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NTMFS6B03NT3G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.4W(Ta),165W(Tc) 20V 4V@ 250µA 58nC@ 10 V 1个N沟道 100V 4.8mΩ@ 20A,10V 19A,132A 4.2nF@50V SO-FL-8 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: CY-NTMFS6B03NT3G
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS6B03NT3G

NTMFS6B03NT3G概述

    NTMFS6B03N MOSFET 技术手册概览

    1. 产品简介


    产品类型:功率 MOSFET(单个,N-通道)
    主要功能:
    - 低通态电阻 RDS(on),以减少导通损耗。
    - 低 QG 和电容,以减少驱动器损耗。
    - 封装尺寸小巧(5x6 mm),适合紧凑型设计。
    - 符合无铅(Pb-free)、卤素及 BFR-free 要求,并且符合 RoHS 标准。
    应用领域:
    - 适用于需要高效能、小体积和高可靠性的电源管理应用。
    - 适用于电动汽车、工业自动化、通信系统等领域的电源转换模块。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |

    | 漏源电压 | VDSS | 100 | V |
    | 门极-源极电压 | VGS | ±20 | V |
    | 持续漏极电流(TJ=25°C) | ID | 132 | A |
    | 最大功耗(TJ=25°C) | PD | 165 | W |
    | 高温下最大漏极电流(TJ=100°C) | ID | 83 | A |
    | 高温下最大功耗(TJ=100°C) | PD | 65 | W |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM | 470 | A |
    | 结温和存储温度 | TJ, Tstg | -55 ~ +150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 小封装:5x6 mm 的封装尺寸,为紧凑型设计提供了可能。
    - 低 RDS(on):在 10 V 门极电压下,RDS(on) 可达 4.8 mΩ,有效降低导通损耗。
    - 低 QG 和电容:减少了驱动器的损耗,提高了开关速度。
    - 环保材料:无铅(Pb-free)、卤素及 BFR-free,符合 RoHS 标准。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在电动汽车的逆变器系统中,NTMFS6B03N MOSFET 由于其低 RDS(on) 和高可靠性,能够显著提升系统的效率和稳定性。
    - 在工业自动化设备的电源转换模块中,小巧的封装使其非常适合有限空间的应用。
    使用建议:
    - 当设计中需要高效率和高可靠性时,应优先选择 NTMFS6B03N MOSFET。
    - 设计时应考虑其热阻和散热措施,确保其在高温环境下的稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NTMFS6B03N MOSFET 与大多数常见的电源管理 IC 和控制芯片兼容,适用于广泛的电源转换应用。
    - 支持和服务:ON Semiconductor 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的资料下载、应用指南和技术文档等资源,帮助用户更好地利用和维护产品。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 散热问题导致性能下降 | 确保良好的散热措施,使用适当的散热片或冷却装置。 |
    | 功耗过大 | 检查电路设计,优化电路布局和布线,确保门极驱动信号的正确性。 |
    | 开关频率异常 | 检查门极电阻值和驱动信号,确保符合设计要求。 |

    7. 总结和推荐


    总结:
    - NTMFS6B03N MOSFET 具有出色的低 RDS(on) 性能,适合高效率、高可靠性要求的应用场景。
    - 该产品在高温和高湿度环境下仍能保持稳定性能,适合恶劣环境下的应用。
    - 封装尺寸小巧,特别适合于空间受限的设计。
    推荐:
    - 基于上述特性和优势,强烈推荐在需要高效率、小体积和高可靠性的应用中使用 NTMFS6B03N MOSFET。对于需要详细技术支持和应用指导的用户,可联系 ON Semiconductor 官方获取更多信息和支持。

NTMFS6B03NT3G参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 4.8mΩ@ 20A,10V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Id-连续漏极电流 19A,132A
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.2nF@50V
最大功率耗散 3.4W(Ta),165W(Tc)
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 58nC@ 10 V
通道数量 1
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 SO-FL-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NTMFS6B03NT3G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS6B03NT3G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS6B03NT3G NTMFS6B03NT3G数据手册

NTMFS6B03NT3G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ $ 3.2332 ¥ 26.8494
50+ $ 3.0938 ¥ 26.3784
100+ $ 3.0381 ¥ 26.1428
300+ $ 3.0102 ¥ 25.9073
500+ $ 2.9823 ¥ 25.6718
1000+ $ 2.8987 ¥ 24.4942
5000+ $ 2.8987 ¥ 24.4942
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起订量: 38 增量: 1
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