
    - 问题:高频开关时出现噪声
    - 解决方案:增加栅极电阻以减小开关噪声,考虑使用屏蔽线缆减少外界干扰。
    - 问题:频繁的启动/关闭导致设备失效
    - 解决方案:检查并调整系统的控制逻辑,确保设备按预期运行,避免频繁启停。

    7. 总结和推荐


    总体而言,NTBGS2D5N06C MOSFET 是一款高性能的产品,特别适合需要低功耗和高效开关的应用场合。它的低导通电阻、低栅极电荷和绿色环保的特点使其在市场上具有很强的竞争力。如果你需要一个稳定、高效的开关解决方案,NTBGS2D5N06C 是一个非常不错的选择。

NTBGS2D5N06C参数

参数
栅极电荷 45.4nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 175µA
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Id-连续漏极电流 169A
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 3.7W(Ta),136W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 2.5mΩ@ 35A,12V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.51nF@30V
配置 -
通用封装 D2PAK,TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
包装方式 卷带包装

NTBGS2D5N06C厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTBGS2D5N06C数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTBGS2D5N06C NTBGS2D5N06C数据手册

NTBGS2D5N06C封装设计

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