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NTLJS3D9N03CTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 860mW(Ta) 1.1V@ 250µA 14.7nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 4.9mΩ@ 10A,4.5V 1.565nF@15V PQFN-6 贴片安装
供应商型号: FL-NTLJS3D9N03CTAG
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTLJS3D9N03CTAG

NTLJS3D9N03CTAG概述

    NTLJS3D9N03C MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NTLJS3D9N03C 是一款单通道 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 WDFN6 封装。这款 MOSFET 主要应用于无线充电器、电源负载开关、电源管理和保护以及电池管理等领域。它的核心优势在于小体积设计、低导通电阻和无铅无卤的环保材料。

    2. 技术参数


    以下是 NTLJS3D9N03C 的主要技术参数:
    - 最大额定值:
    - 漏源电压 (VDSS): 30 V
    - 栅源电压 (VGS): ±12 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TA = 25°C 时:17.2 A
    - TA = 85°C 时:12.4 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 71 A
    - 工作结温范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 热阻抗:
    - 结至环境热阻 (RJA):
    - 表面贴装在 FR4 板上,使用 1 in² 布线时:52°C/W
    - 使用最小布线尺寸时:145°C/W
    - 电气特性:
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 4.5 V, ID = 10 A 时:3.6 mΩ (典型)
    - VGS = 3.3 V, ID = 5 A 时:4.1 mΩ (典型)
    - VGS = 2.5 V, ID = 4 A 时:5.4 mΩ (典型)
    - VGS = 1.8 V, ID = 2 A 时:9.8 mΩ (典型)
    - 开关特性:
    - 开启延迟时间 (td(on)): 10.1 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 40.6 ns
    - 上升时间 (tr): 9.5 ns
    - 下降时间 (tf): 15.4 ns

    3. 产品特点和优势


    - 紧凑设计:仅 4 mm² 的小体积使其非常适合需要空间优化的应用。
    - 低导通电阻:通过优化设计,显著降低了功率损耗。
    - 环保材料:该器件无铅无卤素,符合 RoHS 标准,适用于对环保要求较高的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    - 无线充电器:在无线充电器中,NTLJS3D9N03C 可以作为主控开关,提高效率并减少发热。
    - 电源负载开关:可以用于电池管理系统中的负载开关,提供可靠的电源控制。
    - 使用建议:
    - 在高电流应用中,应注意散热设计,避免温度过高导致器件损坏。
    - 在选择栅极电阻时,可以根据具体应用调整,以获得最佳开关性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NTLJS3D9N03C 可以与其他常见的电源管理和保护电路兼容,如电池管理系统。
    - 支持和服务:安森美(ON Semiconductor)提供了详尽的技术文档和支持服务,包括电气特性和机械参数的详细说明。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1: 高温环境下导通电阻增大。
    - 解决方案:增加散热措施,例如添加散热片或改进 PCB 布局。
    - 问题 2: 开关频率过高导致过热。
    - 解决方案:降低开关频率或增加外部冷却装置。

    7. 总结和推荐


    NTLJS3D9N03C MOSFET 具有卓越的性能和紧凑的设计,特别适合无线充电器、电源管理和电池管理等应用。其低导通电阻和高可靠性使其在市场上具有较强的竞争力。因此,强烈推荐使用 NTLJS3D9N03C 作为关键电源控制元件。

NTLJS3D9N03CTAG参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.1V@ 250µA
栅极电荷 14.7nC@ 4.5 V
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.565nF@15V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 860mW(Ta)
通道数量 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.9mΩ@ 10A,4.5V
通用封装 PQFN-6
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
包装方式 卷带包装

NTLJS3D9N03CTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTLJS3D9N03CTAG数据手册

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NTLJS3D9N03CTAG封装设计

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